一种Pt负载的In2O3材料及其制备方法与异戊二烯传感器技术

本发明专利技术公开一种Pt负载的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;材料及其制备方法与异戊二烯传感器。方法包括步骤：首先将铟源和十二烷基磺酸钠加入到乙醇溶液中，搅拌之后加入碱源，搅拌直至得到透明澄清的溶液；将得到的溶液进行水热反应，随后产物灼烧后得到In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;材料；将得到的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;与氯铂酸溶液分散到去离子水，进行水热反应，产物灼烧后得到Pt负载的I<subgt;n</subgt;2O<subgt;3</subgt;材料。本发明专利技术利用Pt催化效应和电子敏化效应，促进异戊二烯与敏感体之间的气敏反应。Pt负载的In<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;构筑的传感器对于低浓度(ppb‑ppm)的异戊二烯气体展现出工作温度低、灵敏度高、选择性和高湿下抗干扰能力好等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气体传感器领域，尤其涉及一种pt负载的in2o3材料及其制备方法与异戊二烯传感器。

技术介绍

1、高脂血症是目前严重威胁人类健康的慢性疾病，尽量发现高血脂以及日常对血脂的监测都是非常必要的。目前血脂检测和监测的主要方法是有创伤的，即通过静脉抽血的方式分析血液中血脂的浓度。但是这种有创的方法给患者带来了痛苦和不便。与此同时这种慢性疾病需要常年就医化验，更使患者家庭承受巨大的经济压力。因此实现对血脂无创伤、低成本、便携式、快速检测就变得十分迫切。最近研究显示呼气中的异戊二烯可以作为监测高血脂症的重要标志物。但目前呼气中异戊二烯的检测手段多为大型仪器如色谱、质谱、光谱仪等，需要专业人员操作，而且价格昂贵，给检测带来了许多不便。

2、目前，用于检测异戊二烯的小型半导体传感器已经被研究报道出来，但这些传感器存在工作温度高、选择性差、检测浓度高、抗湿性差、响应-恢复速度慢等缺点，不适合作为呼气标志物传感器。一些研究学者已经证明贵金属(au、pt、pd等)的负载能够有效提高氧化物半导体异戊二烯气敏性能，但实现对超低浓度(几个-几十ppb)异戊二本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Pt负载的In2O3材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的Pt负载的In2O3材料的制备方法，其特征在于，所述铟源选自醋酸铟、氯化铟和硝酸铟中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的Pt负载的In2O3材料的制备方法，其特征在于，所述碱源选自尿素、氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的Pt负载的In2O3材料的制备方法，其特征在于，所述第一次水热反应的温度为140～170℃，所述第二次水热反应的温度为140～170℃。

5.根据权利要求1所述的Pt负载的In2O3材料的制备方法，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

2.根据权利要求1所述的pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，所述铟源选自醋酸铟、氯化铟和硝酸铟中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，所述碱源选自尿素、氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，所述第一次水热反应的温度为140～170℃，所述第二次水热反应的温度为140～170℃。

5.根据权利要求1所述的pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，所述第一次水热反应的时间为8～12小时，所述第二次水热反应的时间为2～5小时。

6.根据权利要求1所述的pt负载的in2o3材料的制备方法，其特征在于，所述乙醇溶液浓度为(体积比30％～60％)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜宇，王金凤，曹祥栋，汤继华，王心萌，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：