一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法技术

本发明专利技术属于发光材料技术领域，公开一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法；所述荧光粉通过以NaGdGeO<subgt;4</subgt;为基质，引入掺杂离子M获得；且荧光粉的分子式为NaGdGeO<subgt;4</subgt;:xM；其中，M为Pb<supgt;2+</supgt;、Tb<supgt;3+</supgt;、Ln<supgt;3+</supgt;中的一种或多种；x为掺杂离子M占所述基质中Gd的摩尔掺杂浓度，且0＜x≤3%。本发明专利技术基于陷阱调控，实现了光致发光，余辉，热激励荧光等荧光性质的调控，尤其实现了荧光粉的反常热淬灭现象及热增容陷阱填充现象，实现了高容量信息写入和多级信息读出，为第四代光信息储存提供了材料基础。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光材料，尤其涉及一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法。

技术介绍

1、随着大数据的发展，巨大的数据存储量将会使现存的固态/磁性存储技术产生存储危机，开发新高容量节能存储材料和存储技术迫在眉睫。

2、长余辉绝缘/半导体材料是基于陷阱存储和释放载流子进行的光信息储存材料。一般要求陷阱分布带窄、多级、且具有合适的深度(为0.8 ~ 1.6 ev)，这将为光信息储存提供抗室温扰动能垒和为信号读出提供较强的光/热激励荧光。目前，长余辉材料凭借超快速、无功耗、存储容量大和存储时间长等优点，成为最有潜力的第四代超高密度超快光信息储存介质。

3、然而，现有技术中的长余辉材料在由于弱的光/热激励荧光强度，还达不到信息储存应用的阈值，故寻求高存储容量的长余辉材料是非常重要的。

4、为此，本专利技术提供一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中的不足，本专利技术提供一种用于信息储存的荧光粉及其制备方法。本专利技术通过对长余辉材料的蓄能陷阱进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于信息储存的荧光粉，其特征在于，通过以NaGdGeO4为基质，引入掺杂离子M获得；且荧光粉的分子式为NaGdGeO4:xM；

2.一种权利要求1所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述Na源、Gd源、Ge源、以及M源为含有相应元素的含氧化合物；

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述含氧化合物为氧化物、碳酸盐和硝酸盐中的任意一种或多种。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当采用的M包括Pb2+或/和Tb3+时，将Pb2+或/和Tb3+以其对应的氧化物形...

【技术特征摘要】

1.一种用于信息储存的荧光粉，其特征在于，通过以nagdgeo4为基质，引入掺杂离子m获得；且荧光粉的分子式为nagdgeo4:xm；

2.一种权利要求1所述的荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述na源、gd源、ge源、以及m源为含有相应元素的含氧化合物；

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述含氧化合物为氧化物、碳酸盐和硝酸盐中的任意一种或多种。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，当采用的m包括pb2+或/和tb3+...

【专利技术属性】
技术研发人员：高当丽，王志刚，
申请(专利权)人：西安建筑科技大学，
类型：发明
国别省市：