【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及靶材,尤其涉及一种铝靶材的制备方法。
技术介绍
1、半导体用溅射靶材,对靶坯内部晶粒组织均匀性要求高,因此对靶坯的整个塑性变形热处理工艺有着较高的要求。受限于技术条件,现有工艺所生产的靶坯,晶粒大小在500μm以下且均匀性较低,外观可见明显花斑状纹路,报废率较高。
2、cn116240510a公开了一种管状铝靶材的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将铝锭依次进行第一热处理、第一锻伸、第二热处理、第二锻伸和第三热处理,得到坯料;(2)将步骤(1)得到的所述坯料进行第四热处理,然后进行挤压处理,得到压坯;(3)将步骤(2)得到的所述压坯进行第五热处理,得到管状铝靶材。
3、cn108202292a公开了一种铝靶材的制作方法,首先形成铝板,对所述铝板进行喷砂,将喷砂后的铝板制作成铝靶材。由于金属铝具有延展性强且硬度低的特点,采用滚压的抛光方式易将杂质压入金属内部,使其难以去除。喷砂方式是采用压缩空气为动力,以形成高速喷射束将喷料高速喷射到需要处理的工件表面,由于砂粒对工件表面的冲击和切削作用,使工
...【技术保护点】
1.一种铝靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述铝锭的纯度为5N以上;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述第一热处理的温度为250℃~350℃,保温时间为30~90min;
4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第二预热在电阻式加热炉中进行;
5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第二锻造的锻造比为1.5~2.5,重复锻造2~3次。
6.根
...【技术特征摘要】
1.一种铝靶材的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述铝锭的纯度为5n以上;
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述第一热处理的温度为250℃~350℃,保温时间为30~90min;
4.根据权利要求1~3任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第二预热在电阻式加热炉中进行;
5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)所述第二锻造的锻造比为1.5~2.5,重复锻造2~3次。
6.根据权利要求1~5任一项所述的制备...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,周友平,陈勇军,余婷,
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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