【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机发光二极管，具体涉及一种单组分电致变色oled器件及其制备方法。
技术介绍
1、有机发光二极管(organic light emitting diodes，oled)由于其自身轻薄、自发光等优点，在显示和固态照明领域有着广阔的应用前景。在oled发光变色方面的，2009年ravi m.adhikari等人合成了几种由乙基苯基核心和咔唑树突组成的新型树状大分子，该系列的分子在oled中的发射包含其单体的蓝色发射与电致积极缔合物的橙色发射，其中一种分子的蓝光发射强度依赖于施加电压，因此通过施加不同的电压实现了电致发光光谱调谐。2011年，se hun kim等人将蓝色发光片段与黄色发光片段通过共价连接合成了一种白光分子，在以该分子作为发光层的oled器件中利用电荷捕获机制实现了不同颜色(蓝色、黄色、白色)的发射，并制备了最大电流效率为3.10cd/a最大亮度为1092cd/m2的woled。xiaomeng li等人在2019年合成了一种小分子材料三(4-(苯基乙基)苯基)胺(tris(4-(phenylethynyl)phenyl)amine，tpepa)，并制备了单组份oled器件，在不同退火温度与不同电流下其器件的发射峰从412nm变化到了619nm，相应的国际照明委员会色坐标(commission internationalede l'eclairage,cie)从(0.1716，0.1107)变化到了(0.5179，0.3126)实现了大幅度的光谱调控。在近几年的报道中，jie wang等人制备了一种具有
2、然而在单组分发射中实现大幅度可控的光谱调谐在以往的研究中鲜有报道，且通常存在光谱调控操作复杂、调控幅度小、cri指标不达标等问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种单组分电致变色oled器件，该器件2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9h-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料作为发光层，通过调节电压、控制发光层薄膜的退火温度来调节rgb的发射比重，能够形成单组分白光发射，实现了可控易操作的光谱调谐。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现：
3、一种单组分电致变色oled器件，从上到下依次包括金属阴极(6)、电子传输层(5)、发光层(4)、空穴传输层(3)、ito导电条(2)以及玻璃基底(1)，所述空穴传输层为moo3，tpbi为电子传输层，ca；ag为金属阴极，发光层2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9h-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料，其分子构型为给体-π-受体-π-给体(d-π-a-π-d)型，其中咔唑基团为常用的空穴传输单元为电子给体，噁二唑基具有较强的电子吸附能力为电子受体。
4、进一步的，所述2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9h-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料包括d-czoxd-26，其中d-czoxd-26的结构式如下式：
5、
6、本专利技术中空穴传输层采用氧化钼moo3，moo3为金属氧化物具有较好的耐热性，当对薄膜进行高温退火时不会破坏到空穴传输层基底，且作为空穴传输层能级匹配。tpbi为一种常用的电子传输层材料，出于能级匹配载流子传输平衡方面的考虑，其homo能级具有较大的功函数；样品材料d-czoxd-26采用氯仿溶剂进行制备溶液，氯仿对于大多数有机物都有很好的溶解性，且氯仿具有优良的成膜性能，且制备溶液后需要长时间的搅拌，以保证材料充分溶解到溶剂中，以保证溶液中无颗粒，使得旋涂后的薄膜致密光滑。
7、进一步的，所述空穴传输层的厚度为10nm，发光层的厚度为35nm，电子传输层的厚度为35nm，ca和ag的厚度分别为10nm、100nm。
8、进一步的，在ito导电条一侧刮出金属阳极，并将金属阴极与所刮出的金属阳极相连。
9、一种如上述单组分电致变色oled器件的制备方法，具体包括如下步骤：
10、步骤s1，清洗ito导电玻璃，将其作为器件的基底、金属阳极以及发射面；
11、步骤s2，将清洗干净的器件基底移入到手套箱中的有机真空蒸镀仓中，抽真空至真空度小于2×10-4pa，后蒸镀moo3形成空穴传输层；
12、步骤s3，在moo3层上旋涂发光层溶液，所述发光层溶液为含有2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-1，3，4-噁二唑类小分子材料的氯仿溶液，其浓度为4mg/ml；后进行退火温度调节；
13、步骤s4，将经过步骤s3获得的基片移入有机真空蒸镀仓中，在真空度小于2×10-4pa的压强下蒸镀电子传输层tpbi；
14、步骤s5，在蒸镀有电子传输层的基片上刮出金属阳极；
15、步骤s6，将经过步骤s5获得的基片移入金属真空蒸镀仓室中，在真空度小于2×10-4pa的压强下蒸镀金属阴极，分别蒸镀ca和ag得到oled器件；
16、步骤s7，对所得到的oled器件进行封装，然后正负极施加电压进行el光谱调谐。
17、进一步的，步骤s3中进行退火处理的温度为120℃-280℃，退火时间为20min。
18、进一步的，退火温度分别为120℃、150℃、230℃、280℃。
19、进一步的，步骤s7中施加电压从6v增加至14v。
20、本专利技术的技术方案能产生以下的技术效果：
21、1.本专利技术的单组分电致变色oled器件使用采用22-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9h-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料作为发光层，基于其长波方向产生多聚体发射，为绿光发射(500-550nm)与红光发射(660nm)，与其单体发射(蓝色发射，约420nm)形成互补色，在oled器件中通过调节电压调节rgb的发射比重，实现了单组分白光发射；同时在本专利技术的单组分oled器件中对发光层进行不同温度的退火时，电压对光谱的调谐幅度更大，能够通过控制温度控制长波方向的发射比重。本专利技术的oled器件调节光谱的方案易于操作，仅通过改变发光层薄膜的退火温度和施加电压即可实现可控的光谱调谐。
22、2.本专利技术制备得到单组分电致变色oled器件cri指数大于85，具有较高的显色指数。
23、3.本专利技术制备得到的单组分电致变色oled器件结构简化，电极无需图案化处理；且其中包含了多个发光单元，各个发光单元独立，当其中一个遭到破坏时其他的发光单元不受影响，具有较高的容错率。
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1.一种单组分电致变色OLED器件，从上到下依次包括金属阴极(6)、电子传输层(5)、发光层(4)、空穴传输层(3)、ITO导电条(2)以及玻璃基底(1)，其特征在于，所述空穴传输层为MoO3，TPBi为电子传输层，Ca；Ag为金属阴极，发光层采用2-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-1，3，4-噁二唑类小分子材料，其分子构型为给体-π-受体-π-给体(D-π-A-π-D)型。
2.根据权利要求1所述的一种单组分电致变色OLED器件，其特征在于，所述2-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-1，3，4-噁二唑类小分子材料包括2-(4-(9H-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9H-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料，其命名为d-CzOXD-26，其中d-CzOXD-26的结构式如下式：
3.根据权利要求1所述的一种单组分电致变色OLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10nm，发光层的厚度为35nm，电子传输层的厚度为35nm，Ca和Ag的厚度分别为10nm、100nm。
4.根据权利要求1所述的一种单组分电致变色
5.一种如权利要求1-4任一项所述的单组分电致变色OLED器件的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种单组分电致变色OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中进行退火处理的温度为120℃-280℃，退火时间为20min。
7.根据权利要求6所述的一种单组分电致变色OLED器件的制备方法，其特征在于，退火温度分别为120℃、150℃、230℃、280℃。
8.根据权利要求6所述的一种单组分电致变色OLED器件的制备方法，其特征在于，步骤S7中施加电压从6V增加至14V。
...【技术特征摘要】
1.一种单组分电致变色oled器件，从上到下依次包括金属阴极(6)、电子传输层(5)、发光层(4)、空穴传输层(3)、ito导电条(2)以及玻璃基底(1)，其特征在于，所述空穴传输层为moo3，tpbi为电子传输层，ca；ag为金属阴极，发光层采用2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-1，3，4-噁二唑类小分子材料，其分子构型为给体-π-受体-π-给体(d-π-a-π-d)型。
2.根据权利要求1所述的一种单组分电致变色oled器件，其特征在于，所述2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-1，3，4-噁二唑类小分子材料包括2-(4-(9h-咔唑-9-基)苯基)-5-(2,6-二(9h-咔唑-9-基)苯基)-1,3,4-噁二唑小分子材料，其命名为d-czoxd-26，其中d-czoxd-26的结构式如下式：
3.根据权利要求1所述的一种单组分电致变色oled器件，其特征在于，所述空穴传输层的...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶尚辉，张攀峰，李宇鹏，唐星星，周舟，王石，李咏华，黄维，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：
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