【技术实现步骤摘要】
本技术属于印刷电路板，特别涉及一种屏蔽晶振电磁干扰的装置和一种pcb。
技术介绍
1、电子元件对外界的干扰，称为emi(electromagneticinterference)；电磁波会与电子元件作用，产生被干扰现象，称为ems(electromagneticsusceptibility)。例如，tv荧光屏上常见的“雪花”，便表示接受到的讯号被干扰。因为屏蔽体对来自导线、电缆、元部件、电路或系统等外部的干扰电磁波和内部电磁波均起着吸收能量(涡流损耗)、反射能量(电磁波在屏蔽体上的界面反射)和抵消能量(电磁感应在屏蔽层上产生反向电磁场，可抵消部分干扰电磁波)的作用，所以屏蔽体具有减弱干扰的功能。(1)当干扰电磁场的频率较高时，利用低电阻率的金属材料中产生的涡流，形成对外来电磁波的抵消作用，从而达到屏蔽的效果。(2)当干扰电磁波的频率较低时，要采用高导磁率的材料，从而使磁力线限制在屏蔽体内部，防止扩散到屏蔽的空间去。(3)在某些场合下，如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时，往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。
2、据屏蔽目的的不同，屏蔽体可分为静电屏蔽体、磁屏蔽体和电磁屏蔽体三种。静电屏蔽体:由逆磁材料(如铜、铝)制成，并和地连接。静电屏蔽体的作用是使电场终止在屏蔽体的金属表面上，并把电荷转送入地。磁屏蔽体：由磁导率很高的强磁材料(如钢)制成，可把磁力线限制于屏蔽体内。电磁屏蔽体:主要用来遏止高频电磁场的影响，使干扰场在屏蔽体内形成涡流并在屏蔽体与被保护空间的分界面上产生反射，从而大大削弱干扰场在被保护空间
3、晶振是个极其敏感且重要的原件,在layout佈局中需要特別注意电磁干扰，现有技术中对晶振的抗干扰时无法做到在扛干扰的同时，将晶振固定，且会干扰引脚与pcb焊盘的信号。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本技术提出了一种屏蔽晶振电磁干扰的装置和一种pcb，用于降低电磁对印刷电路板的干扰。
2、为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：
3、一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，包括：目标晶振、屏蔽层和屏蔽单元；
4、目标晶振位于屏蔽层的上表面，且屏蔽层的面积大于目标晶振的面积；所述屏蔽层的下表面黏合在印刷电路板上；
5、目标晶振的引脚连接屏蔽单元。
6、进一步的，所述屏蔽层为由屏蔽电磁且不导电的材料制成的屏蔽层。
7、进一步的，所述所述晶振的面积为晶振与外围电路一起组成的总面积；
8、所述屏蔽层的面积相对于所述总面积周围均向外扩1cm。
9、进一步的，所述屏蔽层的厚度为0.1mm。
10、进一步的，所述屏蔽单元包括电阻r1、电容c1和电容c2；
11、所述目标晶振的xtal1引脚的一路连接电阻r1的一端，目标晶振的xtal1引脚的第二路通过电容c1接地；所述电阻r1的另外一端一路连接到目标晶振的xtal3引脚，电阻r1的另外一端第二路通过电容c2接地。
12、进一步的，所述屏蔽单元的gnd2引脚和gnd4引脚均接地。
13、进一步的，所述电阻r1的阻值为10mω。
14、进一步的，所述电容c1的大小为10pf；
15、进一步的，所述电容c2的大小为10pf。
16、本专利技术还提出了一种pcb，包括一种屏蔽晶振电磁干扰的装置。
17、
技术实现思路
中提供的效果仅仅是实施例的效果，而不是专利技术所有的全部效果，上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果：
18、本技术提出了一种屏蔽晶振电磁干扰的装置和一种pcb，该装置包括目标晶振、屏蔽层和屏蔽单元；目标晶振位于屏蔽层的上表面，且屏蔽层的面积大于目标晶振的面积；屏蔽层的下表面黏合在印刷电路板上；目标晶振的引脚连接屏蔽单元。所述所述晶振的面积为晶振与外围电路一起组成的总面积；所述屏蔽层的面积相对于所述总面积周围均向外扩1cm。本技术还提出了一种pcb，包括一种屏蔽晶振电磁干扰的装置。本技术中设置屏蔽层，屏蔽层的范围挡不住太多pcb空间，屏蔽层穿过晶振下方可减少对于pcb内部的干扰，且屏蔽层不需要额外的固定，且屏蔽层使用不导电屏蔽材料可以使其在使用上不干扰引脚与pcb焊接的信号。
19、本技术提出的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置中，屏蔽层还有屏蔽单元，通过电容和电阻线路中的应用，有效降低电磁对印刷电路板的干扰。晶振在运行时会产生电磁波，对周围电路产生干扰，本申请可以屏蔽晶振对周围线路的干扰。晶振的干扰也可能对其输入的电路产生影响，例如cpu等，本申请可以减少对输入电路的影响。晶振可能因为外界信号的介入，例如无线电频段的干扰等，导致异常震荡，本申请可以减少干扰导致的异常震荡。晶振产生的电磁波会对外部环境产生辐射，影响其它电路的运行，本申请可以减少对外部环境的干扰，以及晶振干扰会对系统的稳定性产生影响，本申请可以增加系统的稳定性。
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1.一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，包括：目标晶振、屏蔽层和屏蔽单元；
2.根据权利要求1所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，包括：所述屏蔽层为由屏蔽电磁且不导电的材料制成的屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述晶振的面积为晶振与外围电路一起组成的总面积；
4.根据权利要求3所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为0.1mm。
5.根据权利要求1所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述屏蔽单元包括电阻R1、电容C1和电容C2；
6.根据权利要求1所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述屏蔽单元的GND2引脚和GND4引脚均接地。
7.根据权利要求5所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述电阻R1的阻值为10MΩ。
8.根据权利要求5所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述电容C1的大小为10PF。
9.根据权利要求5所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述
10.一种PCB，其特征在于，包括权利要求1至9任意一项所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置。
...【技术特征摘要】
1.一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，包括：目标晶振、屏蔽层和屏蔽单元；
2.根据权利要求1所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，包括：所述屏蔽层为由屏蔽电磁且不导电的材料制成的屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述晶振的面积为晶振与外围电路一起组成的总面积；
4.根据权利要求3所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述屏蔽层的厚度为0.1mm。
5.根据权利要求1所述的一种屏蔽晶振电磁干扰的装置，其特征在于，所述屏蔽单元包括电阻r1、电容c1和电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄亭钧，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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