声表面波谐振器、滤波器、通讯设备制造技术

本申请实施例提供一种声表面波谐振器、滤波器和通讯设备，涉及谐振器技术领域，可以使得声表面波谐振器实现平坦的慢度曲线。该声表面波谐振器可以包括：基底、压电层和电极，压电层设置在基底上，电极设置在压电层的远离基底的一侧；其中，基底的材料为四方晶系材料；由压电层的材料和电极的材料合成的第一慢度曲线，与四方晶系材料的第二慢度曲线，在该声表面波谐振器的波传播方向上的凹凸特性相反。这样的话，通过特性相反的慢度曲线的相互抵消，可以使得最终的谐振器在波传播方向上的慢度曲线平坦，以抑制横向模态。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及谐振器，尤其涉及一种声表面波谐振器、具有声表面波谐振器的滤波器，以及包含声表面波滤波器的通讯设备。

技术介绍

1、随着通讯技术的发展，智能手机等通讯设备所需要的谐振器的用量将显著上升。其中，广泛被应用的是声表面波谐振器(surface acoustic wave，saw)。声表面波谐振器saw是利用压电效应实现电-声-电换能，具有结构尺寸小等优点，另外，通过声表面波谐振器saw的串并联可以实现具有低插损、高矩形系数的射频滤波器。

2、在声表面波谐振器saw中，横向模态或其它杂散模态的存在，会降低品质因数(也可以叫q因数)，并且可能会影响滤波器带内平坦度，即降低滤波器的工作性能。

3、所以，设计一种可以抑制横向模态，提升品质因数的声表面波谐振器，是本领域技术人员目前需要攻克的难题。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供一种声表面波谐振器、滤波器和通讯设备。提供可以实现平坦的慢度曲线的声表面波谐振器，从而抑制该声表面波谐振器产生横向模态，以提升该谐振器的品质因数。

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【技术保护点】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料的温度特性与所述压电层的材料的温度特性相反。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料的声波传播速度大于所述压电层的材料的声波传播速度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料包括四硼酸锂、石英、氧化碲中的至少一种。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括介质层，所述介质层设置在所述基底和所述压电层之间。...

【技术特征摘要】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料的温度特性与所述压电层的材料的温度特性相反。

3.根据权利要求1或2所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料的声波传播速度大于所述压电层的材料的声波传播速度。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述四方晶系材料包括四硼酸锂、石英、氧化碲中的至少一种。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括介质层，所述介质层设置在所述基底和所述压电层之间。

6.根据权利要求5所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述电极包括多个第一电极和多个第二电极，所述多个第一电极和所述多个第二电极以周期p1呈交替排布；

7.根据权利要求6所述的声表面波谐振器，其特征在于，t＝kp1，所述k的取值范围为：0.1≤k≤0.5。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的声...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍景富，何艺雯，黄裕霖，李昕熠，高宗智，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：