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降低单晶硅棒不合格率的装置及方法制造方法及图纸

技术编号:40046601 阅读:11 留言:0更新日期:2024-01-16 20:33
本发明专利技术公开了一种降低单晶硅棒不合格率的装置及方法。该装置包括:测量模块,用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值;判断模块,用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系;确定模块,用于确定目标硅棒的实际拉制棒长。本发明专利技术的装置及方法可以根据目标硅棒前一根尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度,从而减少不合格长度的硅棒的产出,进而降低单晶硅棒的不合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种降低单晶硅棒不合格率的装置及方法


技术介绍

1、近年来,市场上硅系列太阳能电池中属单晶硅太阳能电池转换效率最高。高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅片基础上的。因此,如何降低单晶硅棒不合格率从而保证硅片质量,是相关企业和单位长期研究关注的方向。

2、主流的单晶硅棒生产工艺主要为连续直拉法工艺,生长过程包括原生多晶硅料的熔料、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等一系列工序。

3、目前,相关企业和单位一般依靠原料品质的优化以提高少子寿命来实现降低单晶硅棒不合格率。但是,由于原料本身品质的不稳定性及试验周期长,当出现少子寿命不满足合格品要求的情况时,不能及时进行干预解决,而造成不合格品的产生。

4、因此,亟需提供一种在生产过程中可以降低单晶硅棒不合格率的装置及方法。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术的一个目的在于提供一种降低单晶硅棒不合格率的装置。其可以根据目标硅棒前一根尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度,从而减少不合格长度的硅棒的产出,进而降低单晶硅棒的不合格率,其可以用于生产过程中。本专利技术的另一个目的在于提供一种降低单晶硅棒不合格率的方法。

2、本专利技术采用如下技术方案实现上述目的。

3、一方面,本专利技术提供一种降低单晶硅棒不合格率的装置,包括:

4、测量模块,用于测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值;

5、判断模块,用于判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系;

6、确定模块,用于确定目标硅棒的实际拉制棒长;其中,

7、当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时,确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长;

8、当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,确定目标硅棒的实际拉制棒长=标准棒长-不合格长度的预测值。这样可以根据目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值调整目标硅棒的实际拉制长度,从而可以减少不合格长度的硅棒的产出。

9、在本专利技术中,少子寿命合格值下限可以采用本领域已知的。

10、在本专利技术中,标准棒长为正常满埚料炉台按正常生产工艺参数设定的留埚率所拉制单晶硅棒的长度。

11、根据本专利技术所述的装置,优选地,还包括预测模块;

12、当目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值,得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值,以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。

13、根据本专利技术所述的装置,优选地,所述测量模块还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值;以及所述测量模块还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命,分别得到它们的实测值。这样,即可以得到:与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值,并计算出这些处于同根数的单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值,该均值记为a1;以及可以得到:与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的硅棒的前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值,并计算出这些处于前一根的单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值,该均值记为a2。一般地,a1<a2,所以,a1和a2之间会有一个降幅,即这两个均值的降幅=(a2-a1)/a2*100%。

14、还可以得到:与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值,并计算出这些处于同根数的单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值,该均值记为a3;以及可以得到:与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数的硅棒的前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值,并计算出这些处于前一根的单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值,该均值记为a4。一般地,a3<a4,所以,a3和a4之间会有一个降幅,即这两个均值的降幅=(a4-a3)/a4*100%。

15、根据本专利技术所述的装置,优选地,目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定;目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅计算确定。

16、另一方面,本专利技术还提供一种采用如上所述的装置降低单晶硅棒不合格率的方法,包括如下步骤:

17、s101,所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值;

18、s102,所述判断模块判断目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值与少子寿命合格值下限的大小关系;

19、s103,当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值大于等于少子寿命合格值下限时,所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长为标准棒长;

20、或,当判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,所述确定模块确定目标硅棒的实际拉制棒长=标准棒长-不合格长度的预测值。

21、根据本专利技术所述的方法,优选地,当所述判断模块判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,还包括如下步骤:

22、s102’,所述预测模块预测目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命值和尾部少子寿命值,得到目标硅棒头部少子寿命预测值和目标硅棒尾部少子寿命预测值,以及得到目标硅棒的不合格长度的预测值。

23、根据本专利技术所述的方法,优选地,s101中,还包括:所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。

24、根据本专利技术所述的方法,优选地,s101中,还包括:所述测量模块测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命,分别得到它们的实测值。

25、根据本专利技术所述的方法,优选地,s102’中,目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定。

26、其中,将目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值记为ts,将与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅记为a%,则目标硅棒头部少子寿命预本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种降低单晶硅棒不合格率的装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括预测模块;

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述测量模块还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值;以及所述测量模块还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命,分别得到它们的实测值。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于:

5.采用如权利要求2~4任一项所述的装置降低单晶硅棒不合格率的方法,其特征在于,包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,当所述判断模块判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,还包括如下步骤:

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,S101中,还包括:所述测量模块测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,S101中,还包括:所述测量模块测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命,分别得到它们的实测值。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,S102’中,目标硅棒在标准棒长时的头部少子寿命预测值由与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值计算确定。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,S102’中,目标硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命预测值由包括与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的尾部少子寿命实测值的均值的降幅和目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值计算确定。

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【技术特征摘要】

1.一种降低单晶硅棒不合格率的装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括预测模块;

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述测量模块还用于测量目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命,得到目标硅棒前一根硅棒头部少子寿命实测值;以及所述测量模块还用于测量与目标硅棒所在同产线、并与目标硅棒处于同根数及处于前一根的所有单晶硅棒在标准棒长时的头部少子寿命和尾部少子寿命,分别得到它们的实测值。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于:

5.采用如权利要求2~4任一项所述的装置降低单晶硅棒不合格率的方法,其特征在于,包括如下步骤:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,当所述判断模块判断出目标硅棒前一根硅棒尾部少子寿命实测值小于少子寿命合格值下限时,还包括如下步骤:

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,s101中,还包括:所述测量模块测量目标...

【专利技术属性】
技术研发人员:张永亮张美玲刘利国
申请(专利权)人:双良硅材料包头有限公司
类型:发明
国别省市:

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