【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光电探测器领域，尤其涉及一种光电探测器及单光子探测系统。
技术介绍
1、目前，雪崩二极管可实现单光子级别微弱光信号探测，多应用于飞行时间探测及可见光成像等光电探测器设备中。雪崩二极管的光子探测效率是影响光电探测器性能的重要因素，雪崩二极管的光子探测效率的高低主要与雪崩二极管的暗计数有关。
2、通常，光电探测器包括多个雪崩二极管，任意两个相邻的雪崩二极管由沟槽隔离结构隔开。由于制作沟槽隔离结构的工艺导致沟槽隔离结构附近的半导体材料会产生大量的晶格缺陷，导致雪崩二极管探测过程中的暗计数增加，降低雪崩二极管的光子探测效率；并且，由于雪崩二极管边缘远离雪崩区，边缘处产生的光生载流子难以漂移至雪崩区，导致雪崩二极管的时间抖动大，雪崩二极管的光子探测效率有限，影响雪崩二极管用于探测距离时的精度和探测距离的范围。
技术实现思路
1、本申请的实施例提供一种光电探测器及单光子探测系统，能够实现减小单光子雪崩二极管的尺寸的同时提高单光子雪崩二极管的光子探测效率和降低雪崩二极管的时间抖动，...
【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底包括：
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述第一沟槽隔离结构为网格结构；沿所述衬底的厚度方向，所述第一沟槽隔离结构贯穿所述第一导电层，将所述多个第一导电图案隔开；其中，每个第一导电图案在所述半导体层上的正投影覆盖一个第二导电图案；
4.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向，所述第一沟槽隔离结构的至少部分伸入所述半导体层。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第一沟槽隔...
【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述衬底包括：
3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述第一沟槽隔离结构为网格结构；沿所述衬底的厚度方向，所述第一沟槽隔离结构贯穿所述第一导电层，将所述多个第一导电图案隔开；其中，每个第一导电图案在所述半导体层上的正投影覆盖一个第二导电图案；
4.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，沿所述衬底的厚度方向，所述第一沟槽隔离结构的至少部分伸入所述半导体层。
5.根据权利要求4所述的光电探测器，其特征在于，所述第一沟槽隔离结构沿所述衬底的厚度方向的尺寸小于所述衬底的厚度。
6.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，还包括第二电极层，所述第二电极层设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐凯敏，彭彧，苏星，沈林杰，
申请(专利权)人：杭州海康威视数字技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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