【技术实现步骤摘要】
本申请涉及集成电路，尤其涉及一种集成电路、数据处理系统和车辆。
技术介绍
1、如微控制单元（mcu）和片上系统（soc）等芯片通常会集成非易失性存储器(non-volatile memory，nvm)，用于存储掉电后需要保持的数据。传统的芯片中通常采用闪存（flash）工艺来实现nvm，flash存储器成本低、存储密度大且稳定性较好。
2、但是，随着摩尔定律的发展，特别是在28nm之后的先进工艺节点flash生产变得极其的困难。目前业界主流的芯片代工厂的flash工艺均停留在了28nm工艺节点，并宣布不再研发28nm以下的flash工艺。如果选择在芯片内部集成flash，会导致芯片无法采用更先进制程，进而会导致芯片失去先进制程所带来的性能和成本优势。
3、新一代的nvm技术可以采用更先进的制程进行设计，使得芯片能够采用更先进的制程进行设计，且相较于flash新一代的nvm具有更高的读写速度，更长的寿命，更低的功耗等优点。但是，新一代的nvm技术仍处于发展期，稳定性有待提升。
技术实现思
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1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述目标数据包括多个第一数据单元，所述第一校验信息包括多个第一纠错码，多个所述第一纠错码与多个所述第一数据单元一一对应；所述第一差错检测电路具体用于：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一差错检测电路还用于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的集成电路，其特征在于，所述目标数据包括多个第二数据单元；所述第一校验信息包括多个第一检错码，多个所述第一检错码与多个所述第二数据单元一一对应；所述第一差错检测电路具体用于：
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述目标数据包括多个第一数据单元，所述第一校验信息包括多个第一纠错码，多个所述第一纠错码与多个所述第一数据单元一一对应；所述第一差错检测电路具体用于：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，所述第一差错检测电路还用于：
4.根据权利要求1至3任一项所述的集成电路，其特征在于，所述目标数据包括多个第二数据单元；所述第一校验信息包括多个第一检错码，多个所述第一检错码与多个所述第二数据单元一一对应；所述第一差错检测电路具体用于：
5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述片内存储电路具有与所述目标数据相对应第一片内地址空间、与所述第一校验信息相对应的第二片内地址空间，以及不同于所述第一片内地址空间和所述第二片内地址空间的第三片内地址空间；
6.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一差错检测电路还用于：
7.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述存储控制电路包括：
8.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述目标数据包括一个或多个第一数据块，所述片外存储器还用于存储所述目标数据的第二校验信息，所述第二校验信息包括与所述第一数据块一一对应的第一校验码；
9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述交叉检测电路具体用于：
10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述第一差错检测电路具体用于：
11.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述片外存储器还用于存储所述目标数据的第二校验信息；所述集成电路还包括第二差错检测电路，所述第二差错检测电路用于：
12.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：张力航，孙鸣乐，
申请(专利权)人：上海励驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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