【技术实现步骤摘要】
本申请涉及数据处理，具体涉及一种电源箝位电路、io接口及集成电路芯片。
技术介绍
1、对集成电路来说，静电放电(esd，electro-static discharge)现象往往会给芯片造成不可逆的危害，导致芯片失去使用价值。因此，集成电路芯片的静电防护设计是保证芯片可靠性的一个关键环节。
2、esd防护的原理就是在静电冲击来临时，为静电电荷提供一条低阻路径，使静电电荷从预设的低阻路径泄放，从而避免内部电路受到静电的损害。随着单颗芯片的功能越来越复杂，芯片所需的io数量也越来越多，为了保证芯片的esd能力，分布在io环中的电源箝位模块也变得越来越多。理想的电源箝位模块既要保证芯片在遭受esd电流冲击的时候及时开启泄放晶体管泄放掉esd电流，从而保护内部电路，也要保证当芯片正常工作的时候，关闭泄放晶体管。
3、当电源出现毛刺时，现有技术中的一种电源箝位电路，无法识别是毛刺，而误认为是esd，导致误泄放。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种电源箝位电路、io接口及集成电路芯片，电源出现毛刺时可以防止泄放晶体管误触发。
2、本申请提供一种电源钳位电路，包括：第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管、第二nmos管、rc支路和电源上电复位模块；
3、所述rc支路包括串联的电阻和电容，所述rc支路连接在电源和地之间；
4、所述第一pmos管的源极连接所述电源，所述第一pmos管的漏极连接所述第二pmos管的源极，所述第
5、所述第一nmos管的栅极连接所述第二pmos管的漏极，所述第一nmos管的漏极连接所述电源，所述第一nmos管的源极接地；
6、所述第二pmos管的栅极和所述第二nmos管的栅极均连接所述电阻和电容的公共端；
7、所述第一pmos管的栅极连接所述电源上电复位模块；
8、所述电源上电复位模块，用于根据所述电源的电压输出复位信号，所述复位信号与所述电源的电压同步。
9、优选地，所述电源上电复位模块包括：第三nmos管、第四nmos管和第五nmos管；
10、所述第三nmos管的漏极通过第二电阻连接所述电源，所述第三nmos管的源极连接所述第四nmos管的漏极，所述第四nmos管的源极通过第三电阻接地；所述第三nmos管的栅极和所述第四nmos管的栅极均接地；
11、所述第五nmos管的漏极通过第四电阻连接所述电源，所述第五nmos管的源极接地；
12、所述第五nmos管的漏极作为所述电源上电复位模块的输出端。
13、优选地，所述电源上电复位模块还包括：反相器；
14、所述反相器的输入端连接所述第五nmos管的漏极，所述反相器的输出端作为所述电源上电复位模块的输出端连接所述第一pmos管的栅极。
15、优选地，所述电源上电复位模块还包括：第二电容；
16、所述第二电容的第一端和第二端分别连接所述第五nmos管的漏极和源极。
17、优选地，所述电源上电未完成前，所述反相器输出保持低电平，当所述电源上电完成后，所述反相器输出高电平。
18、优选地，所述电源出现毛刺时，所述第一nmos管关断。
19、本申请还提供一种io接口，包括以上介绍的电源钳位电路。
20、本申请还提供一种集成电路芯片，包括以上介绍的电源钳位电路。
21、优选地，所述芯片为电子设备终端中的sim卡芯片。
22、优选地，所述芯片为金融卡中的芯片。
23、由此可见，本申请具有如下有益效果：
24、本申请实施例提供的温度采集电路，为了防止误触发，相较于现有技术的电源钳位电路，在泄放晶体管开启通路上引入电源上电复位信号，将复位信号连接到第一pmos管的栅极。第一pmos管和第二pmos管构成泄放晶体管开启通路，用于在esd脉冲来临时，根据esd脉冲检测单元给出的识别信号来打开泄放晶体管，在电源出现毛刺时，保持关断状态；第二nmos管构成泄放晶体管关断通路，用于在泄放晶体管开启通路将泄放晶体管打开以后，为泄放晶体管的开启状态提供足够的时间延迟后，将泄放晶体管关断。由于电源上电复位模块的输出端在vcc上电出现微小毛刺时可以保持高电平，即第一pmos管的栅极始终保持高电平，则第一nmos管的栅极不会被拉高，第一nmos管就不会开启产生vcc到gnd的漏电流。因此，在电源出现毛刺时，不会造成误泄放。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电源钳位电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、RC支路和电源上电复位模块；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块包括：第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块还包括：反相器；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块还包括：第二电容；
5.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述电源上电未完成前，所述反相器输出保持低电平，当所述电源上电完成后，所述反相器输出高电平。
6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述电源出现毛刺时，所述第一NMOS管关断。
7.一种IO接口，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的电源钳位电路。
8.一种集成电路芯片，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的电源钳位电路。
9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述芯片为电子设备终端中SIM卡芯片。
10.
...【技术特征摘要】
1.一种电源钳位电路，其特征在于，包括：第一pmos管、第二pmos管、第一nmos管、第二nmos管、rc支路和电源上电复位模块；
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块包括：第三nmos管、第四nmos管和第五nmos管；
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块还包括：反相器；
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电源上电复位模块还包括：第二电容；
5.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述电源上电未完成前，...
【专利技术属性】
技术研发人员：田雯，余天宇，朱永成，
申请(专利权)人：紫光同芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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