【技术实现步骤摘要】
本公开涉及通过蒸汽处理强化的玻璃基制品，用于形成玻璃基制品的无碱玻璃组合物，以及蒸汽处理以强化玻璃基制品的方法。
技术介绍
1、便携式电子设备，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备(例如手表和健身追踪器)，不断变得更小和更复杂。因此，通常用于这种便携式电子设备的至少一个外表面上的材料也不断变得更复杂。例如，随着便携式电子设备变得更小和更薄以满足消费者需求，在这些便携式电子设备中使用的显示屏盖和外壳也变得更小和更薄，这导致对用于形成这些部件的材料的更高性能要求。
2、因此，需要具有更高性能(例如抗损坏性)以及制造成本低且方便的材料，以用于便携式电子装置中。
技术实现思路
1、在方面(1)中，提供了一种玻璃基制品。所述玻璃基制品包含：从所述玻璃基制品的表面延伸至层深度的含氢层，其中所述含氢层的氢浓度从最大氢浓度至所述层深度降低；从所述玻璃基制品的表面延伸至压缩深度的压缩应力层，其中所述压缩应力层包含大于或等于10mpa的压缩应力；以及在玻璃基制品中心处的组合物，其包含：
2、大于或等于55mol％至小于或等于70mol％的sio2，
3、大于或等于3mol％至小于或等于17mol％的al2o3，
4、大于或等于3mol％至小于或等于15mol％的p2o5，
5、大于或等于1mol％至小于或等于7mol％的li2o，和
6、大于或等于5mol％至小于或等于20mol％的k2o。
7、在方面(2)中，提供了方
8、在方面(3)中，提供了方面(1)或(2)所述的玻璃基制品，其中在所述玻璃基制品中心处的所述组合物进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的sno2。
9、在方面(4)中，提供了方面(1)-(3)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述压缩应力层包含大于或等于50mpa的压缩应力。
10、在方面(5)中，提供了方面(1)-(4)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述压缩应力层包含大于或等于300mpa的压缩应力。
11、在方面(6)中，提供了方面(1)-(5)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述压缩深度大于或等于5μm。
12、在方面(7)中，提供了方面(1)-(6)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述压缩应力层包含大于或等于300mpa的压缩应力，并且所述压缩深度大于或等于40μm。
13、在方面(8)中，提供了方面(1)-(7)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述压缩深度大于或等于100μm。
14、在方面(9)中，提供了方面(1)-(8)中任一项所述的玻璃基制品，其中具有与所述制品中心处的所述组合物等同的组合物的玻璃具有小于或等于1715℃的200p温度。
15、在方面(10)中，提供了方面(1)-(9)中任一项所述的玻璃基制品，其中具有与所述制品中心处的所述组合物等同的组合物的玻璃具有大于或等于10kp的液相线粘度。
16、在方面(11)中，提供了方面(1)-(10)中任一项所述的玻璃基制品，其中具有与所述制品中心处的所述组合物等同的组合物的玻璃的具有大于或等于50gpa的杨氏模量。
17、在方面(12)中，提供了方面(1)-(11)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述玻璃基制品具有小于或等于2mm的厚度。
18、在方面(13)中，提供了方面(1)-(12)中任一项所述的玻璃基制品，其中所述玻璃基制品具有基本上无雾度的外观。
19、在方面(14)中，提供了一种消费电子产品。所述消费电子产品包含：外壳，所述外壳包含前表面、后表面和侧表面；电气(electrical)组件，其至少部分地位于所述外壳内，所述电气组件至少包含控制器、存储器和显示器，所述显示器位于或毗邻所述外壳的前表面；和覆盖基材，其设置在所述显示器上方。所述外壳和所述覆盖基材的至少之一的至少一部分包含方面(1)-(13)中任一项所述的玻璃基制品。
20、在方面(15)中，提供了一种玻璃。所述玻璃包含：
21、大于或等于55mol％至小于或等于70mol％的sio2，
22、大于或等于3mol％至小于或等于17mol％的al2o3，
23、大于或等于3mol％至小于或等于15mol％的p2o5，
24、大于或等于1mol％至小于或等于7mol％的li2o，
25、和大于或等于5mol％至小于或等于20mol％的k2o。
26、在方面(16)中，提供了方面(15)所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的na2o。
27、在方面(17)中，提供了方面(15)或(16)所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的sno2。
28、在方面(18)中，提供了方面(15)-(17)中任一项所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200p温度。
29、在方面(19)中，提供了方面(15)-(18)中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于10kp的液相线粘度。
30、在方面(20)中，提供了方面(15)-(19)中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于50gpa的杨氏模量。
31、在方面(21)中，提供了一种方法。所述方法包括：将玻璃基基材暴露于温度大于或等于200℃和压力小于该温度下的水蒸气饱和压力的环境，以形成具有从所述玻璃基制品的表面延伸至压缩深度的压缩应力层和从所述玻璃基制品的表面延伸至层深度的含氢层的玻璃基制品。所述压缩应力层包含大于或等于10mpa的压缩应力，所述含氢层的氢浓度从最大氢浓度至所述层深度降低。
32、在方面(22)中，提供了方面(21)所述的方法，其中所述玻璃基制品具有基本上无雾度的外观。
33、在方面(23)中，提供了方面(21)或(22)所述的方法，其进一步包括将所述玻璃基制品暴露于压力大于或等于1.0mpa和温度大于或等于150℃的饱和蒸汽环境。
34、在方面(24)中，提供了方面(21)-(23)中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含：
35、大于或等于55mol％至小于或等于70mol％的sio2，
36、大于或等于3mol％至小于或等于17mol％的al2o3，
37、大于或等于3mol％至小于或等于15mol％的p2o5，
38、大于或等于1mol％至小于或等于7mol％的li2o，和
39、大于或等于5mol％至小于或等于20mol％的k2o。
40、在方面(25)中，提供了方面(21)-(24)中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含大于或等于0mol％至小于或等于1mo本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种消费电子产品，其包含：
2.一种玻璃，其包含：
3.根据权利要求2所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的Na2O。
4.根据权利要求2或3所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的SnO2。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200P温度。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于10kP的液相线粘度。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于50GPa的杨氏模量。
8.一种方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述玻璃基制品具有基本上无雾度的外观。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其进一步包括将所述玻璃基制品暴露于压力大于或等于1.0MPa和温度大于或等于150℃的饱和蒸汽环境。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含：
12.根据权利要求8-11中任一项所述的方法
13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的SnO2。
14.根据权利要求8-13中任一项所述的方法，其中所述压缩应力层包含大于或等于50MPa的压缩应力。
15.根据权利要求8-14中任一项所述的方法，其中所述压缩应力层包含大于或等于300MPa的压缩应力。
16.根据权利要求8-15中任一项所述的方法，其中所述压缩深度大于或等于5μm。
17.根据权利要求8-16中任一项所述的方法，其中所述压缩深度大于或等于100μm。
18.根据权利要求8-17中任一项所述的方法，其中所述玻璃基制品不经历使用碱离子源的离子交换处理。
19.一种用于通过蒸汽处理强化的玻璃，所述玻璃包含：
20.根据权利要求19所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的Na2O。
21.根据权利要求19所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的SnO2。
22.根据权利要求19所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200P温度。
23.根据权利要求19所述的玻璃，其包含大于或等于10kP的液相线粘度。
24.根据权利要求19所述的玻璃，其包含大于或等于50GPa的杨氏模量。
25.一种用于通过蒸汽处理强化的玻璃，所述玻璃包含：
26.根据权利要求25所述的玻璃，其包含大于或等于59mol％至小于或等于63mol％的SiO2。
27.根据权利要求25所述的玻璃，其包含大于或等于9mol％至小于或等于14mol％的Al2O3。
28.根据权利要求25所述的玻璃，其进一步包含正数量的Na2O。
29.一种用于通过蒸汽处理强化的玻璃，所述玻璃包含：
30.根据权利要求29所述的玻璃，其包含小于或等于1mol％的Na2O。
31.根据权利要求29所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的SnO2。
32.根据权利要求29所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200P温度。
33.根据权利要求29所述的玻璃，其包含大于或等于10kP的液相线粘度。
34.根据权利要求29所述的玻璃，其包含大于或等于50GPa的杨氏模量。
35.一种通过蒸汽处理强化的玻璃板，其包含：
36.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述氢物质为H3O+、H2O和/或H+。
37.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板没有来自通过熔融盐浴产生的离子交换的压缩应力。
38.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板没有使用碱离子源的离子交换。
39.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板没有来自热回火的压缩应力。
40.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板没有来自层压的压缩应力。
41.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板外观透明并且基本上无雾度。
42.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述玻璃板的最大氢浓度在所述表面处。
43.根据权利要求35所述的玻璃板，其中所述压缩应力从最大应力...
【技术特征摘要】
1.一种消费电子产品，其包含：
2.一种玻璃，其包含：
3.根据权利要求2所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的na2o。
4.根据权利要求2或3所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的sno2。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200p温度。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于10kp的液相线粘度。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的玻璃，其包含大于或等于50gpa的杨氏模量。
8.一种方法，其包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述玻璃基制品具有基本上无雾度的外观。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其进一步包括将所述玻璃基制品暴露于压力大于或等于1.0mpa和温度大于或等于150℃的饱和蒸汽环境。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含：
12.根据权利要求8-11中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的na2o。
13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其中所述玻璃基基材包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的sno2。
14.根据权利要求8-13中任一项所述的方法，其中所述压缩应力层包含大于或等于50mpa的压缩应力。
15.根据权利要求8-14中任一项所述的方法，其中所述压缩应力层包含大于或等于300mpa的压缩应力。
16.根据权利要求8-15中任一项所述的方法，其中所述压缩深度大于或等于5μm。
17.根据权利要求8-16中任一项所述的方法，其中所述压缩深度大于或等于100μm。
18.根据权利要求8-17中任一项所述的方法，其中所述玻璃基制品不经历使用碱离子源的离子交换处理。
19.一种用于通过蒸汽处理强化的玻璃，所述玻璃包含：
20.根据权利要求19所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于1mol％的na2o。
21.根据权利要求19所述的玻璃，其进一步包含大于或等于0mol％至小于或等于0.5mol％的sno2。
22.根据权利要求19所述的玻璃，其包含小于或等于1715℃的200p温度。
23.根据权利要求19所述的玻璃，其包含大于或等于10kp的液相线粘度。
24.根据权利要求19所述的玻璃，其包含大于或等于50gpa的杨氏模量。
25.一种用于通过蒸汽处理强化的玻璃，所述玻璃包含：
26.根据权利要求25所述的玻璃，其包含大于或等于59mol％至小于...
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