压感传感芯片、压感传感器及电子设备制造技术

技术编号:40025443 阅读:23 留言:0更新日期:2024-01-16 17:25
本申请实施例公开一种压感传感芯片、压感传感器及电子设备,涉及传感器技术领域。该压感传感芯片包括基座、感应组件、第一止挡组件和第二止挡组件。感应组件包括悬臂。第一止挡组件包括第一止挡部和第一止挡块。第一止挡部和悬臂连接,第一止挡块与基座连接。第一止挡部间隔设置于第一止挡块上方,且两者部分交叠。第二止挡组件包括第二止挡部和第二止挡块。第二止挡部与基座连接,第二止挡块与悬臂连接。第二止挡块的凸出部凸出于悬臂。第二止挡部间隔设置于凸出部上方,且两者部分交叠。第一止挡组件和第二止挡组件限制悬臂沿第一方向的运动范围,避免悬臂大幅度运动,提高压感传感芯片对沿第一方向(Z向)的冲击抗性及压感传感芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及传感器,尤其涉及一种压电或压阻传感芯片(本申请实施例统称为压感传感芯片),压电或压阻传感器(本申请实施例统称为压感传感器)及电子设备。


技术介绍

1、随着电子设备的功能越来越丰富,加速度计/加速度传感器(accelerometer,acc)在电子设备中的应用越来越广泛。微机电系统(micro-electromechanical systems,mems)加速度传感器是加速度传感器的一种形态。该mems加速度传感器可以在硅基底上利用微加工工艺,将加速度传感器的尺寸限制在毫米甚至微米级别,从而为微型加速度传感器在终端设备中的应用提供可行的实现路径。

2、mems acc包括电容式mems acc、压电或压阻式(本申请实施例统称为压感式)memsacc等。压感式mems acc可以设计成多个传感方向,在压感式mems加速度传感器受到沿z方向的冲击较大时,其内部结构容易产生断裂或撕裂,从而导致压感式mems加速度传感器失效。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种压感传感芯片、压感传感器及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压感传感芯片,其特征在于,所述压感传感芯片包括:

2.根据权利要求1所述的压感传感芯片,其特征在于,所述基座包括层叠设置的支撑层、至少一层隔离层和功能层;

3.根据权利要求1所述的压感传感芯片,其特征在于,所述基座包括层叠设置的支撑层、多层隔离层和功能层;

4.根据权利要求2或3所述的压感传感芯片,其特征在于,在向所述参考平面上的正投影中,所述第二止挡部凸出于所述功能层。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的压感传感芯片,其特征在于,所述功能层的一部分构成所述第二止挡部;

6.根据权利要求2~5中任一项所述的压感传感芯片...

【技术特征摘要】

1.一种压感传感芯片,其特征在于,所述压感传感芯片包括:

2.根据权利要求1所述的压感传感芯片,其特征在于,所述基座包括层叠设置的支撑层、至少一层隔离层和功能层;

3.根据权利要求1所述的压感传感芯片,其特征在于,所述基座包括层叠设置的支撑层、多层隔离层和功能层;

4.根据权利要求2或3所述的压感传感芯片,其特征在于,在向所述参考平面上的正投影中,所述第二止挡部凸出于所述功能层。

5.根据权利要求2~4中任一项所述的压感传感芯片,其特征在于,所述功能层的一部分构成所述第二止挡部;

6.根据权利要求2~5中任一项所述的压感传感芯片,其特征在于,所述悬臂的一部分构成所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:邢增平
申请(专利权)人:华为技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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