抗EGFR抗体的放射性复合物和放射性药物制造技术

本发明专利技术的课题在于，提供与以往相比稳定性得以提高而不损害药效的复合物。本发明专利技术的复合物是位点特异性地用肽修饰的抗EGFR抗体与螯合剂的复合物，放射性金属同位素螯合于螯合剂，肽与螯合剂经由接头(L)连接，接头(L)不含硫脲键。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及抗egfr抗体的放射性复合物和放射性药物。

技术介绍

1、egfr(epidermal growth factor receptor：表皮生长因子受体)是识别对细胞的增殖、生长加以控制的生长因子并进行信号传导的酪氨酸激酶型受体，其是分子量约为170kda的跨膜蛋白质。也被称为her1、erbb1。

2、作为抗egfr抗体，已知有西妥昔单抗(cetuximab)。西妥昔单抗是阻碍egfr发挥作用的单克隆抗体，其被用作抗癌剂，且是狙击与癌症的增殖等有关的特定分子的分子靶向治疗药之一。

3、已知西妥昔单抗是在已经上市的adc(antibody drug conjugate(抗体药物复合物))中使用的抗体。作为使用西妥昔单抗的adc，有经由接头在抗体上共价键合有化疗药、作为光敏性物质的有效载荷(药物)的药剂。

4、抗体药物的靶向选择性高且副作用较少，另一方面，药效有时不充分。作为有效载荷之一的化疗药具有强力的药效，但靶向选择性低，因此，杀灭癌细胞所需的最小有效量高，另一方面，从毒性的观点出发不太能提高用量，因此，最本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.复合物，其是位点特异性地用肽修饰的抗EGFR抗体与螯合剂的复合物，

2.根据权利要求1所述的复合物，其中，所述螯合剂为DOTAGA(α-(2-羧乙基)-1,4,7,10-四氮杂环十二烷-1,4,7,10-四乙酸)。

3.根据权利要求1或2所述的复合物，其中，所述肽为下述式所示的由13～17个氨基酸残基构成的氨基酸序列，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的复合物，其中，所述放射性金属同位素为Ac-225、Y-90、Lu-177或Zr-89。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的复合物，其中，所述接头(L)包含式(10a)、式(10b)或...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.复合物，其是位点特异性地用肽修饰的抗egfr抗体与螯合剂的复合物，

2.根据权利要求1所述的复合物，其中，所述螯合剂为dotaga(α-(2-羧乙基)-1,4,7,10-四氮杂环十二烷-1,4,7,10-四乙酸)。

3.根据权利要求1或2所述的复合物，其中，所述肽为下述式所示的由13～17个氨基酸残基构成的氨基酸序列，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的复合物，其中，所述放射性金属同位素为ac-225、y-90、lu-177或zr-89。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的复合物，其中，所述接头(l)包含式(10a)、式(10b)或式(10c)，

6.根据权利要求5所述的复合物，其中，在与所述肽的连接部位和所述肽之间包含聚乙二醇基。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的复合物，其中，通过使抗egfr抗体与下述式所示...

【专利技术属性】
技术研发人员：河谷稔，花田贵寿，殿谷豪太，武田拓也，
申请(专利权)人：日本医事物理股份有限公司，
类型：发明
国别省市：