一种具有快速瞬态响应的LDO电路制造技术

本发明专利技术公开了一种具有快速瞬态响应的LDO电路。该快速瞬态响应LDO电路包括：误差放大器、缓冲器、功率管、主反馈环路、第一自适应偏置环路和第二自适应偏置环路。所述误差放大器包括MOS管M1、M1N、M4、M4N、电压翻转跟随器和非线性电流镜电路，所述缓冲器由栅漏短接的MOS管Mb构成，所述功率管由MOS管Mp构成，所述的主反馈环路包括反馈电阻Rf1、Rf2、误差放大器和功率管电路；所述的自适应偏置环路1包括误差放大器和电流镜电路；所述自适应偏置环路2包括非线性电流镜、MOS管M4、M4N和电流镜电路。本LDO电路具有两个自适应偏置环路，极大地提高了LDO的瞬态响应指标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电源管理芯片领域，具体涉及一种具有快速瞬态响应的ldo电路。

技术介绍

1、随着物联网、移动设备、智能家居等电子应用的快速发展，对电源管理芯片的技术要求也越来越高。低压差稳压器是许多重要电子器件中最关键的电源管理模块之一，因为它可以提供无噪声的清洁电源，具有良好的直流调节和低波纹。在新兴的电子产业中，智能芯片使得集成电路(ic)的数字模块变得更加重要。数字集成电路需要良好的负载瞬态响应，包括低过冲和低欠冲，以防止便携式设备的意外关机或复位。

2、自适应偏置ldo调节器被广泛使用，因为它可以在小硅面积内实现动态响应和静态电流之间的良好权衡，误差放大器采用运算跨导放大器(ota)来放大参考电压和反馈电压之间的误差。与采用复杂缓冲电路的方法相比，该缓冲级仅使用一个电流镜晶体管mb，芯片面积更小。该自适应偏置方案通过m10、m6(n)和m6晶体管实现，用于获取负载电流的动态电流。组件rf1和rf2为反馈电阻，反馈系数β＝rf1/(rf1+rf2)。传统的自适应偏置(ab)-ldo能够在高负载条件下获得非常高的动态电流，在大负载条件下获得相本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述快速瞬态响应LDO电路包括：误差放大器、缓冲器及功率管；

2.根据权利要求1所述的一种具有快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述缓冲器由栅漏短接的MOS管Mb构成，所述功率管由MOS管Mp构成。

3.根据权利要求2所述的一种具有快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述误差放大器包括：MOS管M1、M1N、M4、M4N、电压翻转跟随器和非线性电流镜电路；

4.根据权利要求3所述的一种具有快速瞬态响应的LDO电路，其特征在于，所述快速瞬态响应LDO电路还包括：反馈电阻Rf1和Rf2；所述反馈电阻R...

【技术特征摘要】

1.一种具有快速瞬态响应的ldo电路，其特征在于，所述快速瞬态响应ldo电路包括：误差放大器、缓冲器及功率管；

2.根据权利要求1所述的一种具有快速瞬态响应的ldo电路，其特征在于，所述缓冲器由栅漏短接的mos管mb构成，所述功率管由mos管mp构成。

3.根据权利要求2所述的一种具有快速瞬态响应的ldo电路，其特征在于，所述误差放大器包括：mos管m1、m1n、m4、m4n、电压翻转跟随器和非线性电流镜电路；

4.根据权利要求3所述的一种具有快速瞬态响应的ldo电路，其特征在于，所述快速瞬态响应ldo电路还包括：反馈电阻rf1和rf2；所述反馈电阻rf1的一端连接mos管mp的漏极，所述反馈电阻rf2的另一端接地，所述反馈电阻rf1和rf2的连接处接入mos管m1n的栅极；

5.根据权利要求3所述的一种具有快速瞬态响应的ldo电路，其特征在于，所述第二自适应偏置环路...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪永青，张津航，张启升，赵晓，
申请(专利权)人：中国地质大学北京，
类型：发明
国别省市：