【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种微半导体结构的目标基板,特别是关于一种受批量移转后而具有微半导体结构的目标基板。
技术介绍
1、微发光二极管在巨量移转的实务上,有其技术门坎与限制。
2、传统发光二极管(边长超过100微米)通常在外延(epitaxy)制程后,通过一系列制程形成数组排列的发光二极管晶粒,欲转置于一承载底材上,其采用一选取头(pick-uphead)对应一晶粒的方式,自前述承载底材执行挑选与转移。然而,发光二极管一进入微米化,即发生:微发光二极管晶粒的边长尺寸相对较小(如100微米以下、或以下等级),选取头的尺寸有微缩下限,选取头的尺寸大于发光二极管晶粒的尺寸,而无法有效拾取微发光二极管晶粒;又,微米化意谓同尺寸晶圆所能成形的晶粒数量将巨量增加,传统制程中一对一拾取使微发光二极管的产率极低。
3、业界有利用微接触印刷(micro contact printing)技术,使聚合物材料模板上预设有巨量的凹凸图案,用来对应所要选取的微发光二极管晶粒,以达到巨量移转至一目标基板的要求。但实务上,聚合物材料本身必须兼具硬度
...【技术保护点】
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部还设置在所述一对电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部围绕所述一对电极中的所述至少一个电极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括连续性图案。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括多个非连续性图案。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括至少一个凸点。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部将所述一对
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置,包括:
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部还设置在所述一对电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部围绕所述一对电极中的所述至少一个电极的至少一部分。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括连续性图案。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括多个非连续性图案。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部包括至少一个凸点。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述微接触凸部将所述一对电极彼此绝缘。
8.根据权利要...
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