单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列制造技术

技术编号:4001222 阅读:202 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列,涉及一种新的半导体激光器阵列锁相结构,它解决了现有外部耦合(Talbot外腔)锁相技术无法实现单片集成,装调困难;内部耦合(漏波耦合)锁相技术因出光区宽度受限而影响出光功率的问题,该结构包括周期性间隔排列的分布布拉格反射器和面发射分布反馈半导体激光器阵列条,所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条与左右两端的分布布拉格反射器构成外腔反馈激光器;左端的分布布拉格反射器为外腔反馈激光器提供外腔的光反馈;右端的分布布拉格反射器提供端面反射;同时右端的分布布拉格反射器与下一个激光器阵列条构成外腔反馈激光器;本发明专利技术可应用于军事、工业、医疗和空间光通信等领域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
单片集成锁相面发射分布反馈半导体激光器阵列,包括M个分布布拉格反射器和N个面发射分布反馈半导体激光器阵列条,其特征是,每个分布布拉格反射器与每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条周期性间隔排列,所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条与左右两端的分布布拉格反射器构成外腔反馈激光器;所述每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条左端的分布布拉格反射器为所述外腔反馈激光器提供外腔的光反馈;每个面发射分布反馈半导体激光器阵列条右端的分布布拉格反射器为所述外腔反馈激光器提供端面反射;所述M和N均为自然数,且M=N+1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡永生秦莉叶淑娟张楠宁永强
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
类型:发明
国别省市:82[中国|长春]

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