System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用技术_技高网

硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用技术

技术编号:39986892 阅读:8 留言:0更新日期:2024-01-09 01:57
本发明专利技术涉及一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用,该晶体的化学式为LaMg<subgt;6</subgt;Ga<subgt;6</subgt;S<subgt;16</subgt;,分子量为1787.30,结晶于六方晶系,空间群为P,晶胞参数为a=b=16.6927(4)Å,c=7.4065(3)Å,V=1787.30(11)Å<supgt;3</supgt;。采用助熔剂法及坩埚下降法制成。均可获得尺寸大于3.50×0.50×0.10 mm<supgt;3</supgt;的硫镓镁镧红外非线性光学晶体;使用大尺寸坩埚,并延长生长期,则可获得相应较大尺寸硫镓镁镧红外非线性光学晶体。该晶体具有高抗激光损伤、非线性光学效应适中、透光波段宽、硬度较大、机械性能好、不易碎裂和潮解、易于加工和保存等优点,可用于制作红外非线性光学器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用,属于红外非线性光学晶体的领域。


技术介绍

1、非线性光学材料作为频率转换的关键组成部分,在当前激光科学技术中占有重要地位,在紫外激光光刻、红外遥感、远程激光通信、环境监测、光子和光谱技术等方面都有广泛的应用.商业化的氧基非线性光学晶体,例如kbe2bo3f2(kbbf)、β-bab2o4(β-bbo)、lib3o5(lbo)、linbo3(ln)、kh2po4(kdp)和ktio(po4)(ktp)表现出优异的非线性光学性能和宽的带隙,由于q其含有金属/金属-氧键具有吸收,决定了此类晶体材料不适合应用于中、远红外波段。在红外和中远红外区域,aggas2(ags)、aggase2(agse)和zngep2(zgp)等为主要的商业化红外非线性光学晶体材料,由于ags和agse存在窄带隙导致较低的激光诱导损伤阈值,zgp在1μm左右存在不可预期的双光子吸收等固有缺陷,限制了它们在现代激光技术的应用。因此,有必要探索具有宽带隙、高激光诱导损伤阈值以及大二次谐波产生响应的新型红外非线性光学材料。


技术实现思路

1、本专利技术目的在于提供硫镓镁镧红外非线性光学晶体;

2、本专利技术另一目的在于提供硫镓镁镧非线性光学晶体的制备方法;

3、本专利技术再一个目的在于提供硫镓镁镧非线性光学晶体的用途。

4、本专利技术所述的一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体,该晶体的化学式为lamg6ga6s16,分子量为1787.30,结晶于六方晶系,空间群为晶胞参数为

5、所述硫镓镁镧红外非线性光学晶体的制备方法,采用助熔剂法和坩埚下降法制成:

6、所述助熔剂法生长硫镓镁镧红外非线性光学晶体,具体操作按下列步骤进行:

7、a.按化学式lamg6ga6s16的摩尔比la:mg:ga:s=1:6:6:16在氩气条件下称取原料,再以质量比原料:助熔剂=1:0.5-1称取助熔剂la,混合均匀,将混合物装入石墨坩埚后装入石英容器中,并在真空条件下抽至10-3pa进行熔融密封;其中la原料为la或la2s3;mg原料为mg或mgs;ga原料为ga或ga2s3,硫原料为s;

8、b.将步骤a中石英管放入程序控温的马弗炉中,以20-40℃/h的升温速率升至1000-1100℃,保温100-120h,再以10-20℃/h的降温速率冷却至室温,得到硫镓镁镧红外非线性光学晶体;

9、所述坩埚下降法生长硫镓镁镧红外非线性光学晶体,具体操作按下列步骤进行:

10、a.按化学式lamg6ga6s16的摩尔比la:mg:ga:s=1:6:6:16在氩气条件下称取原料,混合均匀,将混合物装入石英容器中,并在真空条件下抽至10-3pa进行熔融密封;其中la原料为la或la2s3;mg原料为mg或mgs;ga原料为ga或ga2s3,硫原料为s;

11、b.将步骤a中石英管放入程序控温的坩埚下降炉中,以10-30℃/h升温速率升至1050-1150℃,并保温50-80h;

12、c.将步骤b中的石英管以0.1-0.2mm/h的速度垂直下降,晶体在坩埚下降炉下降过程中进行生长,生长周期为30-50天,在生长结束后,需将晶体在坩埚下降炉中进行持续退火,以10-30℃/h的降温速率降至室温,得到硫镓镁镧红外非线性光学晶体;

13、或将步骤b中的石英管置于坩埚下降炉中,并将炉温按1-2℃/h的降温速率自1050-1150℃降至室温,得到硫镓镁镧红外非线性光学晶体。

14、1所述硫镓镁镧红外非线性光学晶体在制备红外全固态激光器、红外激光制导雷达、激光医疗或中远距离激光通讯中的用途。

15、本专利技术所述的硫镓镁镧红外非线性光学晶体及制备方法和应用,采用助熔剂法或坩埚下降法均可获得尺寸大于3.50×0.50×0.10mm3的硫镓镁镧红外非线性光学晶体;使用大尺寸坩埚,并延长生长期,则可获得相应较大尺寸硫镓镁镧红外非线性光学晶体。

16、根据晶体的结晶学数据,将晶体毛坯定向,按所需角度、厚度和截面尺寸切割晶体,将晶体通光面抛光,即可作为非线性光学器件使用。

17、本专利技术所述一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体在激光
的应用包括制备红外波段激光变频晶体、红外激光器、红外电光装置、红外通讯器件或红外激光制导器件中的用途。

18、本专利技术所述的硫镓镁镧红外非线性光学晶体光学器件具有宽的带隙(3.21ev)、高的激光损伤阈值(8.3×ags)、合适的非线性光学效应(0.8×ags)。

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【技术保护点】

1.一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体,其特征在于,该晶体的化学式为LaMg6Ga6S16,分子量为1787.30,结晶于六方晶系,空间群为晶胞参数为

2.根据权利要求1所述的硫镓镁镧红外非线性光学晶体的制备方法,其特征在于,采用助熔剂法和坩埚下降法制备:

3.如权利要求1所述的硫镓镁镧红外非线性光学晶体在制备红外全固态激光器、红外激光制导雷达、激光医疗或中远距离激光通讯中的用途。

【技术特征摘要】

1.一种硫镓镁镧红外非线性光学晶体,其特征在于,该晶体的化学式为lamg6ga6s16,分子量为1787.30,结晶于六方晶系,空间群为晶胞参数为

2.根据权利要求1所述的硫镓镁镧红外非线性...

【专利技术属性】
技术研发人员:李俊杰潘世烈王霖安
申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
类型:发明
国别省市:

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