去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液制造技术

本发明专利技术为去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液，用于pH＝2‑6的酸性条件下的STI CMP中，所述抛光液按质量百分比计量包含如下：CeO<subgt;2</subgt;磨料：0.1wt％‑5wt％；氨基酸：0.1wt％‑4wt％；多元醇：0.5wt％‑6wt％；聚乙烯醇：0.01wt％‑1wt％；pH调节剂；余量为去离子水；所述聚乙烯醇的分子量为1万‑10万；所述氨基酸为：甘氨酸、丙氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、精氨酸、脯氨酸、吡啶甲酸、烟酸或它们衍生物中的一种或几种；所述多元醇为：D‑山梨糖醇、甘露糖醇、乳糖醇、麦芽糖醇、麦芽三糖醇、木糖醇、卫矛醇、或它们衍生物中的一种或几种。抛光液在高去除速率选择比的基础上，能够在112个月内保证抛光速率的稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及浅沟槽隔离(sti)化学机械抛光(cmp)，具体涉及去除速率选择比可调的高稳定性sti cmp抛光液，且所述抛光液在12个月范围内基本保持抛光速率的稳定性。

技术介绍

1、浅沟槽隔离技术(sti)是当前ic制造中隔离有源器件的重要方法，在有源元件周围的si衬底上创建沟槽，并填充绝缘介质。当沟槽被填充时，teos也会沉积在整个晶圆上不需要的区域。过量的teos必须采用化学机械抛光(cmp)完全去除。si3n4停止层是该工艺重要的部分，si3n4可以防止在cmp时对下面的外延生长表面造成损害。

2、sti cmp中对teos和si3n4去除速率选择比有较高的要求，要求具有较高的teos去除速率，并保证对si3n4的去除速率得到较好抑制，目的是快速去除多余的teos，并保证沟槽氧化物得到较好的保护。ceo2磨料硬度较软且会与sio2发生化学反应形成“化学齿”，并且对硬度较高的si3n4去除效果不佳，因此sti cmp抛光液多使用ceo2磨料。

3、业界对sti抛光液对去除速率选择比已有较深入的研究，多数研究人员对teos/s本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液，其特征为：用于pH＝2-6的酸性条件下的STI CMP中，具有TEOS/Si3N4去除速率选择比为30-80范围，抛光液在高去除速率选择比的基础上，能够在12个月内保证抛光速率的稳定；

2.根据权利要求1所述的去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液，其特征为：所述CeO2磨料中磨料粒径为60-300nm；所述pH调节剂为：无机或有机酸、无机或有机碱。

3.根据权利要求1所述的去除速率选择比可调的高稳定性STI CMP抛光液，其特征为：所述无机或有机酸包括硝酸、磷酸、柠檬酸、草酸、乙酸中的一种或几种...

【技术特征摘要】

1.一种去除速率选择比可调的高稳定性sti cmp抛光液，其特征为：用于ph＝2-6的酸性条件下的sti cmp中，具有teos/si3n4去除速率选择比为30-80范围，抛光液在高去除速率选择比的基础上，能够在12个月内保证抛光速率的稳定；

2.根据权利要求1所述的去除速率选择比可调的高稳定性sti cmp抛光液，其特征为：所述ceo2磨料中磨料粒径为60-300nm；所述ph调节剂为：无机或有机酸、无机或有机碱。

3.根据权利要求1所述的去除速率选择比可调的高稳定性sti cmp抛光液，其特征为：所述无机或有机酸包括硝酸、磷酸、柠檬酸、草酸、乙酸中的一种或几种，所述无机或有机碱包括氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、乙醇胺、二乙醇胺中的一种或...

【专利技术属性】
技术研发人员：何彦刚，李相辉，王晗笑，张祥龙，孟妮，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：