存储器装置及其操作方法制造方法及图纸

本公开提供了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括多个存储单元和一控制逻辑电路。存储单元可被配置为TLC、MLC或SLC。控制逻辑电路被配置以TLC编程方式编程MLC及SLC。

【技术实现步骤摘要】

本公开是有关于一种存储器装置及其操作方法。

技术介绍

1、三维(3d)与非(nand)型快闪存储器(flash memory)除了在xy平面上的阵列结构外，在z轴的方向上通常会有立体堆叠的结构。受限制程技术，位于z轴方向两端(即顶端与底端)的存储单元的元件特性通常较z轴方向中段部分的存储单元来得差。元件特性会影响存储单元内储存的数据的可靠度。因此，位于z轴方向两端的存储单元通常会被配置以使得每个存储单元储存的位数少于位于z轴方向中段的存储单元。传统上，储存不同位数的存储单元必须通过使用不同的电路来进行编程。因此，存储器装置需要配置多个电路来对应存储单元写入不同位数时的编程动作，十分浪费硬件空间并提高成本。

技术实现思路

1、本公开一实施例提供一种存储器装置。存储器装置包括一存储器控制器及一存储器。存储器控制器用于接收来自一主控制器的一写入请求及一第一数据，并根据写入请求发送指示一第一参数的一写入命令，其中第一参数代表每个存储单元要写入的二进制数据的位数。存储器耦接至存储器控制器，且包括一存储器阵列、至少一缓冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中从该2N个电压范围选出的该2K个电压范围不连续的。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中N为3，K为2，该控制逻辑电路将各该子数据输入至XNOR逻辑门以产生对应于各该子数据的该虚拟数据。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中N为3，K为1，该控制逻辑电路对应于各该子数据产生的虚拟数据为两个位的二进制数据11。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制逻辑电路还用于执行：

6.一种存储器装置的操作方法，包括：

7.根据权利要求6所述的操作...

【技术特征摘要】

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中从该2n个电压范围选出的该2k个电压范围不连续的。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中n为3，k为2，该控制逻辑电路将各该子数据输入至xnor逻辑门以产生对应于各该子数据的该虚拟数据。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中n为3，k为1，该控制逻辑电路对应于各该子数据产生的虚拟数据为两个位的二进制数据11。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中该控制逻辑...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永骏，黄昱铭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：