一种探测基板及平板探测器制造技术

本公开公开了一种探测基板及平板探测器，该探测基板的探测区域包括阵列分布的多个像素单元，像素单元包括薄膜晶体管、光电转换器件、第一偏置电压线和补偿电容，光电转换器件的底电极与薄膜晶体管的源极电连接，第一偏置电压线与光电转换器件的顶电极电连接；补偿电容包括：底电极，设置在底电极面向衬底基板一侧的介质层，以及设置在介质层面向衬底基板一侧的补偿电极；探测基板在周边区域包括：与补偿电极同层设置的多个第一导电层，以及与第一偏置电压线同层设置的第二偏置电压线；至少一个第一导电层与至少一列补偿电极电连接，第二偏置电压线与第一偏置电压线电连接，且第一导电层和第二偏置电压线电连接。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金钰，张冠，于海博，侯学成，庞凤春，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：