【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光器件领域，具体涉及一种发光二极管芯片的封装结构及应用。
技术介绍
1、目前在发光二极管led用于照明的
中，随着led技术的发展以及光生物效应的研究不断深入，匹配新型功能性光谱成为实验和应用中不可或缺的工作，提高不同波长的led组成的模组的效率和均匀性较为重要，同时不同波长或光谱的led器件在安装上存在距离，在外部光场分布上存在差异，在光学元件中存在色散现象，因此提高led光源模组在小空间多光谱混光的均匀度以及提高模组发光效率仍然是需要逐步优化解决的问题。
技术实现思路
1、鉴于上述技术问题，本专利技术提供了一种在大量发光二极管密集排列实现较高功率工作的情境下，可以提高灯具发光效率和光谱均匀性，发光二极管芯片的封装结构及应用。
2、根据本专利技术的一个方面，提供了一种发光二极管芯片的封装结构，包括：
3、封装基板，设置有第一电极和第二电极，通过上述第一电极和上述第二电极实现上述封装基板与光源的电连接；
4、上述光源，设置于上述封装基板上；
5、第一封装结构，设置于上述光源四周的环绕式结构，用于将上述光源侧面发出的光反射到出光面；
6、第二封装结构，设置于上述第一封装结构外侧，包括与上述封装基板呈30-45°的环绕式结构；
7、光学元件，设置于上述光源对应的出光面。
8、根据本专利技术的实施例，其中，上述光源包括单个led芯片、同一波长的led芯片阵列或不同波长的led阵列中的
9、根据本专利技术的实施例，其中，上述第二封装结构的一端与上述第一封装结构相连接，另一端与上述封装基板相连接。
10、根据本专利技术的实施例，其中，上述光学元件包括透镜、圆柱、圆锥、圆台、凸透镜、散射透镜的一种或几种。
11、根据本专利技术的实施例，其中，上述封装基板包括金属基板、复合基板、陶瓷基板的一种。
12、根据本专利技术的实施例，其中，上述第一封装结构包括反射杯形式结构或平面反射形式结构的一种。
13、根据本专利技术的实施例，其中，上述第一封装结构和上述第二封装结构的材质包括散射材料或具有镜面反射特性的薄膜复合材料的一种或几种。
14、根据本专利技术的实施例，其中，上述封装基板的形状和尺寸与上述第二封装结构的连接面的形状和尺寸相适配。
15、根据本专利技术的实施例，其中，上述第一封装结构为具有45°倾角的四棱台式或倒四棱台式。
16、根据本专利技术的另一个方面，提供了一种上述的封装结构在半导体发光二极管芯片集成装置中的应用。
17、从上述技术方案可以看出，本专利技术提供的发光二极管芯片的封装结构及应用具有以下有益效果：
18、本专利技术提供的发光二极管芯片的封装结构，通过在光源的封装管壳外部形成倾斜表面从而将其他器件水平方向发射的光向外部反射，或者散射，从而可以提高光源构成的光源模组的光电性能和可靠性，降低整体成本。
19、本专利技术提供的发光二极管芯片的封装结构，通过从外部引入倾斜反射表面的结构，可增加高密度led光源模组的发光效率，减小多波长led模组的混光空间，提升了发光模组或灯具芯片的质量。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述光源包括单个LED芯片、同一波长的LED芯片阵列或不同波长的LED阵列中的一种。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第二封装结构的一端与所述第一封装结构相连接，另一端与所述封装基板相连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述光学元件包括透镜、圆柱、圆锥、圆台、凸透镜、散射透镜的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装基板包括金属基板、复合基板、陶瓷基板的一种。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封装结构包括反射杯形式结构或平面反射形式结构的一种。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封装结构和所述第二封装结构的材质包括散射材料或具有镜面反射特性的薄膜复合材料的一种或几种。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装基板的形状和尺寸与所述第二封装结构的连接面的形状和尺寸相适配。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第一封装
10.一种权利要求1-9任一所述的封装结构在半导体发光二极管芯片集成装置中的应用。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的封装结构，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述光源包括单个led芯片、同一波长的led芯片阵列或不同波长的led阵列中的一种。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述第二封装结构的一端与所述第一封装结构相连接，另一端与所述封装基板相连接。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述光学元件包括透镜、圆柱、圆锥、圆台、凸透镜、散射透镜的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述封装基板包括金属基板、复合基板、陶瓷基板的一种。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：于飞，李燕，杨华，王晓桐，伊晓燕，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：
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