温度检测装置以及半导体处理装置制造方法及图纸

提供能以高的精度检测半导体晶片的温度的温度检测装置。控制器在将光检测器中测定的光的光谱归一化时，将相当于绝对零度下的半导体的带隙能量的波长设为极小波长，将与极小波长相比短波长区域中的光强度的最小值确定为极小值，将相当于设想为温度测定范围的最高温度下的半导体的带隙能量与热能的差的波长设为第1最大波长，将从与第1最大波长相比短波长区域中的光强度的最大值取极小值的差分而得到的值确定为极大值，通过在对所测定的光的光谱进行与极小值的差分处理的基础上除以极大值，来进行归一化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及检测半导体晶片的温度的方法以及装置，特别涉及以在配置于真空容器内部的处理室内的样品台上表面载置半导体晶片的状态检测该半导体晶片的温度的方法以及装置、或者具备这样的温度检测机构的半导体处理装置。

技术介绍

1、伴随智能手机等移动设备的普及、云技术的进展，在世界上正在推进半导体器件的高集成化，强烈谋求附随的高难度的半导体的加工技术。半导体的加工技术中包含蚀刻技术、曝光技术等多方面的技术，例如进行结晶化、原子扩散的加热技术成为一个重要的

2、为了实现半导体的稳定的加工工艺，用于在处理中将处理对象维持在合适的温度范围内的温度控制的技术很重要。但使用热电偶测定温度的现有技术并不适合在量产半导体器件的半导体晶片的处理工序中采用。因此，谋求对半导体晶片非接触或非侵入地检测温度的技术。

3、作为这样的技术，考虑使用探测从半导体晶片辐射的热量来检测温度的辐射温度计。但在对半导体晶片进行处理来制造器件的工序中，一般在种种材料的熔点等处受到制约。在当前实施的典型的制造半导体器件的工序中，将半导体晶片的温度管理在500℃前后的值或这本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度检测装置，具备：

2.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的温度检测装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的温度检测装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的温度检测装置，...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种温度检测装置，具备：

2.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的温度检测装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的温度检测装置，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的温度检测装置，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

8.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的温度检测装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的温度检测装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑崎洋辅，颜玮璘，前田贤治，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：