硅基麦克风制造技术

技术编号:3995190 阅读:185 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种硅基麦克风,包括基底、与基底相连的阻挡层、与阻挡层连接的振膜,在基底和阻挡层的中心设有贯穿二者的空腔,所述振膜包括与阻挡层相连的边缘部和由边缘部围绕的振动主体,所述振膜的边缘部包括与阻挡层相连的高应力的氮化硅层和与氮化硅层相连的低应力的多晶硅层,所述振膜的振动主体仅包括低应力的多晶硅层。与现有技术相比,由于本发明专利技术振膜的边缘部由两层构成,其振动主体为单层结构,可明显地降低寄生电容,以提供产品的灵敏度;并且,也大大减少其他结构层高应力对薄膜产生的应力梯度,从而达到释放应力的目的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基麦克风,包括基底、与基底相连的阻挡层、与阻挡层连接的振膜,在基底和阻挡层的中心设有贯穿二者的空腔,所述振膜包括与阻挡层相连的边缘部和由边缘部围绕的振动主体,其特征在于:所述振膜的边缘部包括与阻挡层相连的高应力的氮化硅层和与氮化硅层相连的低应力的多晶硅层,所述振膜的振动主体仅包括低应力的多晶硅层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:葛舟
申请(专利权)人:瑞声声学科技深圳有限公司瑞声微电子科技常州有限公司
类型:发明
国别省市:94[中国|深圳]

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