【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，尤其是涉及一种电平移位电路。
技术介绍
1、电平移位电路用于将低电压域信号转换为高电压域信号或将高电压域的信号转换为低电压域的信号，以实现不同电压域内的信号传递。从而可以供芯片内的其他电路使用。
2、请参照图1，现有技术的将低压域信号转换为高圧域信号的电平移位电路，包括：第一pmos管mp1、第二pmos管mp2、第一nmos管mn1、第二nmos管mn2、第三nmos管mn3、第四nmos管mn4、第一反相器inv1和第二反相器inv2；第一pmos管mp1的栅极和第一nmos管mn1的栅极短接后再接第二pmos管mp2的漏极，第一pmos管mp1的源极接电源电压vddh，第一pmos管mp1的漏极和第一nmos管mn1的漏极短接后再接第三nmos管mn3的源极以及第一反相器inv1的输入端，第三nmos管的栅极接第一低压域信号，第一反相器inv1的输出端输出第一高圧域信号outb，第一nmos管mn1和第三nmos管mn3的源极均接地gnda。第二pmos管mp2的源极接电源电压vddh，第二...
【技术保护点】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一低压域信号是第二低压域信号的反向电压。
3.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一高圧域信号是第二高压域信号的反向信号。
4.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的沟道长度和沟道宽度均相同。
5.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一NMOS管和第二NMOS管的沟道长度和沟道宽度均相同。
6.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一低压域信号是第二低压域信号的反向电压。
3.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一高圧域信号是第二高压域信号的反向信号。
4.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一nmos管和第二nmos管的沟道长度和沟道宽度均相同。
5.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，所述第一nmos管和第二nmos管的沟道长度和沟道宽度均相...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵博闻，张丽颖，张志军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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