一种适用于β-γ混合场的低背景探测器制造技术

本发明专利技术涉及核科学技术领域，具体涉及一种适用于β‑γ混合场的低背景探测器。所述的低背景探测器包括铝壳和设置在铝壳内的、从上至下依次设置的塑料闪烁晶体、CaF<subgt;2</subgt;(Eu)闪烁晶体和LaBr<subgt;3</subgt;(Ce)闪烁体晶体；LaBr<subgt;3</subgt;(Ce)闪烁体晶体使用石英光导封装；外侧面被BGO闪烁体晶体包裹；外侧和底部设置有SiPM阵列进行光信号收集；其他面均设置有反光层。本发明专利技术适用于β‑γ混合场的低背景测量，与半导体‑闪烁体组合探测器相比，具有低电压、体积小、便携性好、供电要求低、对磁场不敏感等优点，更适用于核设施施工场所使用，与多层闪烁体组合相比，其中做得最好的是即实现了β‑γ的初步甄别又实现了对康普顿背景的抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及核科学，具体涉及一种适用于β-γ混合场的低背景探测器。

技术介绍

1、随着我国核能事业的发展，放射性物质的使用越发频繁，高放物质总量也急剧增加。因此，在涉核研究、应用的过程中，放射性物质给操作人员和环境带来的辐射风险也绝不能忽视。其中，β和γ辐射是涉核工作场所中常见的射线，并且β和γ总是同时存在，这种辐射场被称为β-γ混合场。为了保障操作人员、公众和环境的安全，在开发利用核能的同时必须开展β-γ辐射剂量监测与防护工作。

2、目前，国内外研究小组报道了多种用于混和场中(α、β、n和γ)区分测量各类载能粒子的原理，如：脉冲形状甄别法、多探测元件-多pmt法、多探测元件-单一pmt法等。脉冲形状甄别法：使用一个探测元件，利用粒子在探测材料中的电离密度(产生脉冲)差别来甄别不同的粒子，如：上升时间甄别法、常时间甄别法和恒比甄别法。多探测元件-多pmt法：这种方法具有多个探测元件，每一个探测元件的信号都由独立的信号测量单元读出，这种方法主要是利用产生信号的探测元件的不同，将输出的信号进行时间符合与能量加和，以确定粒子的辐照深度(α粒子浅、γ本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于β-γ混合场的低背景探测器，其特征在于，所述的低背景探测器包括铝壳和设置在铝壳内的、从上至下依次设置的塑料闪烁晶体、CaF2(Eu)闪烁晶体和LaBr3(Ce)闪烁体晶体；所述的LaBr3(Ce)闪烁体晶体使用石英光导封装；所述的石英光导外侧面被BGO闪烁体晶体包裹；所述的塑料闪烁晶体和CaF2(Eu)闪烁晶体其中一个侧面被SiPM阵列包裹；所述的LaBr3(Ce)闪烁体晶体和BGO闪烁体晶体底面被SiPM阵列包裹；所述的塑料闪烁晶体、CaF2(Eu)闪烁晶体、LaBr3(Ce)闪烁体晶体和BGO闪烁体晶体除了被SiPM阵列包裹的部分，其他部分均被反光层包裹。

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【技术特征摘要】

1.一种适用于β-γ混合场的低背景探测器，其特征在于，所述的低背景探测器包括铝壳和设置在铝壳内的、从上至下依次设置的塑料闪烁晶体、caf2(eu)闪烁晶体和labr3(ce)闪烁体晶体；所述的labr3(ce)闪烁体晶体使用石英光导封装；所述的石英光导外侧面被bgo闪烁体晶体包裹；所述的塑料闪烁晶体和caf2(eu)闪烁晶体其中一个侧面被sipm阵列包裹；所述的labr3(ce)闪烁体晶体和bgo闪烁体晶体底面被sipm阵列包裹；所述的塑料闪烁晶体、caf2(eu)闪烁晶体、labr3(ce)闪烁体晶体和bgo闪烁体晶体除了被sipm阵列包裹的部分，其他部分均被反光层包裹。

2.如权利要求1所述的适用于β-γ混合场的低背景探测器，其特征在于，所述的塑料闪烁晶体、caf2(eu)闪烁晶体和labr3(ce)闪烁体晶体均呈方体状。

3.如权利要求2所述的适用于β-γ混合场的低背景探测器，其特征在于，所述的塑料闪烁晶体的尺...

【专利技术属性】
技术研发人员：方开洪，秦庆，王权晓，韩雪岩，王强，张硕，
申请(专利权)人：兰州大学，
类型：发明
国别省市：