【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及驱动电路，尤其是涉及一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路。
技术介绍
1、mos管是一种场效应管，它的控制电压非常低，只需要几伏的电压就可以控制其导通和截止。因此，mos管可以作为继电器电路的控制元件,通过控制mos管的导通和截止来控制继电器的开关状态。在mos控制继电器电路中，mos管的控制端连接到控制信号源，继电器的控制端连接到mos管的输出端。当控制信号源输出高电平时，mos管导通，输出端接通，继电器吸合，开关闭合；当控制信号源输出低电平时，mos管截止，输出端断开，继电器断开，开关断开。mos控制继电器电路的优点在于，它可以实现高速开关，响应速度快，控制精度高。
2、如图2所示，通过外部接口xintf扩展电路，传统的do控制一般采集固态、机械式继电器作为输出，进行控制外部器件的开通和关断，这种继电器一般用来控制大电流负载,具有可轻而易举达到多组触点隔离联动、常开常闭功能、抗故障能力强的特点,但这种机械式继电器也有占用空间比较大、成本高和不适用于开关成本有要求的多路do输出系统中的缺点。
3、因此，本专利技术将利用mosfet器件和具有电流检测功能的mosfet驱动器进行设计，解决了机械式继电器占用空间比较大、成本高得问题，通过集成芯片单价便宜，功能稳定，外围电路简单，这种设计在实际的应用中有着很大的方便性。该设计的好处是芯片在外界环境中稳定抗干扰能力明显增强，成本低、占用空间小，一个短3u单板可以比机械式继电器的do多出十路。
技术实现思路p>
1、本专利技术的目的是提供一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路，解决占用空间比较大、成本高和不适用于开关成本有要求的多路do输出系统中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路，包括微控制单元、逻辑门电路、推挽电路、隔离变压器、继电器控制电路和电流继电器，所述微控制单元与所述逻辑门电路电性连接，所述逻辑门电路与所述推挽电路电性连接，所述推挽电路与所述隔离变压器电性连接，所述隔离变压器与所述继电器控制电路电性连接，所述继电器控制电路与电流继电器电性连接。
3、优选的，所述逻辑门电路包括功率场效应管q5，所述功率场效应管q5分别与超快整流二极管d9、稳压二极管d14和整流二极管d13电性连接。
4、优选的，所述推挽电路包括隔离式栅极驱动器u3，所述隔离式栅极驱动器u3与稳压二极管d10电性连接。
5、优选的，所述继电器控制电路包括电源组件t2，所述电源组件t2的一端分别与小信号二极管d11、小信号二极管d12和稳压二极管d15电性连接，所述电源组件t2的另一端分别与开关晶体管q4和开关晶体管q6电性连接，所述开关晶体管q4和所述开关晶体管q6均与数字逻辑电路u2d电性连接。
6、因此，本专利技术采用上述结构的一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路，具备以下有益效果：
7、本专利技术技术中的电路实现简单，经济实用，不仅响应时间快，且安全可靠，有效解决了传统机械式继电器输出电流小、体积大的的弊端，利用mosfet芯片完成了do输出的控制，降低了成本、解决了电路板空间不足的难题。
8、下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于MOSFET芯片的继电器驱动电路，其特征在于，包括微控制单元、逻辑门电路、推挽电路、隔离变压器、继电器控制电路和电流继电器，所述微控制单元与所述逻辑门电路电性连接，所述逻辑门电路与所述推挽电路电性连接，所述推挽电路与所述隔离变压器电性连接，所述隔离变压器与所述继电器控制电路电性连接，所述继电器控制电路与电流继电器电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET芯片的继电器驱动电路，其特征在于：所述逻辑门电路包括功率场效应管Q5，所述功率场效应管Q5分别与超快整流二极管D9、稳压二极管D14和整流二极管D13电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET芯片的继电器驱动电路，其特征在于：所述推挽电路包括隔离式栅极驱动器U3，所述隔离式栅极驱动器U3与稳压二极管D10电性连接。
4.根据权利要求1所述的一种基于MOSFET芯片的继电器驱动电路，其特征在于：所述继电器控制电路包括电源组件T2，所述电源组件T2的一端分别与小信号二极管D11、小信号二极管D12和稳压二极管D15电性连接，所述电源组件T2的另一端分别与开关晶
...【技术特征摘要】
1.一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路，其特征在于，包括微控制单元、逻辑门电路、推挽电路、隔离变压器、继电器控制电路和电流继电器，所述微控制单元与所述逻辑门电路电性连接，所述逻辑门电路与所述推挽电路电性连接，所述推挽电路与所述隔离变压器电性连接，所述隔离变压器与所述继电器控制电路电性连接，所述继电器控制电路与电流继电器电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于mosfet芯片的继电器驱动电路，其特征在于：所述逻辑门电路包括功率场效应管q5，所述功率场效应管q5分别与超快整流二极管d9、稳压二极管d14和整流二极管d13电性连...
【专利技术属性】
技术研发人员：王义娜，俞彦军，孙文彬，杨俊友，周勃，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：
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