【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电缆，具体涉及一种高频低损耗稳相电缆及其制造工艺。
技术介绍
1、高频低损耗稳相电缆是一种频率范围在几千兆赫兹以上的射频/微波电缆，其特点是具有很低的信号传输损耗和稳相特性。一般来说，高频信号在传输过程中会遇到传输损耗和相位变化等问题，这会对信号的质量产生负面影响，甚至导致信号的丢失或失真。而高频低损耗稳相电缆采用了先进的材料技术和工艺技术，通过设计和优化电缆的结构和参数，使得其具有优异的高频性能，有效地解决了在高频传输中产生的损耗和相位失真问题。
2、现有的高频低损耗稳相电缆技术，难以对内导体进行更加稳固的固定，受到外力干扰情况下易在内部出现位移现象；稳相电缆的内部结构较为致密，使得稳相电缆重量过重，难以运输或安装。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高频低损耗稳相电缆及其制造工艺，解决以下技术问题：
2、现有的高频低损耗稳相电缆技术，难以对内导体进行更加稳固的固定；同时，稳相电缆的内部结构较为致密，使得稳相电缆重量过重，难以运输或安装。
3、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
4、一种高频低损耗稳相电缆及其制造工艺，包括：
5、内导体，所述内导体的外侧设置有内导体定位机构，所述内导体和内导体定位机构之间填充有绝缘颗粒，所述内导体定位机构的内部设置有支撑气腔；
6、绝缘体，所述内导体和内导体定位机构的外侧设置有绝缘体；
7、外导体，所述绝缘体的外侧设置有外导体，所
8、外屏蔽层，所述缓冲层的外侧设置有外屏蔽层，所述外屏蔽层的外侧设置有保护套。
9、作为本专利技术进一步的方案：所述内导体包括：
10、第二内导体，所述第二内导体的外侧包覆有内保护层，所述内保护层的外侧设置有中空保护套；
11、第一内导体，所述第一内导体设置有若干个，若干个所述第一内导体呈环形阵列状分布于第二内导体的外侧，所述第一内导体的外侧设置有若干个内导体保护管，若干个所述内导体保护管的外侧包覆有内导体保护套。
12、作为本专利技术进一步的方案：所述内导体定位机构包括：
13、中空保护套，所述中空保护套的内部设置有支撑气腔，所述中空保护套的外侧连接有支撑管；
14、支撑管，所述支撑管与内导体保护套间隔设置；
15、支撑弧形管，所述内导体保护套的外侧设置有支撑弧形管，所述支撑弧形管的两端连接到相邻设置的所述第一内导体的内导体保护套的外侧。
16、作为本专利技术进一步的方案：所述内导体定位机构还包括内导体保护管；
17、其中，所述内导体定位机构的中空保护套的支撑气腔内部与支撑管和支撑弧形管的内部空腔相互连通。
18、作为本专利技术进一步的方案：所述中空保护套、支撑管和支撑弧形管采用聚酰亚胺材料；所述缓冲层采用聚丙烯材料。
19、作为本专利技术进一步的方案：所述绝缘体设置为微孔改性四氟乙烯绝缘层。
20、作为本专利技术进一步的方案：保护套设置为改性全氟乙丙烯保护层。
21、一种高频低损耗稳相电缆制造工艺,其特征在于，包括以下步骤：
22、s1：对铝芯外侧包覆管状铜层形成铜包银线芯，在铜包银线芯的外侧进行镀银，将镀银后的铜包银线芯正反绞合作为电缆的内导体；
23、s2：在内导体的外侧安装内导体定位机构，在所述内导体定位机构内部设置支撑气腔；
24、s3：将安装完内导体定位机构的内导体放置于-70℃～-30℃的低温环境中保温3～5小时，进行低温处理；
25、s4：通过挤出设备拉伸出微孔改性四氟乙烯绝缘层，微孔改性四氟乙烯绝缘层加热至高温100℃～180℃包覆在低温处理后的内导体和内导体定位机构的外侧作为绝缘体，并静置1小时后，再次至于-70℃～-30℃的低温环境中保温2～3小时，进行二次低温处理；
26、s5：二次低温处理后，依次在绝缘体的外侧设置外导体、缓冲层、外屏蔽层和保护套，形成最终产品。
27、作为本专利技术进一步的方案：所述步骤s2在内导体的外侧安装内导体定位机构包括以下步骤：
28、制出若干个内导体，将其中一个内导体作为电缆中心的第二内导体，其余的内导体作为围绕在第二内导体外侧的第一内导体；
29、将聚酰亚胺原料挤出若干个管状的内导体保护管，将若干个内导体保护管环绕贴附在第一内导体的外侧，将聚四氟乙烯带包覆在贴附内导体保护管后的第一内导体外侧，形成内导体保护套；
30、将每个贴附内导体保护管并包覆内导体保护套的第一内导体排列在第二内导体的周围；
31、第二内导体的外侧包覆一层内保护层，将包覆过内保护层的第二内导体套入中空保护套，中空保护套的外侧连接支撑管，将支撑管与内导体保护套间隔设置，内导体保护套之间连接支撑弧形管，支撑弧形管的中部连接到支撑管。
32、作为本专利技术进一步的方案：所述步骤s5中二次低温处理后，依次在绝缘体的外侧设置外导体、缓冲层、外屏蔽层和保护套包括以下步骤：
33、二次低温处理后，在绝缘体的外侧编织镀银铜圆线作为电缆的外导体，在外导体的外侧包覆聚丙烯涂层作为缓冲层；
34、在缓冲层的外侧编织铜包律扁线作为电缆的外屏蔽层，将包覆外屏蔽层后的电缆放置80℃～120℃的高温箱中保温1小时，进行高温处理；
35、高温处理后，在外屏蔽层的外侧包覆至少一层改性全氟乙丙烯保护层，并冷却至室温，形成最终产品。
36、本专利技术的有益效果：
37、本专利技术通过内导体定位机构的内部设置有支撑气腔，使得内导体的位置更加稳定，支撑气腔也可为内导体进行减震，起到保护内导体的效果；支撑气腔相较于填充材料等其他填充方式，可以减少电缆内部的材料使用量，有利于降低电缆的重量。同时，配合内导体和内导体定位机构之间填充有绝缘颗粒，增加内导体之间的绝缘性，绝缘颗粒也增加了缓冲性能。
38、本专利技术通过安装完内导体定位机构的内导体放置于-70℃～-30℃的低温环境中保温3～5小时，进行低温处理，可使得内导体定位机构的支撑气腔在低温下收缩，同时微孔改性四氟乙烯绝缘层加热至高温100℃～180℃，使得微孔改性四氟乙烯绝缘层受热膨胀，此时将微孔改性四氟乙烯绝缘层包覆在经过低温处理的内导体和内导体定位机构的外侧，使得静置到室温时，绝缘体有一定收缩，内导体和内导体定位机构在支撑气腔作用下有一定膨胀，使得绝缘体更加紧固的包裹在内导体和内导体定位机构的外侧。
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1.一种高频低损耗稳相电缆，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，所述内导体包括：
3.根据权利要求2所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，所述内导体定位机构包括：
4.根据权利要求3所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，所述内导体定位机构还包括内导体保护管(2)；
5.根据权利要求3所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，所述中空保护套(14)、支撑管(5)和支撑弧形管(6)采用聚酰亚胺材料；所述缓冲层(9)采用聚丙烯材料。
6.根据权利要求1所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，所述绝缘体(7)设置为微孔改性四氟乙烯绝缘层。
7.根据权利要求1所述的一种高频低损耗稳相电缆,其特征在于，保护套(11)设置为改性全氟乙丙烯保护层。
8.一种高频低损耗稳相电缆制造工艺,其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种高频低损耗稳相电缆制造工艺,其特征在于，所述步骤S2在内导体的外侧安装内导体定位机构包括以下步骤：
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