一种氧化钼钽靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化钼钽靶材的制备方法，所述制备方法将三氧化钼粉与钽粉混合均匀得到混合粉末，再将粘结剂溶液与所述混合粉末混合均匀得到混合料，然后将所述混合料进行喷雾造粒得到类球形氧化钼钽粉末，最后依次进行冷压、热压烧结、机械加工，得到氧化钼钽靶材。本发明专利技术所述制备方法在冷压之前增设了喷雾造粒，可以制得颗粒均匀、流动性好、松装密度大的类球形氧化钼钽粉末，提高了冷压坯料的致密度，避免了由于冷压坯料致密度不高，残留气体较多，粘结剂分布不均匀，导致热压烧结时开裂的风险，还可以保证后续通过冷压和热压烧结后，可以制得致密度高的氧化钼钽靶材。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，涉及显示器和触摸屏，具体涉及一种氧化钼钽靶材的制备方法。

技术介绍

1、氧化钼层光学反射低，因此在现代平面屏中有着广泛的应用，无论是用于可靠地分离亚像素、理想覆盖导体轨道，还是用于防止令人困扰的环境光反射，氧化钼层都能胜任。但随着平面显示器的大型化和高精度化，对材料的比阻抗、抗腐蚀性和热稳定性要求越来越高，而钽金属具有熔点高以及耐化学腐蚀性、耐高温性、导热性、导电性均优异等优点，所以为了调整氧化钼层的刻蚀性和耐化学性，会在氧化钼中掺杂钽元素，合成氧化钼钽溅射靶材。

2、目前，现有技术主要公开了氧化钼靶的制备方法，众所周知，三氧化钼在600℃以上存在明显的升华现象，该材料在600℃以上无法通过常规的烧结方法来获得高致密度的氧化钼靶，而在600℃以下，虽然升华现象得到了抑制，但是致密度没有明显的提升。

3、cn112359333a公开了一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法，该方法将钼酸铵焙解处理后得到高纯三氧化钼粉末进行球磨处理，加入一定量的成型剂，混合均匀后压制成型，放入包套内焊合抽真空进行热等静压本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化钼钽靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三氧化钼粉的粒径D50为5-10μm；

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三氧化钼粉由钼酸铵焙解得到。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合采用三维混粉机进行；

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述粘结剂溶液包括聚乙烯醇溶液；

6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述喷...

【技术特征摘要】

1.一种氧化钼钽靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三氧化钼粉的粒径d50为5-10μm；

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述三氧化钼粉由钼酸铵焙解得到。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合采用三维混粉机进行；

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述粘结剂溶液包括聚乙烯醇溶液；

6.根据权利要求1-5任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，黄洁文，王学泽，吴东青，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：