System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种晶片浅沟道隔离槽加工系统技术方案_技高网

一种晶片浅沟道隔离槽加工系统技术方案

技术编号:39933068 阅读:3 留言:0更新日期:2024-01-08 21:58
本发明专利技术提供了一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,属于晶片浅沟道加工技术领域,包括浸洗箱,所述浸洗箱的前端面上部设置有可视窗,所述浸洗箱的前端面下部左右两侧分别固定安装有注液管与出液管,还包括:晶体放置座,所述晶体放置座设置在浸洗箱的内腔,晶体放置座的内腔可拆卸安装有晶体本体,所述晶体放置座的左右侧壁固定安装有转动柱;提升机构,所述提升机构设置在浸洗箱的内腔左右侧壁;混合机构,所述混合机构安装在转动柱的侧壁上。该发明专利技术通过提升机构与混合机构等的配合,能够对浸洗箱内的酸性溶液进行搅拌混合,使其与晶体本体接触的面积增加,更加充分的对晶体本体隔离槽内的等离子体冲洗,大大提升了整个装置对晶体本体进行清洗的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片浅沟道加工,具体而言,涉及一种晶片浅沟道隔离槽加工系统


技术介绍

1、近年来,随着半导体集成电路制造技术的发展,芯片中所含元件的数量不断增加,元件的尺寸也因集成度的提高而不断缩小。然而无论元件尺寸如何缩小化,在芯片中各元件之间仍必须有适当的绝缘或隔离才能得到良好的元件性质。在各元件隔离技术中,局部硅氧化方法和浅沟道隔离在制造过程中是最常被采用的两种技术。浅沟道隔离技术的优点是隔离效果好,而且占用的面积小,但也有自身的缺点。

2、晶体浅沟道隔离技术一般会采用高密度等离子体化学气相沉积方法来淀积氧化物隔离区域,在淀积过程中若不及时排出沟道内过多的等离子体,则会造成浅沟道隔离槽处形成空洞,这些空洞容易导致半导体元器件漏电甚至短路,从而在对等离子体进行清除使通常需要使用到溶液对晶体进行酸洗,而现有对晶体进行清洗的方式通常都是人工手持其浸入溶液中,稍微拨动几下即拿出,此种对晶片浅沟道的清洗质量。因此,如何专利技术一种晶片浅沟道隔离槽加工系统来改善这些问题,成为了本领域技术人员亟待解决的问题。


技术实现思路

1、为了弥补以上不足,本专利技术提供了一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,旨在改善上述
技术介绍
中提出的问题。

2、本专利技术是这样实现的:

3、本专利技术提供一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,包括浸洗箱,所述浸洗箱的前端面上部设置有可视窗,所述浸洗箱的前端面下部左右两侧分别固定安装有注液管与出液管,还包括:

4、晶体放置座,所述晶体放置座设置在浸洗箱的内腔,晶体放置座的内腔可拆卸安装有晶体本体,所述晶体放置座的左右侧壁固定安装有转动柱;

5、提升机构,所述提升机构设置在浸洗箱的内腔左右侧壁,提升机构用于对晶体放置座的高度进行改变;

6、混合机构,所述混合机构安装在转动柱的侧壁上,混合机构用于对浸洗箱内酸性溶液进行搅拌。

7、优选的,所述提升机构包括固定安装在浸洗箱内腔侧壁上的齿条,以及通过机架固定安装在浸洗箱上端面右侧的提升电机,所述浸洗箱的底面右侧转动安装有丝杠,所述浸洗箱的底面左侧固定安装有限位杆。

8、通过采用上述技术方案,能够对固定在晶体放置座上的晶体本体转动,实现对等离子体的甩出,并使晶体本体滑入酸性溶液内浸洗。

9、优选的,所述转动柱的两端固定安装有凸耳,所述丝杠与凸耳螺纹连接,所述限位杆与凸耳滑动连接,所述提升电机的输出轴端与丝杠固定连接,所述转动柱的侧壁端部固定安装有齿轮,所述齿轮与齿条啮合连接。

10、优选的,所述混合机构包括固定安装在转动柱侧壁上的固定环,所述固定环的侧壁上固定安装有固定套,所述固定套的内腔滑动安装有滑动块,所述滑动块的端部固定安装有复位弹簧,所述滑动块的内腔设置有干燥机构。

11、通过采用上述技术方案,能够对浸洗箱内的酸性溶液进行混合搅拌,使酸性溶液更加充分的对晶体本体进行冲洗。

12、优选的,所述复位弹簧的另一端固定连接在固定套的内腔底面,所述固定套与滑动块均设置有4组,且以转动柱的轴心环形阵列。

13、优选的,所述干燥机构包括安装架、叶轮风扇、导气罩、进气管、出气管与风罩,所述滑动块上设置有空槽。

14、通过采用上述技术方案,能够收集挤压空气并排出高压空气对浸洗后的晶体本体进行干燥。

15、优选的,所述安装架固定安装在空槽的内壁上,所述叶轮风扇的传动轴转动安装在安装架的内腔,所述导气罩固定安装在滑动块的另一侧端面。

16、优选的,所述固定套的一侧端面上固定且连通有出气管,所述出气管与固定套的连通处设置有出口向固定套内腔的单向气阀,所述固定套远离出气管的另一端面固定且连通有出气管,所述出气管与固定套连通处设置有出口向出气管方向的单向气阀,所述出气管上固定安装有风罩。

17、本专利技术的有益效果是:

18、通过注液管预先向浸洗箱内添加至少为浸洗箱体积一半的酸性溶液后(酸性溶液可以是浓硫酸双氧水混合溶液),再向晶体本体上使用高密度等离子体来淀积氧化物隔离区域,当等离子体对晶体本体被等离子体侵蚀一端时间后,启动提升电机使丝杠发生反向转动,在提升机构的配合下,此时转动柱将向着齿条的下方发生转动,晶体放置座内的晶体本体也将发生转动,使部分存留在晶体本体隔离槽内的等离子体进行甩出;当转动柱带动固定环向下移动至酸性溶液内部时,在混合机构的配合下,酸性溶液的流体能够通过导气罩对叶轮风扇进行转动,同时滑动块能够对酸性溶液进行混合搅拌,进而增加了酸性溶液与晶体本体的接触面积,进一步提高了酸性溶液对晶体本体隔离槽内的等离子体浸洗效果。

19、当转动柱带动固定环向上移动至酸性溶液的液面上部时,在干燥机构的配合下,在滑动块的高转速下,外部空气能够通过进气管实现对固定套内部气体的补充,与此同时,空气的气流能够带动叶轮风扇转动,并使形成的气流通过从导气罩处排出,实现对刚刚浸洗后的晶体本体吹拂,提高了其的自然风干的效率,同时的,当转动柱停止转动时,滑动块失去离心力的作用,复位弹簧将逐渐复位使滑动块重新回到固定套的内腔,对固定套内部空气进行挤压,固定套内部的高压气体将能够通过出气管从风罩处排出,进一步提高了对晶体本体风吹干燥的效果,进而提升了整个装置对单个晶体本体浅沟道隔离槽加工的效率,提高了整个装置的实用性。

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【技术保护点】

1.一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,包括浸洗箱(1),所述浸洗箱(1)的前端面上部设置有可视窗(2),所述浸洗箱(1)的前端面下部左右两侧分别固定安装有注液管(3)与出液管(4),其特征在于,还包括:

2.根据权利要求1所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述提升机构(7)包括固定安装在浸洗箱(1)内腔侧壁上的齿条(71),以及通过机架固定安装在浸洗箱(1)上端面右侧的提升电机(72),所述浸洗箱(1)的底面右侧转动安装有丝杠(73),所述浸洗箱(1)的底面左侧固定安装有限位杆(74)。

3.根据权利要求2所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述转动柱(6)的两端固定安装有凸耳(75),所述丝杠(73)与凸耳(75)螺纹连接,所述限位杆(74)与凸耳(75)滑动连接,所述提升电机(72)的输出轴端与丝杠(73)固定连接,所述转动柱(6)的侧壁端部固定安装有齿轮(76),所述齿轮(76)与齿条(71)啮合连接。

4.根据权利要求1所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述混合机构(8)包括固定安装在转动柱(6)侧壁上的固定环(81),所述固定环(81)的侧壁上固定安装有固定套(82),所述固定套(82)的内腔滑动安装有滑动块(83),所述滑动块(83)的端部固定安装有复位弹簧(84),所述滑动块(83)的内腔设置有干燥机构(9)。

5.根据权利要求4所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述复位弹簧(84)的另一端固定连接在固定套(82)的内腔底面,所述固定套(82)与滑动块(83)均设置有4组,且以转动柱(6)的轴心环形阵列。

6.根据权利要求4所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述干燥机构(9)包括安装架(91)、叶轮风扇(92)、导气罩(93)、进气管(94)、出气管(95)与风罩(96),所述滑动块(83)上设置有空槽(61)。

7.根据权利要求6所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述安装架(91)固定安装在空槽(61)的内壁上,所述叶轮风扇(92)的传动轴转动安装在安装架(91)的内腔,所述导气罩(93)固定安装在滑动块(83)的另一侧端面。

8.根据权利要求6所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述固定套(82)的一侧端面上固定且连通有出气管(95),所述出气管(95)与固定套(82)的连通处设置有出口向固定套(82)内腔的单向气阀,所述固定套(82)远离出气管(95)的另一端面固定且连通有出气管(95),所述出气管(95)与固定套(82)连通处设置有出口向出气管(95)方向的单向气阀,所述出气管(95)上固定安装有风罩(96)。

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【技术特征摘要】

1.一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,包括浸洗箱(1),所述浸洗箱(1)的前端面上部设置有可视窗(2),所述浸洗箱(1)的前端面下部左右两侧分别固定安装有注液管(3)与出液管(4),其特征在于,还包括:

2.根据权利要求1所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述提升机构(7)包括固定安装在浸洗箱(1)内腔侧壁上的齿条(71),以及通过机架固定安装在浸洗箱(1)上端面右侧的提升电机(72),所述浸洗箱(1)的底面右侧转动安装有丝杠(73),所述浸洗箱(1)的底面左侧固定安装有限位杆(74)。

3.根据权利要求2所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述转动柱(6)的两端固定安装有凸耳(75),所述丝杠(73)与凸耳(75)螺纹连接,所述限位杆(74)与凸耳(75)滑动连接,所述提升电机(72)的输出轴端与丝杠(73)固定连接,所述转动柱(6)的侧壁端部固定安装有齿轮(76),所述齿轮(76)与齿条(71)啮合连接。

4.根据权利要求1所述的一种晶片浅沟道隔离槽加工系统,其特征在于,所述混合机构(8)包括固定安装在转动柱(6)侧壁上的固定环(81),所述固定环(81)的侧壁上固定安装有固定套(82),所述固定套(82)的内腔滑动安装有滑动块(83),所述滑动块(83)的端部固定安装有复位弹簧(84),所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:关超孙德祥李志吴正明
申请(专利权)人:天津美坤达半导体有限公司
类型:发明
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