磁传感器、磁传感器的制造方法及感应元件集合体技术

本发明专利技术涉及磁传感器、磁传感器的制造方法及感应元件集合体。本发明专利技术的课题是降低由同一基板形成的多个感应部或多个磁传感器之间的磁特性差异。本发明专利技术的解决手段如下。磁传感器具备基板、和设置于基板上的感应部，所述感应部具有长边方向和短边方向，并且通过磁阻抗效应来感应磁场，感应部具有：软磁体层，所述软磁体层由在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性的软磁体形成，并且对磁场进行感应；和副软磁体层，所述副软磁体层被层叠在基板与软磁体层之间，并且由饱和磁化比软磁体层大的软磁体形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁传感器、磁传感器的制造方法及感应元件集合体。

技术介绍

1、作为现有技术，专利文献1中公开了一种磁传感器，其具备基板、和设置于基板上且由软磁体构成的磁传感器主体。在该磁传感器中，通过磁控溅射而在基板上堆积软磁体层，形成了磁传感器主体。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-67869号公报

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、在基板上层叠软磁体层而形成具备感应部的磁传感器的情况下，根据基板上的位置的不同，有时在形成于同一基板上的多个感应部、使用同一基板形成的多个磁传感器之间产生磁特性的偏差。

3、本专利技术的目的是降低由同一基板形成的多个感应部或多个磁传感器之间的磁特性差异。

4、用于解决课题的手段

5、根据本专利技术，可提供下述(1)～(12)涉及的专利技术。

6、(1)磁传感器，其具备基板(基板10)、和设置于前述基板上的感应部(感应部31)，所述感应部具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.磁传感器，其具备基板和设置于所述基板上的感应部，所述感应部具有长边方向和短边方向，并且通过磁阻抗效应来感应磁场，

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述副软磁体层的厚度为所述软磁体层的厚度的30％以下。

3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述副软磁体层的厚度为5nm以上。

4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，具备在所述短边方向上隔开间隙地排列、并且各自具有所述软磁体层和所述副软磁体层的多个所述感应部。

5.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述感应部具备以夹着导电性比所述软磁体层高的导电体层的方式层叠的...

【技术特征摘要】

1.磁传感器，其具备基板和设置于所述基板上的感应部，所述感应部具有长边方向和短边方向，并且通过磁阻抗效应来感应磁场，

2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述副软磁体层的厚度为所述软磁体层的厚度的30％以下。

3.如权利要求2所述的磁传感器，其特征在于，所述副软磁体层的厚度为5nm以上。

4.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，具备在所述短边方向上隔开间隙地排列、并且各自具有所述软磁体层和所述副软磁体层的多个所述感应部。

5.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，所述感应部具备以夹着导电性比所述软磁体层高的导电体层的方式层叠的多个该软磁体层，

6.如权利要求5所述的磁传感器，其特征在于，所述感应部在多个所述软磁体层中的层叠于所述导电体层上的该软磁体层、与该导电体层之间进一步具有由饱和磁化比该软磁体层高的软磁体形成的其...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂胁彰，远藤大三，利根川翔，渡边恭成，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：