具有电流感测功能性的集成电阻器的布局制造技术

技术编号:39929015 阅读:23 留言:0更新日期:2024-01-08 21:40
本公开涉及一种具有电流感测功能性的集成电阻器的布局。一或多种布局技术可用于平衡电流感测电路。所述电流感测电路可包含由多晶硅材料形成的放大器的上层电阻器。所述上层电阻器可关于一或多个应力梯度对称布置以提高所述电流感测电路的准确度。所述应力梯度可包含关于轴线的应力梯度及相对于裸片边缘的应力梯度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及无线电力,且更具体来说,涉及电流感测。


技术介绍

1、电流感测是无线电力系统中的一个块。所感测电流与电压测量一起提供系统的电力测量。电力测量对了解多少电力实际从传输器接收且输送到负载(例如电池)来说至关重要。特定来说,无线电力系统必须非常准确地测量电力以帮助外物检测。不期望外物从传输器接收电力且开始过热。接收器可包含电流感测功能性以测量所接收的电力以确定由外物造成的电力损失。可通过更准确地确定所接收的电流来预测由外物造成的电力损失。因此,期望以给定准确度水平确定所接收的电流。然而,无线电力系统的电流感测功能可包含由一或多个来源引入的不准确度。

2、鉴于上述情况,本公开的一或多个实施例提供一种包含经改进电流感测能力的集成电路。


技术实现思路

1、根据本公开的一或多个说明性实施例,描述一种集成电路。在一些实施例中,所述集成电路包含电流感测电路,其包含第一放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器及第五电阻器。在一些实施例中,所述第一电阻器包含第一电阻(rs),所述第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路,其包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片布置成与裸片边缘相距第一距离以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的所述应力差。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一电阻器包含第一行及第二行多晶硅片;其中所述第一行安置于所述裸片边缘与所述第二多个多晶硅片之间;其中所述第二行安置于所述裸片边缘与所述第三多个多晶硅片之间。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中所述第一电阻器包含第三行及第四行多晶硅片,所述第三行及第四行多晶硅片两者布置成与所述裸片边缘相距所述第一距离;...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路,其包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片布置成与裸片边缘相距第一距离以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的所述应力差。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一电阻器包含第一行及第二行多晶硅片;其中所述第一行安置于所述裸片边缘与所述第二多个多晶硅片之间;其中所述第二行安置于所述裸片边缘与所述第三多个多晶硅片之间。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其中所述第一电阻器包含第三行及第四行多晶硅片,所述第三行及第四行多晶硅片两者布置成与所述裸片边缘相距所述第一距离;

5.根据权利要求4所述的集成电路,其中所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片安置于所述第三行与所述第四行之间。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中所述集成电路具有应力梯度;其中所述应力梯度远离所述裸片边缘及远离所述轴线而减小。

7.根据权利要求1所述的集成电路,其进一步包括金属化层;其中所述第一多个多晶硅片通过所述金属化层耦合;其中所述第二多个多晶硅片通过所述金属化层耦合;其中所述第三多个多晶硅片通过所述金属化层耦合;其中至少一些所述第一多个多晶硅片经并联耦合使得所述第一电阻(rs)小于所述第二电阻(rt)。

8.根据权利要求7所述的集成电路,其中所述第一多个多晶硅片通过第一多个通路耦合到所述金属化层;其中所述第二多个多晶硅片通过第二多个通路耦合到所述金属化层。

9.根据权利要求8所述的集成电路,其中通路电阻匹配于所述第一电阻器与所述第二电阻器之间。

10.根据权利要求9所述的集成电路,其中所述通路电阻通过跳过所述第二电阻器的一或多个通路来匹配。

11.根据权利要求1所述的集成电路,所述第一电路进一步包括第一开关(...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·德罗齐埃J·阿克曼M·鲁斯福德
申请(专利权)人:安华高科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1