一种热保护金属氧化物压敏电阻器，包括本体、第一电极、热熔断器和胶水。本体由结晶质微观结构组成，该结晶质微观结构包括混合有一个或多个其他金属氧化物的氧化锌。第一电极位于本体的一侧，并连接到第一引线。热熔断器连接在第一电极和第一引线之间。胶水将沉积在热熔断器上以及第一引线的顶部上。断器上以及第一引线的顶部上。断器上以及第一引线的顶部上。
【技术实现步骤摘要】
改进的TMOV装置
[0001]本公开的实施例涉及金属氧化物压敏电阻器(MOV)，更具体地说，涉及MOV封装。
技术介绍
[0002]过电压保护装置用于保护电子电路和部件不受过电压故障状况引起的损坏。过电压保护装置可以包括金属氧化物压敏电阻器(MOV)，其连接在待保护电路和接地线之间。压敏电阻器是电压相关的非线性装置，其具有背靠背齐纳二极管等电气特性。压敏电阻器主要由氧化锌和少量添加的其他金属氧化物(例如铋、钴、锰等)组成。热保护MOV(TMOV)还包括集成的热激活元件，例如熔断器，其被设计用于在异常过电压事件导致过热时断开。
[0003]MOV(包括TMOV)在制造过程中烧结成陶瓷半导体，并形成结晶质微观结构(crystalline microstructure)，其允许MOV在整个装置中耗散极高水平的瞬变能量。因此，MOV通常用于抑制工业或AC线路应用中的漏电和其他高能瞬变。此外，MOV用于DC电路，例如低压电源和汽车应用。它们的制造过程允许许多不同的形状因数(form factor)，其中径向引线圆盘是最常见的。
[0004]压敏电阻器本体包括由晶界(grain boundary)隔开的导电氧化锌晶粒(grain)的基体(matrix)，提供P
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N结半导体特性。这些边界负责阻止低电压下的传导，并且是高电压下非线性电传导的来源。MOV的对称、尖锐击穿特性(sharp breakdown characteristic)使其能够提供出色的瞬变电压抑制性能。当暴露于高压瞬变时，压敏电阻器阻抗发生从接近开路到高导电水平的多个数量级的变化，从而将瞬变电压钳制到安全水平。输入瞬变脉冲的潜在破坏性能量被MOV吸收，从而保护易受损坏的电路部件。
[0005]部件小型化导致了对电应力的提高的敏感性。例如，微处理器具有无法处理静电放电(ESD)瞬变产生的高电流的结构和导电路径。这些部件在极低电压下工作，因此必须控制电压干扰，以防止装置中断和潜在或灾难性故障。诸如微处理器的敏感装置正以指数级的速度被采用。微处理器不仅是计算机的核心，而且越来越多地用于家用电器、工业控制、车辆甚至玩具。当前的电子/工业应用使用更小尺寸和更高性能的电子部件，使得产品尺寸成为某些应用的关键因素。此外，由于MOV非常小，所以MOV部件中的任何变化都可能导致制造过程中的意外行为。
[0006]考虑到这些因素和其他因素，目前的改进可能是有用的。
技术实现思路
[0007]提供本摘要是为了以简化的形式介绍一些概念，这些概念将在下面的详细说明中进一步描述。本摘要不旨在识别所要求保护的主题的关键或基本特征，也不旨在帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0008]根据本公开的热保护金属氧化物压敏电阻器的示例性实施例可以包括本体、第一电极、热熔断器和胶水。本体由结晶质微观结构组成，该结晶质微观结构包括混合有一个或多个其他金属氧化物的氧化锌。第一电极位于本体的一侧，并连接到第一引线。热熔断器连
接在第一电极和第一引线之间。胶水将沉积在热熔断器上以及第一引线的顶部上。
[0009]根据本公开的热保护金属氧化物压敏电阻器的另一示例性实施例可以包括第一电极、本体、热熔断器和胶水。第一电极连接到第一引线。本体与第一电极相邻，并且包括由晶界隔开的导电氧化锌晶粒的基体，提供P
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N结半导体特性，晶界阻止低电压下的传导，并且是高电压下非线性电传导的来源。与本体串联的热熔断器连接在第一电极和第一引线之间，并在持续过电压状况发生时断开与第一引线的连接。将沉积在热熔断器上的胶水防止热熔断器燃烧或碳化。
附图说明
[0010]图1A
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1C是示出根据现有技术的热保护金属氧化物压敏电阻器的图；
[0011]图2是示出根据现有技术的图1A
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1C的热保护金属氧化物压敏电阻器的图；
[0012]图3A
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3C是示出根据示例性实施例的热保护金属氧化物压敏电阻器的图；以及
[0013]图4是示出根据示例性实施例的图3A
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3C的热保护金属氧化物压敏电阻器的图。
具体实施方式
[0014]热保护金属氧化物压敏电阻器(TMOV)使用500HF胶水，以确保在限流试验期间TMOV的成功。TMOV包括连接到电极中的一个和引线中的一个的热熔断器。与MOV本体串联的热熔断器通过断开并形成开路，在持续过电压发生时提供热保护。沉积在热熔断器及其连接点上的500HF胶水防止MOV在限流试验期间燃烧或碳化。
[0015]为方便和清晰起见，本文中可使用诸如“顶部”、“底部”、“上部”、“下部”、“垂直”、“水平”、“侧面”、“横向”、“径向”、“内部”、“外部”、“左侧”和“右侧”等术语来描述特征和部件的相对位置和方向，无论是否出现在透视图、分解透视图和横截面图中，每个术语都与本文描述的其他特征和部件的几何结构和方向有关。所述术语并非旨在限制，并且包括特别提及的词语、其中的衍生词以及类似含义的词语。
[0016]图1A
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1C是根据现有技术用于提供过电压保护的热保护金属氧化物压敏电阻器(TMOV)100的代表性附图。图1A是平面图，图1B是分解透视图，图1C是TMOV 100的摄影图。TMOV 100是径向引线圆盘型MOV的示例。TMOV 100包括第一陶瓷电阻器102a和第二陶瓷电阻器102b(图1B)(统称为“一个或多个陶瓷电阻器102”)。两个陶瓷电阻器102围绕并包含TMOV 100的其他部件。具体地看图1B，陶瓷电阻器102容纳两个电极104a和104b(统称为“一个或多个电极104”)，其中MOV本体108夹在两个电极之间。MOV本体108是具有混合有一个或多个其他金属氧化物的氧化锌的结晶质微观结构，其允许TMOV 100在装置的主体上耗散高水平的瞬变能量。换句话说，MOV本体108具有由晶界隔开的导电氧化锌晶粒的基体，提供P
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N结半导体特性，其中边界阻止低电压下的传导，并且是高电压下非线性电传导的来源。陶瓷电阻器102的两侧将覆盖在封装部(encapsulant)(例如环氧树脂(未示出))中。作为两个示例，环氧树脂可以是液晶聚合物(LCP)或聚苯硫醚(PPS)。
[0017]图1A和图1C中可见电极104b，而电极104a如图1B所示。在图1A和图1C中，陶瓷电阻器102b未被示出，并且在图1B的分解图中可见MOV本体108。电极104a附接至陶瓷电阻器102a，而电极104b附接至陶瓷电阻器102b，其中MOV本体108设置在两者之间。在图1A
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1C的示例中，陶瓷电阻器102、电极104和MOV本体108均基本上为圆盘形，其中陶瓷电阻器的半径
略大于电极，尽管这些部件中的每个都可以形成非圆形形状。陶瓷电阻器102a的径向边缘在图1A和图1C中的电极104b的“后面”可见。
[0018]TMOV 100具有从陶瓷电阻本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，包括：本体，其包括结晶质微观结构，所述结晶质微观结构包括混合有一个或多个其他金属氧化物的氧化锌；第一电极，其设置在所述本体的第一侧上，其中，所述第一电极连接到第一引线；热熔断器，其连接在所述第一电极和所述第一引线之间；以及胶水，其将沉积在所述第一引线的顶部和所述热熔断器上。2.根据权利要求1所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，还包括设置在所述本体的第二侧上的第二电极，其中，所述本体夹在所述第一电极和所述第二电极之间。3.根据权利要求2所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，所述第二电极连接到第二引线。4.根据权利要求3所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，还包括用于将所述热熔断器连接到所述第一电极的焊接接头，其中，所述胶水覆盖所述焊接接头。5.根据权利要求3所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，还包括用于将所述热熔断器连接到所述第一引线的熔断器热连接，其中，所述胶水覆盖所述熔断器热连接。6.根据权利要求3所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，还包括设置在所述第一电极和所述第一引线之间的氧化铝片，其中，所述胶水将覆盖所述氧化铝片的一部分。7.根据权利要求3所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，还包括用环氧树脂封装所述本体、所述第一电极、所述第二电极、所述热熔断器和所述胶水。8.根据权利要求7所述的热保护金属氧化物压敏电阻器，其特征在于，所述环氧树脂是液晶聚合物。9.根据权利要求7所...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新明，徐铭曦，
申请(专利权)人：东莞令特电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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