相位调谐的宇称时间对称定向耦合器制造技术

本公开涉及相位调谐的宇称时间对称定向耦合器

【技术实现步骤摘要】
相位调谐的宇称时间对称定向耦合器

技术介绍

[0001]宇称时间
(PT)
对称定向耦合器
(symmetric directional coupler)
需要在上部和下部波导的增益与损耗之间取得平衡以实现高效的光切换
。
同时调谐增益元件和损耗元件会引起折射率差，从而可能降低光开关的功率消光
。
通过添加独立的混合半导体上金属电容器
(metal
‑
on
‑
semiconductor capacitor
，
MOSCAP)
，就有了附加的旋钮来调谐折射率
(
光学相位
)
并实现改进的功率消光
。
[0002]当前的配置没有办法独立地控制两个支腿之间的增益
/
损耗和相位差
。
附图说明
[0003]参照以下附图根据一个或多个不同的实施例详细地描述本公开
。
附图仅被提供用于说明性目的，并且仅描绘典型实施例或示例实施例
。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种混合
III
‑
V/
硅器件，包括：第一硅层，所述第一硅层设置在掩埋氧化物
BOX
层上方，其中，所述第一硅层包括：第一掺杂区，所述第一掺杂区具有第一沟槽，第二掺杂区，所述第二掺杂区具有第二沟槽，第一间隙区，所述第一间隙区设置在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间；第一氧化物层，所述第一氧化物层设置在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上方；第一台面，所述第一台面设置在所述第一硅层的所述第一掺杂区上，其中，所述第一台面包括：第一
III
‑
V
族层，所述第一
III
‑
V
族层设置在所述第一氧化物层上方；第一光学活性区，所述第一光学活性区设置在所述第一
III
‑
V
族层上方；以及第二
III
‑
V
族层，所述第二
III
‑
V
族层设置在所述光学活性区上方；以及第二台面，所述第二台面设置在所述第一硅层的所述第二掺杂区上，其中，所述第二台面包括：第三
III
‑
V
族层，所述第三
III
‑
V
族层设置在所述第一氧化物层上方；第二光学活性区，所述第二光学活性区设置在所述第三
III
‑
V
族层上方；以及第四
III
‑
V
族层，所述第四
III
‑
V
族层设置在所述第二光学活性区上方
。2.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述第一氧化物层包括
HfO2、Al2O3和
VO2中的至少一种
。3.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述第一光学活性区和所述第二光学活性区是量子点层
、
量子阱层和量子短线层之一
。4.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述第一
III
‑
V
族层
、
所述第二
III
‑
V
族层
、
所述第三
III
‑
V
族层和所述第四
III
‑
V
族层包括砷化镓和磷化铟之一
。5.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，进一步包括：第一波导，所述第一波导设置在所述第一沟槽与所述间隙区之间的第一
p
掺杂区中；以及第二波导，所述第二波导设置在所述第二沟槽与所述间隙区之间的第二
p
掺杂区中
。6.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述第二
III
‑
V
族层包括第一离子区，并且所述第四
III
‑
V
族层包括第二离子区
。7.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述间隙区设置在所述第一台面与所述第二台面之间，并且隔离区设置在所述第一台面与所述第二台面之间的所述第一间隙区上
。8.
如权利要求7所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述隔离区包括第三离子区
。9.
如权利要求7所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述隔离区包括第二间隙区
。10.
如权利要求1所述的混合
III
‑
V/
硅器件，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区以第一极性进行掺杂，并且所述第一
III
‑
V
族层
、
所述第二
III
‑
V
族层
、
所述第三
III
‑
V
族层和所述第四
III
‑
V
族层以不同于所述第一极性的第二极性进行掺杂
。11.
如权利要求
10
所述的混合
III
...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：慧与发展有限责任合伙企业，
类型：发明
国别省市：