一种宽禁带氧化物紫外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及紫外探测器技术领域，特别涉及一种宽禁带氧化物紫外探测器及其制备方法

【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带氧化物紫外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及紫外探测器
，特别涉及一种宽禁带氧化物紫外探测器及其制备方法
。

技术介绍

[0002]紫外探测器被广泛的应用于天文学
、
燃烧工程
、
水净化处理
、
火焰探测
、
生物效应
、
天际通信以及环境污染监测等领域
。
由于大气中臭氧层的吸收，使得地球表面几乎没有小于
280nm
的紫外光，这一光谱区域称为日盲波段，由于没有太阳光的干扰，使得工作在该波段的日盲紫外探测器具有高的灵敏度，可用于导弹预警等方面
。
因此日盲紫外探测器受到了人们广泛的关注
。
[0003]目前在军事和实际生活上应用的探测器主要以硅基紫外光电管和光电倍增管为主，但是二者体积笨重，功耗比较大，而且还需要自带滤光片，这些缺点在很大程度上限制了它们应用的推广
。
[0004]Ga2O3作为一种新型的直接带隙宽禁带半导体，其室温下的禁带宽度为<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种宽禁带氧化物紫外探测器，其特征在于，包括依次叠加设置的衬底
、
第一
Ga2O3层
、ZnMgO
层
、
第二
Ga2O3层以及电极；所述电极包括
Au
电极和
Al
电极，所述
Au
电极生长在所述第二
Ga2O3层上，所述
Al
电极生长在所述第一
Ga2O3层上
。2.
一种如权利要求1所述的宽禁带氧化物紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、
将清洗后的衬底置于
MOCVD
生长设备中并加热，以有机镓化合物作为镓源
、
氧气作为氧源，在加热后的衬底表面生长第一
Ga2O3层；
S2、
将所述第一
Ga2O3层部分覆盖蓝宝石掩膜，并置于
MOCVD
生长设备中加热，以有机镁化合物作为镁源
、
有机锌化合物作为锌源
、
氧气作为氧源，在所述第一
Ga2O3层未覆盖蓝宝石掩膜部分的表面生长
ZnMgO
层；
S3、
将生长有
ZnMgO
层的衬底置于
MOCVD
生长设备中加热，以有机镓化合物作为镓源
、
氧气作为氧源，在所述
ZnMgO
层的表面生长第二
Ga2O3层；
S4、
在所述第二
Ga2O3层上生长
Au
电极，取下所述蓝宝石掩膜并在原覆盖部分的所述第一
Ga2O3层上生长
Al
电极，制得宽禁带氧化物紫外探测器
。3.
根据权利要求2所述的宽禁带氧化物紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤
S1
中，使用三氯乙烯
、
丙酮
、
乙醇分别清洗衬底，所述衬底为蓝宝石
、
氧化镁
、
氧化锌
、
铝酸镁中的任意一种
。4.
根据权利要求2所述的宽禁带氧化物紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤
S2
中，将所述第一
Ga2O3层部分覆盖蓝宝石掩膜，并置于
MOCVD
生长设备中加热后，以有机镁化合物作为镁源
、
氧气作为氧源，在所述第一
Ga2O3层未覆盖蓝宝石掩膜的表面生长
MgO
过渡层，再以有机锌化合物作为锌源，在所述
MgO
过渡层表面生长
ZnMgO
层，所述
ZnMgO
层为立方相结构
。5.
根据权利要求2所述的宽禁带氧化物紫外探测器的制备方法，其特征在于，步骤
S3
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈星，刘可为，申德振，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：