【技术实现步骤摘要】
一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置
[0001]本方案属于气体除杂
,具体涉及一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置
。
技术介绍
[0002]氧化亚氮作为一种
IC
制造中的重要的气体,用于半导体生产中的氧化
、
化学气相沉积工艺,通常低纯氧化亚氮中含有浓度较高的甲烷和乙炔等烃类杂质气体,这些杂质气体严重影响着氧化亚氮的品质
。
随着
IC
制造工艺及技术的发展,芯片尺寸不断增大,特征尺寸线宽不断减少,要求
IC
制程用的各种电子气体的纯度
、
特定指标不断提高,目前要求的纯度大都需要在
99.999
%
(5
出气管道
)
以上,因此如何提纯氧化亚氮气体则是电子气体国产化的重要方向
。
[0003]甲烷和乙炔是氧化亚氮气体中的常见杂质,甲烷和乙炔的存在会影响氧化亚氮的纯度
。
因此,为了提高氧化亚氮的纯度,必须优先脱除氧化亚氮原料气中的甲烷和乙炔
。
[0004]申请号为
CN202111639928.0
的专利提供了一种氧气吸附剂,包括多孔二氧化硅骨架,所述多孔二氧化硅骨架通过化学键连接有硼元素;所述多孔二氧化硅骨架上还物理负载有铂化合物以及低价态锰化合物
。
[0005]该专利技术在多孔二氧化硅骨架上通过化学键连接有硼元素,同时表面负载有低价态锰化合物,能够有 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:包括吸附器(1),所述吸附器(1)包括壳体(2)
、
浮板(3)
、
滚珠丝杠(4)和固定板(
29
),所述壳体(2)内设有用于吸附甲烷和乙炔的液体吸附剂以及分散在液体吸附剂内部的固体吸附剂(6),所述固体吸附剂(6)呈螺旋状,所述滚珠丝杠(4)上端固定位于固定板(
29
)上,所述固体吸附剂(6)上设有尖刺(7),所述滚珠丝杠(4)下端与固定吸附剂固定连接,所述浮板(3)位于固体吸附剂(6)和固定板(
29
)之间,所述固定板(
29
)上设有用于气体通过的第一通孔(
28
),所述浮板(3)上设有第二通孔,所述螺母固定位于第二通孔内,所述滚珠丝杠(4)与螺母相匹配,所述壳体(2)上设有进气管道(8)和出气管道(9),所述浮板(3)与壳体(2)内壁滑动连接,所述浮板(3)上设有出气孔,所述浮板(3)上铰接有用于关闭出气孔的孔塞(
10
),所述壳体(2)上设有用于打开出气孔的支撑杆(
11
), 所述浮板(3)设置有用于防止孔塞(
10
)往上移动的限位块(
12
)
。2.
根据权利要求1所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:所述固体吸附剂(6)为空心设置
。3.
根据权利要求1所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:所述尖刺(7)设有多个,多个尖刺(7)倾斜设置,多个所述尖刺倾斜的方向并不相同
。4.
根据权利要求1所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:所述壳体(2)的内部固定板(
29
)上端连接有吸水层(
13
),所述吸水层(
13
)的上表面固定连接有过滤层(
14
),所述过滤层(
14
)的上表面固定连接有净化层(
15
)
。5.
根据权利要求4所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:所述吸水层(
13
)采用海绵层,过滤层(
14
)采用活性炭层,净化层(
15
)采用碱石灰层
。6.
根据权利要求1所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:还包括水箱(
16
),所述进气管道(8)位于水箱(
16
)内
。7.
根据权利要求6所述的一种采用吸附法去除氧化亚氮中甲烷和乙炔的装置,其特征在于:所述壳体(2)上还设有固定杆(
17
),所述固定杆(
17
)位于吸水层(
13
)和固定板(
29
...
【专利技术属性】
技术研发人员:雷海平,肖成城,张建长,
申请(专利权)人:欧中电子材料重庆有限公司,
类型:发明
国别省市:
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