一种波长转换装置制造方法及图纸

本申请主要是涉及一种波长转换装置

【技术实现步骤摘要】
一种波长转换装置、波长转换装置的制备方法及发光装置


[0001]本申请涉及光源
，特别是一种波长转换装置
、
波长转换装置的制备方法及发光装置
。

技术介绍

[0002]随着激光光源产品的发展，产品要求也向小体积
、
高亮度
、
高效率的方向升级
。
这就意味着其内部的波长转换装置的尺寸越来越小，其发光层所承受的激光功率密度越来越大
。
这就导致了对封装后的整个发光层的耐热和导热能力要求较高
。
[0003]而目前的发光层所使用的发光陶瓷为了改善光饱和性能，降低光吸收的密度，一般会在发光陶瓷内部形成多孔结构以增加光散射，但是由于多孔陶瓷的热导率和机械强度相对较低，且多孔陶瓷由于存在微纳米空隙，对于后续形成的反射膜的反射率有着不利的影响
。
因而现有的波长转换装置对高功率密度激发光，无法在实现较高光饱和阈值的同时，保持高发光效率和机械强度
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请的目的是提供一种波长转换装置
、
波长转换装置的制备方法及发光装置，能够实现较高光饱和阈值的同时，保持高发光效率和机械强度
。
[0005]为解决上述问题，本申请提供的第一个技术方案为：提供一种波长转换装置，包括依次层叠设置的多孔发光陶瓷层
、
过渡层
、
金属反射层
、
焊接层和导热基板；其中，过渡层致密发光陶瓷层，致密发光陶瓷层的孔体积含量为
0.5
％以下
。
[0006]可选地，发光陶瓷层的孔体积含量为1％
‑
10
％；孔的孔径范围为
0.1
μ
m
‑5μ
m。
[0007]可选地，发光陶瓷层选自
YAG:Ce
3+
陶瓷或
Al2O3‑
YAG:Ce
3+
陶瓷中的至少一种；其中，发光陶瓷层中
Ce
3+
的为
0.1
％
‑
0.5
％
。
[0008]可选地，过渡层为
YAG:Ce
3+
致密发光陶瓷层，
YAG:Ce
3+
致密发光陶瓷层中
Ce
3+
的含量为
0.1
％
‑
0.5
％
。
[0009]可选地，过渡层的厚度与发光陶瓷层的厚度比为
0.002
‑
0.2。
[0010]为解决上述技术问题，本申请提供的第二个技术方案为：提供一种波长转换装置的制备方法，制备方法包括：
[0011]分别配置多孔发光陶瓷层的原料以及过渡层的原料，过渡层为致密发光陶瓷层；
[0012]使用多孔发光陶瓷层原料以及过渡层原料中的一种原料压制成型制成压片，将另外一种原料放置于压片上，压制成型为叠压压片；
[0013]将叠压压片进行烧结形成双层叠压陶瓷，包括多孔发光陶瓷层和过渡层；在过渡层上制备金属反射层；以及
[0014]金属反射层通过焊料焊接的方式设置于导热基板上
。
[0015]可选地，多孔发光陶瓷层的原料包括氧化物陶瓷原料和造孔剂，造孔剂与氧化物陶瓷原料的质量比为1％
‑8％；过渡层的原料包括氧化物陶瓷原料
。
[0016]可选地，使用多孔发光陶瓷层原料以及过渡层原料中的一种原料压制成型制成压片，将另外一种原料放置于压片上，压制成型为叠压压片的步骤包括：
[0017]使用过渡层原料进行单轴压制，压力范围为
5MPa
‑
20MPa
，得到单轴压制后的过渡层压片；以及
[0018]将单轴压制后的过渡层压片再进行冷等静压，压力范围为
50MPa
‑
300MPa
，得到过渡层的压片
。
[0019]可选地，使用多孔发光陶瓷层原料以及过渡层原料中的一种原料压制成型制成压片，将另外一种原料放置于压片上，压制成型为叠压压片的步骤包括：
[0020]将多孔发光陶瓷层的原料放置于过渡层的压片上，对多孔发光陶瓷层的原料进行单轴压制，压力范围为
5MPa
‑
20MPa
，得到单轴压制后的多孔发光陶瓷层压片；以及
[0021]将单轴压制后的多孔发光陶瓷层压片再进行冷等静压，压力范围为
5MPa
‑
30MPa
，得到叠压压片
。
[0022]为解决上述技术问题，本申请提供的第三个技术方案为：提供一种发光装置，发光装置包括激发光源和如上述任一项的波长转换装置
。
[0023]本申请的有益效果是：本申请的波长转换装置，通过设置依次层叠的多孔发光陶瓷层
、
过渡层
、
金属反射层
、
焊接层和导热基板，同时设置过渡层为致密发光陶瓷，能够实现较高饱和阈值的同时，保持高发光效率和机械强度
。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0025]图1是本申请提供的波长转换装置的一实施例的结构示意图；
[0026]图2是本申请提供的波长转换装置的制备方法的一实施例的流程示意图；
[0027]图3是本申请提供的发光装置的结构示意图
。
具体实施方式
[0028]下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述
。
特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定
。
同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围
。
[0029]本申请中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征
、
结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中
。
本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其他实施例相结合
。
[0030]本申请首先提出一种波长转换装置
100
，如图1所示，图1是本申请提供的波长转换装置的一实施例的结构示意图
。
本申请提供的波长转换装置
100
包括依次层叠设置的多孔发光陶瓷层
10、
过渡层
20、
金属反射层
30、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种波长转换装置，其特征在于，包括依次层叠设置的多孔发光陶瓷层
、
过渡层
、
金属反射层
、
焊接层和导热基板；其中，所述过渡层为致密发光陶瓷层，所述致密发光陶瓷层的孔体积含量为
0.5
％以下
。2.
根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述多孔发光陶瓷层的孔体积含量为1％
‑
10
％；所述孔的孔径范围为
0.1
μ
m
‑5μ
m。3.
根据权利要求2所述的波长转换装置，其特征在于，所述多孔发光陶瓷层选自
YAG:Ce
3+
陶瓷或
Al2O3‑
YAG:Ce
3+
陶瓷中的至少一种；其中，所述多孔发光陶瓷层中
Ce
3+
的含量为
0.1
％
‑
0.5
％
。4.
根据权利要求1所述的波长转换装置，其特征在于，所述过渡层为
YAG:Ce
3+
致密发光陶瓷层，所述
YAG:Ce
3+
致密发光陶瓷层中
Ce
3+
的含量为
0.1
％
‑
0.5
％
。5.
根据权利要求1‑4中任一项所述的波长转换装置，其特征在于，所述过渡层的厚度与所述多孔发光陶瓷层的厚度比为
0.002
‑
0.2。6.
一种波长转换装置的制备方法，其特征在于，包括：分别配置多孔发光陶瓷层的原料以及过渡层的原料，所述过渡层为致密发光陶瓷层；使用多孔发光陶瓷层原料以及过...

【专利技术属性】
技术研发人员：田梓峰，马文，李乾，
申请(专利权)人：深圳市绎立锐光科技开发有限公司，
类型：发明
国别省市：