【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有双端灯的轴对称的加热组件布局
[0001]背景
[0002]本公开内容的实施方式总体涉及用于制造半导体装置的设备和方法
。
更具体地,本文公开的设备涉及半导体处理腔室内的灯头和反射器组件
。
技术介绍
[0003]对广泛的各种应用来处理半导体基板,所述应用包含集成装置与微型装置
(microdevice)
的制造
。
在处理期间,基板被定位在工艺腔室内的基座上
。
基座由能绕中心轴线旋转的支撑轴支撑
。
优选地对加热源进行精确控制,以在严格的容限范围内均匀加热基板
。
基板的温度可影响沉积在基板上的材料的均匀性
。
[0004]在工艺腔室内精确控制基板温度的能力对产量和生产良率有很大影响
。
传统工艺腔室难以满足制造下一代装置所需的温度控制标准,同时满足对提高生产良率和更快产量的日益增长的需求
。
传统的工艺腔室还利用跨基板的不均匀功率分布
。
由不均匀的功率分布引起的基板温度循环可损坏基板或使基板弯曲,同时还增加不同灯在更宽的时间范围内烧毁的可能性
。
[0005]因此,需要改进的工艺腔室和灯模块设备,所述改进的工艺腔室和灯模块设备能够均匀加热基板
、
减少温度循环和增加灯寿命
。
技术实现思路
[0006]本公开内容总体涉及用于基板处理的设备,诸如用于在沉积工艺期间加热基板的灯组件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种适用于半导体基板处理的灯模块,所述灯模块包括:反射器主体;一或多个第一槽,所述一或多个第一槽设置在所述反射器主体的第一表面内,所述第一槽中的每个槽被配置为接收线性灯;和一或多个第二槽,所述一或多个第二槽设置在所述反射器主体的所述第一表面内,所述第二槽中的每个槽配置为接收灯,所述一或多个第一槽和所述一或多个第二槽形成槽的第一环,且所述一或多个第一槽的横截面形状不同于所述一或多个第二槽的横截面形状
。2.
如权利要求1所述的灯模块,所述灯模块进一步包括一或多个第三槽,所述一或多个第三槽设置在所述一或多个第一槽和所述一或多个第二槽的径向外侧,所述一或多个第三槽形成第二环的至少一部分
。3.
如权利要求1所述的灯模块,其中所述第一槽和所述第二槽中的每个槽是线性槽
。4.
如权利要求1所述的灯模块,其中存在2至
10
个第一槽
。5.
如权利要求1所述的灯模块,其中所述反射器主体包括铜
、
镍
、
黄铜
、
青铜
、
银
、
金或铝中的一种或它们的组合
。6.
如权利要求1所述的灯模块,其中所述第一槽中的每个槽具有
35mm
至
175mm
的线性槽长度
。7.
如权利要求1所述的灯模块,其中所述第一槽和所述第二槽中的每个槽在包括在所述槽中的至少一个孔,所述孔中的每个孔从槽壁穿至与所述第一表面相对的所述反射器主体的第二表面
。8.
如权利要求1所述的灯模块,所述灯模块进一步包括穿过所述反射器主体的开口,所述开口从所述第一表面延伸至第二表面并且设置在槽的所述第一环的内部
。9.
一种适用于半导体基板处理的灯模块,所述灯模块包括:反射器主体;一或多个第一槽,所述一或多个第一槽设置在所述反射器主体的第一表面内,所述第一槽中的每个槽被配置为接收一或多个线性灯;一或多个第二槽,所述一或多个第二槽设置在所述反射器主体的所述第一表面内,所述第二槽中的每个槽被配置为接收一或多个线性灯;一或多个第三槽,所述一或多个第三槽设置在所述反射器主体的第一表面内;和一或多个第四槽,所述一或多个第四槽设置在所述反射器主体的第一表面内,其中,所述一或多个第一槽和所述一或多个第二槽被定向成形成第一环的至少一部分,而所述一或多个第三槽和所述一或多个第四槽被定向成形成第二环的至少一部分,所述第二环约束所述第一环
。10.
如权利要求9所述的灯模块,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘树坤,朱恩乐,王东岩,沙尼什,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。