【技术实现步骤摘要】
一种叉指状背接触电池及其制备方法
[0001]本专利技术涉及叉指状背接触电池
，尤其涉及一种叉指状背接触电池及其制备方法
。
技术介绍
[0002]随着太阳能电池技术的不断进步，太阳能电池效率有了大幅提高，叉指状背接触电池将正负发射极全部集中在背面，电池前表面无遮挡，光电转换效率大幅增加
。
[0003]由于结构特殊区分正负极需要用绝缘层进行绝缘，在组件制作过程中，叉指状背接触电池在焊接时易造成绝缘层破损，导致单片电池片短路漏电，使组件端返修率及碎片率增高，同时由于图形为对称结构，在制作半片组件时需将左右两个半片区分开，如不区分使用会导致组件短路
。
技术实现思路
[0004]本专利技术目的在于提供一种叉指状背接触电池及其制备方法，通过网版图形与激光配合简化丝网印刷制备流程，降低了生产成本，且在焊接过程中可以避免焊带与绝缘层下的细栅线接触，从而避免电池片短路漏电，提高了组件产品质量
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种叉指状背接触电池，包括：在
N
型单晶硅片前表面设置氮化硅减反射层，在所述
N
型单晶硅片背表面设置背面
N+
区和背面
P+
区；在所述背面
N+
区和所述背面
P+
区上分别印刷
N+
区发射极
、
负极主栅和背面
P+
区发射极
、
正极主栅，且所述叉指状背...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种叉指状背接触电池，其特征在于，包括：在
N
型单晶硅片前表面设置氮化硅减反射层，在所述
N
型单晶硅片背表面设置背面
N+
区和背面
P+
区；在所述背面
N+
区和所述背面
P+
区上分别印刷
N+
区发射极
、
负极主栅和背面
P+
区发射极
、
正极主栅，且所述叉指状背接触电池背面的左右两部分呈中心对称结构；其中，所述背面
N+
区和所述背面
P+
区左右两边互为叉指状排列；所述背面
N+
区发射极与所述负极主栅接触，所述背面
P+
区发射极与所述正极主栅接触
。2.
一种叉指状背接触电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：获得掩膜后的硅片；利用激光灼烧法在掩膜后的硅片背面进行背面
N+
区的开窗，获得开窗后的硅片；对开窗后的硅片进行
P
扩散
、
镀氮化硅薄膜
、
正面制绒处理，获得正面镀膜后的硅片；使用叉指状排列的网版同时在正面镀膜后的硅片的背面
P+
区和背面
N+
区印刷间断圆点状副栅线，获得印刷后的硅片；将间断圆点状副栅线覆盖连接，印刷成背面
P+
区线形副栅线
、
正极主栅
、
背面
N+
区线形副栅线
、
负极主栅，并通过烧结获得叉指状背接触电池；其中，所述开窗形状呈叉指状排列；所述叉指状背接触电池背面的左右两部分呈中心对称结构
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获得掩膜后的硅片，包括：对
N
型单晶硅片进行双面抛光，获得抛光后的硅片；在所述抛光后的硅片背面进行
B
扩散和表面氧化处理，获得
B
扩散后的硅片；在所述
B
扩散后的硅片表面印刷一层掩膜，获得掩膜后的硅片
。4.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对开窗后的硅片进行
P
扩散
、
镀氮化硅薄膜
、
正面制绒处...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秦军，宋标，王毅，申海超，董忠吉，李跃恒，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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