一种芯片应用系统保护电路技术方案

技术编号:39861138 阅读:7 留言:0更新日期:2023-12-30 12:55
本发明专利技术公开了一种芯片应用系统保护电路,包括外接电源;所述外接电源与

【技术实现步骤摘要】
一种芯片应用系统保护电路


[0001]本专利技术涉及供电
,尤其涉及一种芯片应用系统保护电路


技术介绍

[0002]在很多芯片应用的场景中,特别是在汽车电子,医疗及工业领域,由于环境的问题,电源电压供给时,常常会产生不十分稳定的,甚至有时非常极端的电压输入值,而在工厂车间又由于工人操作失误,也常常会有超过正常电压的供电,或者接线失误导致的反接错误,同时后端芯片应用电路的器件失效也有可能导致供电端的短路

所以电源供电对于这些可能的失误必须能够实现保护,而不会造成芯片或模块的损坏,实现失误时可以进入安全模式,失误去除后可以恢复正常

[0003]虽然目前也有各种不同的方法实现此功能,但是大多是采用处理器或比较模块对当前输入的电源电压进行筛选,电路结构非常复杂,在处理器对电源电压筛选以及后续的变压调控过程中,不稳定的电压或极端电压峰值依然处于连接状态,容易对电路内部元器件造成损毁,最终给产品的量产带来了很多问题,包括成本及可靠性


技术实现思路

[0004]本专利技术的目的提供一种芯片应用系统保护电路,通过较为简单及便捷的器件搭配的电路,解决了上述
技术介绍
中提出的问题,并且通过不同参数元器件的选取,可以实现不同规格的电源保护,从而实现对后端芯片应用电路的保护

[0005]为了实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:一种芯片应用系统保护电路,包括外接电源;所述外接电源与
P

MOS
关电路
Q1
的漏极相连接,所述
P

MOS
开关电路
Q1
的栅极接地,所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极连接第一保护电路,对电源电压进行稳压,所述第一保护电路并联第二保护电路,进行限流,所述第二保护电路并联警示电路,所述警示电路连接在芯片系统的输入端

[0006]作为上述技术方案的进一步描述:所述第一保护电路包括稳压二极管
D1
,所述稳压二极管阳极与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的栅极相连接,阴极连接第一电阻
R1
进行限流,过压时限压,常压时不作为,所述第一电阻
R1
与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极相连接

[0007]作为上述技术方案的进一步描述:所述稳压二极管
D1
的阴极还连接有第二电阻
R2
,所述第二电阻
R2
连接第一三极管
Q2
的基极,对所述第一二极管
Q2
进行限流,常压关断不作为,出现高压时导通,从而达到控制下一级开关电路,所述第一三极管
Q2
的发射极与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极相连接

[0008]作为上述技术方案的进一步描述:所述第二保护电路包括所述第一三极管
Q2
,所述第一三极管
Q2
的集电极与第二三极管
Q3
的基极相连接,所述第二三极管
Q3
的基极通过第三电阻
R3
连接所述稳压二极管
D1
的阳极,对所述第二三极管
Q3
进行限流,常压时导通,出现
高压时关断,所述第二三极管
Q3
的发射极与所述第一三极管
Q2
的发射极相连接

[0009]作为上述技术方案的进一步描述:所述警示电路包括可恢复保险丝
F1
,所述可恢复保险丝
F1
与所述第三电阻
R3
的集电极连接,所述可恢复保险丝
F1
连接第四电阻
R4
,所述第四电阻
R4
与发光二极管
D2
的阳极相连接,所述发光二极管
D2
的阴极与所述第三电阻
R3
相连接

[0010]作为上述技术方案的进一步描述:所述第四电阻
R4
与所述发光二极管
D2
的阴极连接在芯片系统的输入端

[0011]作为上述技术方案的进一步描述:所述第二电阻
R2
对所述第一三极管
Q2
进行限流,所述第三电阻
R3
对所述第二三极管
Q3
提供限流,所述外接电源出现过压时,所述第一三极管
Q2
导通,第二三极管
Q3
关断,使得整个供电电路关断

[0012]作为上述技术方案的进一步描述:所述可恢复保险丝
F1
在大电流过电时,温度增高,阻值大幅增加,对芯片系统进行限流保护

[0013]作为上述技术方案的进一步描述:所述外接电源的输入电压小于
40V
,连接所述芯片系统的输出端输出电压小于
9V。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述:发光二极管
D2
及所述第四电阻
R4
在外接电源端正常时将显示绿色亮光,在非正常时将不再有亮光,从而产生警示作用

[0015]上述技术方案具有如下优点或有益效果:
1、
通过利用
P

MOS
开关电路
Q1
在外接电源反接时关断并切断电源,以保证后端的芯片应用系统的正常使用,并防止由此带来的损坏

[0016]2、
通过稳压二极管
D1
限制输出到后端芯片应用系统的电源,使得其不超过系统所能承受的电压

[0017]3、
通过第一三极管
Q2、
第二三极管
Q3
及第二电阻
R2
,第三电阻
R3
来实现开关作用,使得输出到后端芯片应用系统的电源电压在过压时及反接时,在最短的时间内关断电源,以保证后端芯片应用系统的安全

[0018]4、
通过自恢复保险丝
F1
实现当后端芯片应用系统出现短路时将大幅度增大阻抗,而在短路问题解决后能自动恢复低阻抗状态,从而保护后端芯片应用系统的安全

[0019]5、
通过发光二极管
D2
及第四电阻
R4
实现正常状态下绿色亮光显示,而在非正常时熄灭亮灯以达到警示作用

附图说明
[0020]图1为本专利技术提出的保护电路的电路原理图

具体实施方式本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片应用系统保护电路,其特征在于:包括外接电源;所述外接电源与
P

MOS
开关电路
Q1
的漏极相连接,所述
P

MOS
开关电路
Q1
的栅极接地,所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极连接第一保护电路,对电源电压进行稳压,所述第一保护电路并联第二保护电路,进行限流,所述第二保护电路并联警示电路,所述警示电路连接在芯片系统的输入端
。2.
根据权利要求1所述的一种芯片应用系统保护电路,其特征在于:所述第一保护电路包括稳压二极管
D1
,所述稳压二极管阳极与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的栅极相连接,阴极连接第一电阻
R1
进行限流,过压时限压,常压时不作为,所述第一电阻
R1
与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极相连接
。3.
根据权利要求2所述的一种芯片应用系统保护电路,其特征在于:所述稳压二极管
D1
的阴极还连接有第二电阻
R2
,所述第二电阻
R2
连接第一三极管
Q2
的基极,对所述第一三极管
Q2
进行限流,常压关断不作为,出现高压时导通,从而达到控制下一级开关电路,所述第一三极管
Q2
的发射极与所述
P

MOS
开关电路
Q1
的源极相连接
。4.
根据权利要求3所述的一种芯片应用系统保护电路,其特征在于:所述第二保护电路包括所述第一三极管
Q2
,所述第一三极管
Q2
的集电极与第二三极管
Q3
的基极相连接,所述第二三极管
Q3
的基极通过第三电阻
R3
连接所述稳压二极管
...

【专利技术属性】
技术研发人员:古振刚
申请(专利权)人:芯浦苏州传感科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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