一种非对称式力电耦合超材料减振制造技术

本发明专利技术公开了一种非对称式力电耦合超材料减振

【技术实现步骤摘要】
一种非对称式力电耦合超材料减振、发电的结构及方法


[0001]本专利技术涉及一种减振
、
发电装置，尤其是一种非对称式力电耦合超材料减振
、
发电的结构及方法
。

技术介绍

[0002]低振动和低噪声品质是现代工业发展的一项重要技术指标，振动和噪声控制在保证工业设备结构的安全性
、
可靠性的同时，在环境方面还能提供较好的舒适性
。
经过几十年的发展，我国的振动控制技术已得到了一定的发展，但 500 Hz
以下的低频宽带的振动抑制仍是工程中目前要解决的主要问题
。
在结构健康监测
，目前无线传感器节点大多采用化学电池供电，导致节点的使用寿命与容量有限的电池之间的矛盾越来越激烈
。
一方面这一类网络中的传感器节点往往尺寸较小，无法配置大容量的电池，这就导致节点的使用寿命受到了制约；另一方面，频繁的更换电池也为无线网络的维护带来了巨大的工作量，间接提升了网络部署的成本
。
[0003]近年来，部分学者提出了超材料低频减本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种非对称式力电耦合超材料减振
、
发电的结构及方法，其特征在于：包括若干分段，每个分段是由若干周期单元组成，所述周期单元包括夹心层
、
电感电路和负载电路，在所述夹心层的上下两面均设有覆盖层，在所述覆盖层外设有若干压电晶片，位于夹心层上方的压电晶片为上晶片，位于夹心层下方的压电晶片为下晶片，所述负载电路通过电感电路与压电晶片连接，所有上晶片的厚度都相同，同一分段中下晶片的厚度相同，不同分段中下晶片的厚度不同，从而组成各分段的梯度分级；设分段的总数量为
S
，具体的第几分段为
n
，其中
n=1、2
……
S
，上晶片的厚度为
h0，其中
0.1≤h0≤0.2mm
，每个分段内下晶片的厚度为
①
，其中，
m
为自然数，且
m≥2
，根据机电局域振子的谐振频域
②
，为压电晶片的固有电容，则 =C0+C
n
，
C
0 为上晶片的固有电容，
C
n
为对应分段中下晶片的固有电容，
、
，此时若振源的频率区间为
[f1，
f
s
]
，其中压电晶片的电感为
L
＜

【专利技术属性】
技术研发人员：王兴国，李明，刘真海，王岚，
申请(专利权)人：齐齐哈尔大学，
类型：发明
国别省市：