一种倒装制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片


[0001]本技术属于
LED
芯片
，具体而言涉及一种倒装
LED
芯片
。

技术介绍

[0002]LED
指发光二极管，是一种常见的发光器件，广泛应用于照明领域
。
倒装
LED
芯片的光由衬底一侧射出，由于空气的折射率低于衬底材料的折射率，因此部分光线会在衬底出光面发生全反射，导致出光效率降低
。
为减少光的全反射，提高光的提取效率，可以对衬底的出光面进行图形化处理，得到多个排布在出光面表面的图形化结构
。
图形化结构能散射发光层射入的光，使原本发生全反射的光有机会穿过衬底出光面，提高光从芯片内部射出的几率
。
[0003]公开号为
CN104183678A
的专利公开了一种倒装
LED
芯片，在衬底未进行外延生长的一侧设置由多个排布成规则形状的凸起结构组成的图形阵列，还可以在凸起结构表面进行规则或不规则形态的表面粗化，以减少光在衬底出光面的全反射，提高光的提取效率
。
然而，这种技术方案一方面结构复杂加工难度大，另一方面，由于采用了多个凸起结构，单个凸起结构由于尺寸限制高度有限，因此整个出光面的面积也受到限制，除此之外，在凸起结构之间的连接区域，即谷底区域设置相关的粗化或其它结构也较为不便
。

技术实现思路

[0004]本技术正是基于现有技术的上述情况而提出的，本技术要解决的技术问题是提供一种倒装
LED
芯片以提高倒装
LED
芯片衬底的出光率
。
[0005]为了解决上述问题，本技术提供以下技术方案
。
[0006]一种倒装
LED
芯片，包括：衬底，衬底具有外延生长面和出光面；其中，外延生长面位于衬底的一侧；出光面，位于所述衬底的另外一侧，出光面具有覆盖整个出光面的并向远离所述出光面方向凸起而成的单个凸起结构；凸起结构在左
、
右两侧具有倾斜方向不同的左侧面和右侧面，左侧面和右侧面在凸起结构的中部凸起处接合；图形化结构，图形化结构覆盖在凸起结构的左侧面和右侧面上；外延层，外延层设置在衬底的外延层生长面上
。
[0007]优选地，左侧面和右侧面均为倾斜的平面
。
[0008]优选地，左侧面和右侧面均为曲面
。
[0009]优选地，倒装
LED
芯片还包括增透层，增透层设置在所述图形化结构表面
。
[0010]优选地，外延层包括：
N
型半导体层，设置在所述衬底上靠近所述外延生长面的一侧；发光层，设置在所述
N
型半导体层上；
P
型半导体层，设置在所述发光层上
。
[0011]优选地，倒装
LED
芯片还包括：
N
电极，与
N
型半导体层电性连接；
P
电极，与
P
型半导体层电性连接
。
[0012]优选地，凸起结构还包括设置在前
、
后方向的前侧面和后侧面，前侧面和后侧面的倾斜方向不同，前侧面和后侧面在凸起结构的中部凸起处接合
。
[0013]优选地，前侧面和后侧面均为倾斜的平面
。
[0014]优选地，前侧面和后侧面均为曲面
。
[0015]优选地，倒装
LED
芯片为深紫外倒装
LED
芯片
。
[0016]与现有技术相比，本技术的有益效果包括：
[0017](1)
提供一种倒装
LED
芯片，其衬底出光面具有表面经图形化处理的单个凸起结构，单个凸起结构可以设置较高的高度，因而可以具有较大面积的出光的侧面，在出光侧面上可以加工更大面积的图形化结构，从而进一步减小衬底出光面发生全反射的几率，有效提高芯片的出光效率
。
[0018](2)
衬底出光面的表面设置经图形化处理的单个凸起结构，有利于在整个衬底的出光面上设置增透层等进一步增加光线透射比例的部件，为进一步均匀地提高光线透射提供条件
。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本说明书具体实施方式，下面将对具体实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书记载的一些具体实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0020]图1是本技术一种倒装
LED
芯片截面结构示意图；
[0021]图2是本技术一种倒装
LED
芯片发出的一束光线路径示意图；
[0022]图3是现有技术一种倒装
LED
芯片发出的一束光线路径示意图
。
[0023]附图标记：
[0024]1、
衬底；
101、
外延生长面；
102、
出光面；
103、
图形化结构；
2、
外延层；
201、N
型半导体层；
202、
发光层；
203、P
型半导体层；
3、
增透层；
4、N
电极；
5、P
电极
。
具体实施方式
[0025]为使本技术具体实施方式的目的
、
技术方案和优点更加清楚，下面将结合的附图，对具体实施方式中的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的仅是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式
。
基于本技术中的具体实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围
。
[0026]在本技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“连通”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接可以是直接相连，或通过中间媒介间接相连
。
对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义
。
[0027]全文中描述使用的术语“顶部”、“底部”、“上方”、“下方”、“上层”、“下层”、“两端”、“一端”、“设置在
……
上”和“位于
……”
是指装置部件的相对位置，例如
N
型半导体层生长在外延生长面上
。
可以理解的是装置是多功能的，与它们在空间中的方位无关
。
[0028]为便于对本技术的理解，下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种倒装
LED
芯片，其特征在于，包括：衬底
(1)
，衬底具有外延生长面
(101)
和出光面
(102)
；其中，外延生长面位于所述衬底的一侧；出光面，位于所述衬底的另外一侧，所述出光面具有覆盖整个所述出光面的并向远离所述出光面方向凸起而成的单个凸起结构；所述凸起结构在左
、
右两侧具有倾斜方向不同的左侧面和右侧面，所述左侧面和右侧面在所述凸起结构的中部凸起处接合；图形化结构
(103)
；图形化结构覆盖在所述凸起结构的左侧面和右侧面上；外延层
(2)
，外延层设置在所述衬底的所述外延层生长面上
。2.
根据权利要求1所述的一种倒装
LED
芯片，其特征在于，所述左侧面和所述右侧面均为倾斜的平面
。3.
根据权利要求1所述的一种倒装
LED
芯片，其特征在于，所述左侧面和所述右侧面均为曲面
。4.
根据权利要求1所述的一种倒装
LED
芯片，其特征在于，倒装
LED
芯片还包括增透层
(3)
，所述增透层设置在所述图形化结构
(103)
表面
。5.
根据权利要求1所述的一种倒装
LED
芯片，其特征在于，所述外延层
(2)
包括：
N
型半导体层
(201)
，设置在所述衬底上靠近所述外延生长面
...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，王雪，张童，李晋闽，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：