一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法技术

本发明专利技术涉及一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，包括：接收待测量透射电镜图；将所述待测量透射电镜图输入至目标图像分割模型，得到标记有层状结构的二值化图像；对所述待测量的透射电镜图进行图像处理，确定所述待测量的透射电镜图中标尺所占的像素点；使用骨架提取算法对标记有层状结构的二值化图像进行处理，得到骨架化图像；以垂直层状结构的方向，遍历所述骨架化图片中的像素点；确定垂直层状结构的方向像素点位置和个数，并结合所述标尺所占的像素点，计算透射电镜中的层数与层间距

【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法


[0001]本专利技术涉及材料属性测量
，特别是涉及一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法
。

技术介绍

[0002]随着集成电路产业的迅速发展，芯片制程工艺已经达到纳米尺度，进一步缩减特征尺寸面临功耗难以下降的问题，特别是受亚阈值摆幅理论极限的限制，芯片的驱动电压难以进一步降低
。
而二维材料仅具有单原子或几层原子的厚度，使其成为实现超薄
、
超小尺寸器件的理想选择
。
通过利用二维材料的单元结构，可以极大地减小电子器件的尺寸，实现更高的集成度和更快的响应速度
。
由此可见，认识和研究二维材料的性质是集成电路发展的热点
。
[0003]透射电子显微镜
(TEM)
能够从原子尺度准确分析二维材料的结构信息，但该方法会产生大量的
TEM
图像数据
。
此外准确分析
TEM
的结构图像不仅需要研究者具备良好的专业知识与实验经验，还非常耗时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：接收待测量透射电镜图；将所述待测量透射电镜图输入至目标图像分割模型，得到标记有层状结构的二值化图像；对所述待测量的透射电镜图进行图像处理，确定所述待测量的透射电镜图中标尺所占的像素点；使用骨架提取算法对标记有层状结构的二值化图像进行处理，得到骨架化图像；以垂直层状结构的方向，遍历所述骨架化图片中的像素点；确定垂直层状结构的方向像素点位置和个数，并结合所述标尺所占的像素点，计算透射电镜中的层数与层间距
。2.
根据权利要求1所述的透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，其特征在于，所述目标图像分割模型通过以下方式得到：收集训练用透射电镜图；对训练用透射电镜图中的层结构区域和非层结构区域进行标记，并将非层结构区域设置为背景色，获得二值化图像；构建图像分割模型，并采用训练用透射电镜图像与训练用透射电镜图对应的二值化图像作为数据集训练所述图像分割模型，得到目标图像分割模型
。3.
根据权利要求2所述的透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，其特征在于，所述构建图像分割模型包括：构建初始图像分割模型；调节所述初始图像分割模型结构；设置所述图像分割模型的损失函数
。4.
根据权利要求3所述的透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，其特征在于，所述初始图像分割模型基于
FCN、U
‑
Net
或
Deep
‑
Lab
构建而成
。5.
根据权利要求3所述的透射电镜中二维材料晶格层数与间距的测量方法，其特征在于，所述调节所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛智伟，郑馨悦，黄于博，桂晨，叶长青，王超伦，毕恒昌，吴幸，
申请(专利权)人：华东师范大学，
类型：发明
国别省市：