一种颅内压监测探头制作方法及颅内压监测探头技术

本发明专利技术公开了一种颅内压监测探头制作方法及颅内压监测探头，该方法包括将第一导线的一端焊接至相对压力传感器芯片的焊盘上形成第一焊点；将第二导线的一端与第一导线的另一端焊接形成第二焊点；在相对压力传感器芯片上放置掩膜或工装；将压力传感器组件放置于气相沉积设备中进行气相沉积处理以保护金属暴露区；将压力传感器组件安装至壳体中并对齐壳体的检测窗口；将硅胶支护层填充至检测窗口中并覆盖至压力传感器组件上

【技术实现步骤摘要】
一种颅内压监测探头制作方法及颅内压监测探头


[0001]本专利技术涉及医疗器械
，尤其是涉及一种颅内压监测探头制作方法及颅内压监测探头
。

技术介绍

[0002]颅内压监测在临床上为精确判断颅内肿瘤
、
颅内创伤
、
脑内出血
、
脑水肿等占位性病变引起的颅内压力
(ICP)
变化情况提供依据，可以满足诊断
、
治疗和判断预后的需要
。
颅内压监测所使用的微型压力传感器体积细小，利用现有方法制作时与导线直接焊接具有一定的难度，产品良率难以得到保证
。
同时，颅内压监测探头的压力传感器芯片容置于壳体内，并在壳体的检测窗口上形成有硅胶支护层，通过该硅胶支护层将颅内压力传导至压力传感器芯片上
。
[0003]硅胶的水汽透过率很高，且检测窗口与硅胶支护层之间的接触面处极易形成缝隙，进而导致腐蚀性体液会进入壳体内部，由于内部的导线通常含有铜芯，一般会使用锡膏焊接，锡和铜在水汽存在的情况下，通电会发生电化学腐蚀，进而本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种颅内压监测探头制作方法，其特征在于，包括以下步骤：将第一导线的一端焊接至相对压力传感器芯片的焊盘上形成第一焊点，其中，所述第一导线为裸线，所述相对压力传感器芯片通过所述第一导线形成自由端；将第二导线的一端与所述第一导线的另一端直接焊接形成第二焊点，其中，所述第二导线为漆包线，所述第二导线的所述一端为裸露区；在所述相对压力传感器芯片上放置掩膜或工装，以至少覆盖所述相对压力传感器芯片的压敏薄膜；将压力传感器组件放置于气相沉积设备中进行气相沉积处理以保护金属暴露区，一次性实现共形的沉积层并至少整体环绕包裹所述金属暴露区，并在所述气相沉积处理完成后移除所述掩膜或所述工装，所述压力传感器组件包括所述相对压力传感器芯片
、
所述第一导线和所述第二导线，所述金属暴露区包括所述第一导线
、
所述第一焊点
、
所述第二焊点和所述裸露区；将所述压力传感器组件安装至壳体中并对齐所述壳体的检测窗口；将硅胶支护层填充至所述检测窗口中并覆盖至所述压力传感器组件上，所述硅胶支护层用于向所述压力传感器组件传导压力
。2.
根据权利要求1所述的颅内压监测探头制作方法，其特征在于，在将压力传感器组件放置于气相沉积设备中进行气相沉积处理以保护金属暴露区的步骤前，所述颅内压监测探头制作方法还包括以下步骤：对所述金属暴露区进行等离子体表面处理，以改善气相沉积分子与所述金属暴露区表面的结合力
。3.
根据权利要求2所述的颅内压监测探头制作方法，其特征在于，所述颅内压监测探头制作方法还包括以下步骤：在所述等离子体表面处理完成后，对所述金属暴露区上涂覆适用于气相沉积分子材料的底漆或增粘剂
。4.
根据权利要求2所述的颅内压监测探头制作方法，其特征在于，所述等离子体表面处理的方式包括常压辉光放电或真空刻蚀
。5.
根据权利要求2所述的颅内压监测探头制作方法，其特征在于，所述等离子体表面处理的工作气体包括氧气
、
氩气
、
四氟化碳或六氟化硫
。6.
根据权利要求1所述的颅内压监测探头制作方法，其特征在于，在将压力传感器组件放置于气相沉积设备中进行气相沉积处...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴聿昌，庞长林，刘胜杰，姚阳屹，
申请(专利权)人：微智医疗器械有限公司，
类型：发明
国别省市：