一种基于制造技术

本发明专利技术公开了一种基于

【技术实现步骤摘要】
一种基于ZnO纳米壁的超快响应H2S气敏传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及气体检测
，具体涉及一种基于
ZnO
纳米壁的超快响应
H2S
气敏传感器及其制备方法
。

技术介绍

[0002]ZnO
作为第三代半导体，具有高电子迁移率
、
宽带隙
、
高耐压
、
热导率大以及抗辐射等重要优点，因此，
ZnO
一直是光敏
、
气敏和压敏等领域的热门材料，而其中由于
ZnO
纳米壁具有高比表面积的特点，在表面能提供大量的阳离子和阴离子吸附位点，使其能够更加有效地吸附和催化反应气体
。
[0003]对于
ZnO
纳米壁的制备方法，有研究者通过热蒸发和冷凝法在
Al2O3衬底上喷涂1‑
3nm
金薄膜作为催化剂，合成了
ZnO
纳米壁结构，但该方法对衬底的外延关系有要求，需要喷金薄膜作为催化剂在
900℃
左右本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于
ZnO
纳米壁的超快响应
H2S
气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)ZnO
前驱体种子液的制备：称取乙酸锌溶于乙二醇甲醚中，然后加入乙醇胺和
AlCl3，经水浴加热搅拌，常温避光陈化，得到
ZnO
前驱体种子液；
(2)ZnO
生长液的制备：称取硝酸锌和六次甲基四胺混合溶于去离子水中，搅拌，得到
ZnO
生长液；
(3)
将基底浸没于步骤
(1)
制得的
ZnO
前驱体种子液中，然后取出，再进行热处理，处理完毕后冷却至室温；
(4)
将步骤
(2)
制得的
ZnO
生长液与步骤
(3)
处理完毕的基底混合，进行水热生长，反应结束后清洗，热处理，冷却，制得
。2.
根据权利要求1所述的基于
ZnO
纳米壁的超快响应
H2S
气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤
(1)
中乙酸锌
、AlCl3、
乙二醇甲醚和乙醇胺的质量体积比为
(0.8
‑
1.2)g
：
(0.3
‑
0.5)g
：
(20
‑
30)mL
：
(0.2
‑
0.4)mL。3.
根据权利要求1所述的基于
ZnO
纳米壁的超快响应
H2S
气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤
(1)
中水浴加热搅拌的温度为
50
‑
80℃
，转速为
300
‑
500r/min
，时间为
40
‑
80min
；避光陈化的时间为
20
‑
30h。4.
根据权利要求1所述的基于
ZnO
纳米壁的超快响应
H2S
气敏传感器的制备方法，其特征在于，所述步骤
(2)
中的硝酸锌和六次...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹宝宝，黄俊，
申请(专利权)人：西南交通大学，
类型：发明
国别省市：