电子装置与形成电子装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种电子装置与形成电子装置的方法，电子装置包括第一电子单元

【技术实现步骤摘要】
电子装置与形成电子装置的方法


[0001]本专利技术涉及一种电子装置与形成电子装置的方法，特别是一种可提升电性可靠度的电子装置与形成电子装置的方法
。

技术介绍

[0002]在电子装置的制造过程中，常需要将例如电子单元，例如已知良好的晶片
(known good die,KGD)
，先设置在载板上之后，再进行数个电子单元之间的电连接步骤
。
但是数个电子单元之间可能会有电性可靠度问题
。
例如，数个晶片在转移后，可能因后续制程造成位置偏移预定区域，而造成电性问题
。
[0003]有鉴于此，提供一种制作电子装置的方法，可以提供降低因位置偏移造成电性可靠度问题的电子装置为亟需考量的课题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种电子装置与形成电子装置的方法
。
[0005]为达成上述目的，本专利技术的一些实施例提供一种电子装置
。
电子装置可以包括第一电子单元
、
第二电子单元
、
接合垫
、
绝缘层与电路层
。
接合垫设置于第一电子单元与第二电子单元之间
。
绝缘层对应第一电子单元
、
第二电子单元与接合垫设置
。
第一电子单元通过电路层和接合垫电性连接第二电子单元
。
[0006]本专利技术的一些实施例又提供一种形成电子装置的方法
。
>首先，提供基板，基板包括接合垫
、
第一电子单元与第二电子单元
。
然后，提供绝缘层于基板上
。
绝缘层围绕接合垫
、
第一电子单元与第二电子单元
。
接合垫设置于第一电子单元与第二电子单元之间，且接合垫电性连接第一电子单元与第二电子单元
。
附图说明
[0007]图
1、
图
2、
图
3、
图
4、
图5至图6是根据本专利技术形成电子装置的方法的一些实施例的流程示意图，其分别绘示电子装置的上视图示意图
。
[0008]图
1A
是根据本专利技术形成电子装置的方法的另一种实施例的变形实施方式的上视图示意图
。
[0009]图
5A
绘示依据本专利技术的一些实施例的电子装置，沿着图5中线
A
‑
A
’
的剖视图示意图
。
[0010]图
6、
图
6A、
图
6B
分别绘示根据本专利技术的接合垫不同的实施方式的局部上视图示意图
。
[0011]附图标记说明：
100
‑
电子装置；
101
‑
基板；
101S
‑
上表面；
110
‑
第一电子单元；
110C
‑
接合端子；
110S
‑
底表面；
110T
‑
顶表面；
120
‑
第二电子单元；
120C
‑
接合端子；
120S
‑
底表面；
120T
‑
顶表面；
130
‑
接合垫；
131
‑
导体层；
131S
‑
表面；
132
‑
基底层；
133
‑
接合垫区域；
134
‑
接合垫区域；
135
‑
接合垫区域；
136
‑
分割线；
137
‑
开口；
140
‑
绝缘层；
1401
‑
第一部分；
1402
‑
第
二部分；
1403
‑
第三部分；
140B
‑
底表面；
140S
‑
表面；
150
‑
电路层；
159
‑
绝缘层；
151
‑
第一导电层；
152
‑
第二导电层；
153
‑
端轴；
d
‑
间距；
H1
‑
高度；
H2
‑
最大高度；
L1
‑
延伸线；
L2
‑
延伸线；
P1
‑
部分；
P2
‑
部分；
P3
‑
部分；
C
‑
弧形导角；
R
‑
斜行方向；
W
‑
最大宽度
。
具体实施方式
[0012]通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本专利技术，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本专利技术中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图
。
此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本专利技术的范围
。
[0013]本专利技术通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件
。
本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件
。
本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件
。
[0014]在下文说明书与权利要求书中，“含有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意
。
[0015]应了解到，当元件或膜层被称为在另一个元件或膜层“上”或“连接到”另一个元件或膜层时，它可以直接在此另一元件或膜层上或直接连接到此另一元件或层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层
(
非直接情况
)。
相反地，当元件被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接到”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层
。
[0016]在本专利技术一些实施例中，关于接合
、
连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间
。
且此关于接合
、
连接的用语亦可包含两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况
。
此外，用语“电性连接”或“电性耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子装置，其特征在于，包括：一第一电子单元与一第二电子单元；一接合垫，设置于所述第一电子单元与所述第二电子单元之间；一绝缘层，对应所述第一电子单元
、
所述第二电子单元与所述接合垫设置；以及一电路层；其中，所述第一电子单元通过所述电路层和所述接合垫电性连接所述第二电子单元
。2.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述接合垫还包含：一基底层；以及一导体层，设置在所述基底层上
。3.
如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述电路层包括一第一导电层，所述第一导电层接触所述第一电子单元的一表面的至少一部分
、
所述绝缘层的一表面的至少一部分与所述导体层的一表面的至少一部分
。4.
如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述电路层包括一第二导电层
152
，所述第二导电层接触所述第二电子单元的一表面的至少一部分
、
所述绝缘层的所述表面的至少另一部分与所述导体层的所述表面的至少另一部分
。5.
如权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述基底层包含至少一弧形导角
。6.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述电路层包括一第一导电层与一第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层之间的间距为
d
，所述第一导电层与所述第二导电层其中一者的最大宽度为
W
，且
d≥(W/2)。7.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一电子单元与所述第二电子单元其中一者的最大厚度为
T1
，所述接合垫的厚度为
T2
，且
T1≥T2。8.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述绝缘层包括一第一部分
、
一第二部分与一第三部分，所述第一部分对应所述第一电子单元，所述第二部分对应所述第二电子单元，所述第三部分对应所述接合垫，所述第三部分的高度为
H1
，所述第一部分与所述第二部分其中一者的最大高度为
H2
，且
0.9≤(H1/H2)≤1.1。9.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，于一上视图中，所述接合垫的一延伸方向与所述第一电子单元靠近所述接合垫的一边缘的一延伸方向具有一夹角
θ
，且
0≤
θ
<45
°
。10.
如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述接合垫包括多个彼此不相连的接合垫区域
。11.
一种形成电子装置的方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括一接合垫
、
一第一电子单元与一第二电子单元；以及提供一绝缘层于所述基板上，所述绝缘层对应设置所述接合垫

【专利技术属性】
技术研发人员：王程麒，何政贤，叶国胜，乐瑞仁，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：