计算装置和通过使用计算装置提取测量数据的特征的方法制造方法及图纸

根据本公开内容，通过使用计算设备提取测量数据的特征的方法可以包括以下步骤：识别在处理期间获得的测量数据；识别与测量数据相关的目标数据；基于目标数据对测量数据执行计算；通过对所计算出的测量数据应用最大池化层来提取多个第一值；通过对所计算出的测量数据应用最小池化层来提取多个第二值；以及通过使用多个第一值和多个第二值来提取与测量数据的特征相关的多个第三值

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】计算装置和通过使用计算装置提取测量数据的特征的方法


[0001]本公开内容涉及计算装置和使用该计算装置提取测量数据的特征的方法，并且具体地，涉及通过使用与基于多个第一值和多个第二值提取的测量数据的特征相关的多个第三值来检测处理中的异常的技术，所述多个第一值和多个第二值是通过将池化层应用于具有一维或更高维张量结构的测量数据而提取的
。

技术介绍

[0002]在半导体制造处理期间，可以执行各种基板处理例如绝缘膜和金属材料的沉积和蚀刻，并且层在沉积和蚀刻处理之后是否已经均匀地形成至所期望的厚度可以是用于确认处理的目标是否已经实现的重要标准
。
另外，在将薄膜施加于基板上的涂覆处理的情况下，薄膜是否已经均匀地涂覆至期望的高度可以是用于确认处理的目标是否已经实现的重要标准
。
[0003]在这样的各种处理中，重要的是薄膜是否已经均匀地形成至预定高度，而为此目的，可以使用由传感器测量的薄膜高度来评估在处理中是否存在异常
。
[0004]在常规技术中，使用整个测量数据来评估在处理中是否存在异常
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种使用计算装置提取测量数据的特征的方法，所述方法包括：识别在处理期间获得的测量数据；识别与所述测量数据相关的目标数据；基于所述目标数据对所述测量数据执行计算；通过对所计算出的测量数据应用最大池化层来提取多个第一值；通过对所计算出的测量数据应用最小池化层来提取多个第二值；以及使用所述多个第一值和所述多个第二值来提取与所述测量数据的特征相关的多个第三值
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中，提取多个第三值包括基于所述多个第一值的绝对值与所述多个第二值的绝对值之间的比较来提取
。3.
根据权利要求2所述的方法，其中，提取多个第三值包括通过选择所述多个第一值与所述多个第二值之间的具有较大绝对值的值来提取
。4.
根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述多个第三值与预定容限范围进行比较；以及基于所述比较结果来识别在所述处理期间获得的所述测量数据中是否存在异常
。5.
根据权利要求4所述的方法，其中，识别是否存在异常包括：当所述多个第三值中存在未包括在所述预定容限范围内的值时，识别不包括在所述预定容限范围内的测量数据，并且提供相关信息
。6.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一值包括基于使用预定参数的所述最大池化层确定的关于所计算出的测量数据的多个上限值
。7.
根据权利要求6所述的方法，其中，所述参数包括内核大小
、
步幅和池化数中的至少一个
。8.
根据权利要求6所述的方法，其中，所述参数根据所述处理预先确定
。9.
根据权利要求1所述的方法，其中，所述测量数据是
n
维张量，
n
是等于或大于1的整数
。10.
根据权利要求1所述的方法，其中，执行计算包括执行所述测量数据与所述目标数据之间的减法计算
。11.
根据权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金相烨，朴珍佑，
申请(专利权)人：RTM，
类型：发明
国别省市：