【技术实现步骤摘要】
存储器元件及其制造方法
[0001]本公开关于一种存储器元件，尤其涉及一种存储器元件及其制造方法
。
技术介绍
[0002]本公开一般关于半导体元件，且特别地关于三维
(3
‑
dimesional
，
3D)
存储器元件及制造此类半导体元件的方法
。
[0003]由于各种电子元件
(
如晶体管
、
二极管
、
电阻器
、
电容器等
)
的集成密度不断提高，半导体产业经历了快速增长
。
在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的元件整合至给定面积中
。
技术实现思路
[0004]本公开提供一种存储器元件，该存储器元件包括：多个栅极层
、
横向堆叠多层存储结构以及垂直通道层
。
栅极层横向地延伸在衬底上方且其中相邻的两个彼此通过一绝缘层而相互间隔
。
横向堆叠多...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种存储器元件，其特征在于，包括：多个栅极层，横向地延伸在一衬底上方且彼此间隔；一横向堆叠多层存储结构，向上延伸在该衬底上方并通过所述多个栅极层，且包含：一阻挡层；一电荷储存堆叠结构，位于该阻挡层上，且包含一第一氮化硅层
、
一第二氮化硅层以及夹在该第一氮化硅层与该第二氮化硅层之间的一氮氧化硅层；以及一隧道层，位于该电荷储存堆叠结构上；一垂直通道层，位于该横向堆叠多层存储结构上
。2.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一氮化硅层具有大于该第二氮化硅层的一氮原子浓度百分比
。3.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一氮化硅层具有小于该第二氮化硅层的一折射率
。4.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中该氮氧化硅层具有小该第一氮化硅层以及该第二氮化硅层的一折射率
。5.
根据权利要求1所述的存储器元件，其中该氮氧化硅层具有大于该第一氮化硅层以及该第二氮化硅层的一氧原子浓度百分比
。6.
一种存储器元件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢棨彬，张亘亘，中道胜，杨令武，陈光钊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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