封装结构的制造方法及封装结构技术

公开了一种封装结构的制造方法及封装结构，封装结构的制造方法，包括：提供金属板；从金属板的第一表面开始刻蚀，以形成引线框架，引线框架包括多个相互分离的金属块，且部分金属块上具有凹槽；采用塑封材料封装引线框架和半导体芯片，使塑封材料填充凹槽和多个金属块之间的空隙，形成封装结构；使每个具有凹槽的金属块均在凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚，其中每个具有凹槽的金属块被分割为至少两个电气分离的引脚。该封装结构及其制造方法在引线框架制作时，使原本要电气分离的引脚相互间部分连接，增加半导体芯片封装时的稳定性，避免引脚悬空发生翘曲形变，提升作业效率，而在封装完成后再断开引脚的连接，又能保证封装结构的性能。装结构的性能。装结构的性能。

【技术实现步骤摘要】
封装结构的制造方法及封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地，涉及一种封装结构的制造方法及封装结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展，封装技术也越来越成熟，半导体芯片的封装结构的应用也越来越广泛。目前常见的封装结构，将例如IC(Integrated Circuit，集成电路)芯片等半导体元件搭载于金属制的引线框架中央的基岛上。例如通过引线键合(wire bonding)方式或其他的封装方式将芯片与基岛周围的多个引脚连接。并且对搭载于引线框架的半导体元件使用例如环氧树脂等树脂材料进行封装，从而形成封装结构。
[0003]而随着电子产品的微型化发展趋势，集成度高、体积小的封装技术逐渐成为主要市场需求。其中，QFN(Quad Flat No
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leads Package，方形扁平无引脚封装)产品具有焊盘尺寸小、体积小的特点，相比于传统SOIC、TSOP、QFP等封装技术更适用于便携小型电子设备。引线框架作为集成电路的芯片载体，是制造集成电路半导体元件的重要部件。在QFN产品的引线框架制造时通常将各引脚直接电气分离开，且没有基板或支撑层，而且通常会将引脚做的很薄，导致某些较长的引脚没有支撑而悬空，从而在储存和运输或封装过程中发生翘曲变形，影响框架的整体结构和性能，从而影响与芯片的连接，对封装产品的可靠性造成影响。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术的目的在于提供一种封装结构的制造方法及封装结构，以解决现有技术中的问题。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供一种封装结构的制造方法，包括：提供金属板；从所述金属板的第一表面开始刻蚀，以形成引线框架，所述引线框架包括多个相互分离的金属块，且部分所述金属块上具有凹槽；采用塑封材料封装所述引线框架和半导体芯片，使所述塑封材料填充所述凹槽和多个所述金属块之间的空隙，形成封装结构；以及使每个具有凹槽的所述金属块均在所述凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚，其中，每个具有凹槽的所述金属块被分割为至少两个电气分离的引脚。
[0006]可选地，由同一个具有凹槽的所述金属块分割而成的多个引脚的长度不完全相同，且多个引脚相互之间由所述塑封材料连接。
[0007]可选地，多个所述金属块沿不同的长度方向延伸，交错分布。
[0008]可选地，从所述金属板的第一表面开始刻蚀，以形成引线框架，所述引线框架包括多个相互分离的金属块，且部分所述金属块上具有凹槽的步骤包括：从所述第一表面开始刻蚀所述金属板，形成多个贯穿槽，以将所述金属板分割为多个相互分离的第一类金属块和第二类金属块；以及从所述第一表面开始刻蚀所述第一类金属块，以在每个所述第一类金属块上形成至少一个凹槽，使每个所述第一类金属块至少部分连接。
[0009]可选地，所述第一类金属块的长度大于所述第二类金属块的长度，且所述第一类
金属块被所述第二类金属块包围。
[0010]可选地，使每个具有凹槽的所述金属块均在所述凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚的步骤包括：沿所述金属板的第二表面开始刻蚀所述第一类金属块的所述凹槽所处的位置，以将所述凹槽处的所述第一类金属块刻蚀完全，形成多个电气分离的引脚，其中，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。
[0011]可选地，使每个具有凹槽的所述金属块均在所述凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚的步骤包括：沿所述金属板的第二表面开始研磨所述封装结构，直至所述第一类金属块的所述凹槽处的所述塑封材料暴露，以形成多个电气分离的引脚，其中，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。
[0012]可选地，采用塑封材料封装所述引线框架和半导体芯片，使所述塑封材料填充所述凹槽和多个所述金属块之间的空隙，形成封装结构的步骤包括：在所述引线框架上封装所述半导体芯片，封装方式包括引线键合或倒装封装；以及在所述引线框架和所述半导体芯片上封装所述塑封材料，由所述塑封材料将所述半导体芯片和所述引线框架包裹。
[0013]根据本专利技术的另一方面，提供一种封装结构，包括：半导体芯片；引线框架，与所述半导体芯片电连接，所述引线框架包括由金属板经过刻蚀后形成的多个相互分离的金属块，所述金属块包括第一类金属块和第二类金属块，其中，每个所述第一类金属块上形成有至少一个凹槽，使每个所述第一类金属块至少部分连接；以及塑封材料，将所述半导体芯片和所述引线框架包裹封装，所述塑封材料填充所述半导体芯片和所述引线框架的缝隙，其中，所述第一类金属块在与半导体芯片被塑封材料封装后，在所述凹槽处断开连接，形成多个电气分离的引脚。
[0014]可选地，所述第一类金属块被分割为长度不同的多个引脚，且每个所述引脚之间由所述塑封材料连接。
[0015]可选地，所述第一类金属块部分连接的地方的金属被刻蚀或研磨掉以电气分离多个引脚。
[0016]可选地，所述半导体芯片和所述引线框架的封装方式包括引线键合或倒装封装。
[0017]可选地，所述封装结构为方形扁平无引脚封装结构。
[0018]可选地，所述金属板为铜板。
[0019]本专利技术提供的封装结构的制造方法及封装结构，在制造引线框架时，刻蚀金属板形成多个相分离的金属块，然后在部分金属块上刻蚀出凹槽，以使原先需要电气隔离的引脚部分连接。而后在其上封装半导体芯片，使得在封装过程中框架的硬度高，稳定性好。较长的引脚和较短的引脚相互连接，互为支撑，避免引脚的形变和框架的翘曲。而且凹槽被塑封材料填充，使引脚部分隔离，不会影响引线框架的引脚与半导体芯片的封装。在封装完成后又将金属块在凹槽处断开连接，使引脚相互电气分离，不会影响封装结构的整体性能。整个制造过程的工艺流程简单，便于操作，成本较低，且封装结构的良性和可靠性较高。
[0020]进一步地，通过刻蚀工艺仅将金属块在凹槽处的连接部分刻蚀掉，以电气分离引脚，该工艺简单，操作难度小，生产效率高。而通过研磨工艺从封装结构背部开始研磨金属块和塑封材料，直至暴露出凹槽处的塑封材料以电气分离引脚，又可以将引线框架的厚度减薄，引脚厚度可调，符合轻薄小型化的需求。
附图说明
[0021]通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0022]图1a和图1b分别示出了封装结构和引线框架的一种示意性结构图；
[0023]图2a和图2b分别示出了根据本专利技术实施例的引线框架的示意性俯视图和立体图；
[0024]图3示出了根据本专利技术实施例的封装结构的制造方法的示意性流程图；
[0025]图4a
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图4h示出了根据本专利技术实施例的封装结构的制造方法在各个阶段的操作示意图；
[0026]图5a
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图5b示出了根据本专利技术实施例的封装结构在电气分离引脚的过程中的一种操作示意图。
具体实施方式
[0027]以下将参照附图更详细地描述本专利技术的各种实施例。在各个附图中，相同的元件采用相同或类似的附图标记来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构的制造方法，包括：提供金属板；从所述金属板的第一表面开始刻蚀，以形成引线框架，所述引线框架包括多个相互分离的金属块，且部分所述金属块上具有凹槽；采用塑封材料封装所述引线框架和半导体芯片，使所述塑封材料填充所述凹槽和多个所述金属块之间的空隙，形成封装结构；以及使每个具有凹槽的所述金属块均在所述凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚，其中，每个具有凹槽的所述金属块被分割为至少两个电气分离的引脚。2.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其中，由同一个具有凹槽的所述金属块分割而成的多个引脚的长度不完全相同，且多个引脚相互之间由所述塑封材料连接。3.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其中，多个所述金属块沿不同的长度方向延伸，交错分布。4.根据权利要求1所述的封装结构的制造方法，其中，从所述金属板的第一表面开始刻蚀，以形成引线框架，所述引线框架包括多个相互分离的金属块，且部分所述金属块上具有凹槽的步骤包括：从所述第一表面开始刻蚀所述金属板，形成多个贯穿槽，以将所述金属板分割为多个相互分离的第一类金属块和第二类金属块；以及从所述第一表面开始刻蚀所述第一类金属块，以在每个所述第一类金属块上形成至少一个凹槽，使每个所述第一类金属块至少部分连接。5.根据权利要求4所述的封装结构的制造方法，其中，所述第一类金属块的长度大于所述第二类金属块的长度，且所述第一类金属块被所述第二类金属块包围。6.根据权利要求4所述的封装结构的制造方法，其中，使每个具有凹槽的所述金属块均在所述凹槽的位置处断开连接，形成不同的引脚的步骤包括：沿所述金属板的第二表面开始刻蚀所述第一类金属块的所述凹槽所处的位置，以将所述凹槽处的所述第一类金属块刻蚀完全，形成多个电气分离的引脚，其中，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。7.根据权利要求4所述的封装结构的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：许飞，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：