一种高质量晶圆级单一取向二维硒氧化铋垂直鳍片阵列批量化制备方法技术

本发明专利技术公开了一种批量化制备晶圆级单一取向二维

【技术实现步骤摘要】
一种高质量晶圆级单一取向二维硒氧化铋垂直鳍片阵列批量化制备方法


[0001]本专利技术属于半导体材料制备及化学气相沉积
(CVD)

，具体涉及一种高质量晶圆级二维硒氧化铋垂直鳍片
(Fin)
的单一取向阵列的批量化制备方法，适于规模化批量制备晶圆级单一取向二维硒氧化铋垂直鳍片
(Fin)
阵列
。

技术介绍

[0002]二维硒氧化铋
(Bi2O2Se)
是一种环境稳定的新型高迁移率半导体材料，由
(Bi2O2)
n
层和
Se
n
交替连接构成二维层状晶体结构，具有四重对称性
(Z
＝
2)。
环境稳定的二维
Bi2O2Se
半导体独特的晶体结构
、
能带结构，使其具有优异的电学
、
光学
、
光电等材料物理化学性能，在逻辑电路
、
忆阻器
、
超快红外探测
、r/>光催化
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种批量化制备晶圆级单一取向二维
Bi2O2Se
垂直鳍阵列的方法，其特征在于：所述二维
Bi2O2Se
垂直
Fin
通过在2重对称离子型基底诱导垂直取向成核，垂直核长大获得单一取向二维
Bi2O2Se Fin
阵列
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在：所述方法包括如下步骤：以氧化镁
(110)
单晶晶圆为生长基底，
Bi2Se3单晶块体
、Bi2O3粉末及高纯氩
/
氧混合气为原料，进行化学气相沉积，沉积完毕后得到所述晶圆级单一取向二维
Bi2O2Se
垂直鳍阵列
。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述化学气相沉积方法中，所述
Bi2O3粉末与
Bi2Se3单晶块体的质量比为
7:6
‑
2:1
；所述高纯氩
/
氧混合气中氩气和氧气的体积比为
150000
：1‑
15000:1。4.
根据权利要求1‑3中任一项所述的方法，其特征在于：所述晶圆基底尺寸为1英寸
。5.
根据权利要求1‑4中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭海琳，于梦诗，谭聪伟，唐浚川，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：