接合装置以及接合方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制接合强度的降低的接合装置以及接合方法。接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。第一部件与所述第二部件接合。第一部件与所述第二部件接合。

【技术实现步骤摘要】
接合装置以及接合方法


[0001]本公开涉及接合装置以及接合方法。

技术介绍

[0002]存在将半导体彼此接合的技术。例如，存在如下技术：通过使用氧等离子体使硅(Si)晶圆的表面亲水化，利用羟基(
‑
OH)间的键合将晶圆接合(非专利文献1)。还存在如下技术：通过紫外线由氧气(O2)产生臭氧(O3)，通过臭氧使表面亲水化，由此将磷化铟(InP)的半导体芯片接合于Si晶圆(非专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：V.Masteika et al.“A Review of Hydrophilic Silicon Wafer Bonding”ECS Journal of Solid State Science and Technology,3(4)Q42
‑
Q54,2014
[0006]非专利文献2：A.Iawai et al.“Void
‑
free direct bonding of InP to Si:Advantages of low H
‑
content and ozone activation”J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.32,No.2,2014

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的问题
[0008]在基于等离子体活化的接合中，使用在真空中照射等离子体的等离子体装置和接合装置。在使用了基于臭氧的亲水化的接合中，使用用于产生臭氧的紫外线的照射装置和接合装置。在亲水化后向接合装置输送时，存在在亲水化后的表面附着灰尘的隐患。在从表面的亲水化到接合为止的时间内，表面的亲水化性能降低。以上的结果是，存在接合强度降低的隐患。
[0009]因此，本公开的目的在于提供一种能够抑制接合强度的降低的接合装置以及接合方法。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]本公开所涉及的接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。
[0012]本公开所涉及的接合方法是使用上述的接合装置将第一部件与第二部件接合的接合方法。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本公开，能够提供一种能够抑制接合强度的降低以及偏差的接合装置以及接合方法。
附图说明
[0015]图1是举例示出第一实施方式所涉及的接合装置的示意图。
[0016]图2A是举例示出扩晶环供给部的俯视图。
[0017]图2B是举例示出接合工作台的俯视图。
[0018]图3是举例示出使用了接合装置的接合的工序的流程图。
[0019]图4是举例示出使用了接合装置的接合的工序的流程图。
[0020]图5是举例示出扩晶环供给部的俯视图。
[0021]图6A是举例示出芯片工作台的剖视图。
[0022]图6B是举例示出芯片工作台的剖视图。
[0023]图7A是举例示出紫外线的照射的示意图。
[0024]图7B是举例示出接合的工序的剖视图。
[0025]图8A是举例示出比较例中的接合用的设备的示意图。
[0026]图8B是举例示出比较例中的接合的工序的流程图。
[0027]图9是举例示出第二实施方式所涉及的接合装置的示意图。
[0028]图10是举例示出紫外线的照射的工序的图。
[0029]图11是举例示出第三实施方式所涉及的接合装置的示意图。
[0030]图12是举例示出紫外线的照射的示意图。
[0031]图13是举例示出第四实施方式所涉及的接合装置的示意图。
[0032]图14是举例示出紫外线的照射的工序的示意图。
[0033]图15A是举例示出第五实施方式所涉及的紫外线的照射的示意图。
[0034]图15B是上表面照射口的俯视图。
[0035]图16A是举例示出第六实施方式所涉及的照射筒的示意图。
[0036]图16B是举例示出第六实施方式所涉及的照射筒的示意图。
[0037]图16C是举例示出第六实施方式所涉及的照射筒的示意图。
[0038]附图标记说明
[0039]10：框体；12：扩晶环；13：粘合胶带；14：接合工作台；16、62：紫外线照射部；18、24：相机；19：扩晶环供给部；20：芯片工作台；22：凝胶包供给部；26、28：筒夹；30：控制部；40：半导体芯片；40a、40b、42a：面；42：晶圆；42b：区域；50：罩；51：空洞；52：开口部；53、54、56：气体通路；55、57、58：阀；60：反射部；61、68：反射膜；63、64、65、69：可动部；66：分支部；67：半反射镜；80、90：照射筒；81、91、92、93：空洞；82：上表面照射口；83：上壁；84：下壁；95、96：内壁；97：排气部；98：气体导入部；99：开口部；100、200、300、400：接合装置；110：亲水化用的装置；111：接合用的装置。
具体实施方式
[0040][本公开的实施方式的说明][0041]首先，列举本公开的实施方式的内容进行说明。
[0042]本公开的一个方式是(1)一种接合装置，其中，所述接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件
输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。由一个接合装置进行基于紫外线的照射的第一部件的表面的亲水化、以及第一部件与第二部件的接合。由于从亲水化到接合为止的时间变短，因此可抑制灰尘的附着、亲水化性能的降低。抑制接合强度的降低。
[0043](2)也可以是，在上述(1)的基础上，所述照射部对多个所述第一部件中的一个所述第一部件的表面照射紫外线，所述输送部将所述一个第一部件与所述第二部件接合，在将所述一个第一部件与所述第二部件接合之后，所述照射部对所述多个第一部件中的另一个所述第一部件的表面照射紫外线，所述输送部将所述另一个第一部件与所述第二部件接合。对于多个第一部件中的每一个第一部件，在亲水化之后立即进行接合。能够抑制接合强度的偏差。
[0044](3)也可以是，在上述(1)或(2)的基础上，所述接合装置具备：第一载置部，其载置所述第一部件；第二载置部，其载置所述第二部件；以及框体，其将所述照射部、所述输送部、所述第一载置部、所述第二载置部容纳于内部。能够在接合装置中执行从紫外线的照射到接合。可抑制灰尘的附着，可抑制因时本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合装置，其中，所述接合装置具备：照射部，其对第一部件的表面照射紫外线；以及输送部，其输送所述第一部件，所述照射部对被所述输送部保持的所述第一部件照射所述紫外线，所述输送部将照射了所述紫外线后的所述第一部件输送至第二部件的表面，使所述第一部件的所述表面与所述第二部件的表面接触，由此将所述第一部件与所述第二部件接合。2.根据权利要求1所述的接合装置，其中，所述照射部对多个所述第一部件中的一个第一部件的表面照射紫外线，所述输送部将所述一个第一部件与所述第二部件接合，在将所述一个第一部件与所述第二部件接合之后，所述照射部对多个所述第一部件中的另一个第一部件的表面照射紫外线，所述输送部将所述另一个第一部件与所述第二部件接合。3.根据权利要求1或2所述的接合装置，其中，所述接合装置具备：第一载置部，其载置所述第一部件；第二载置部，其载置所述第二部件；以及框体，其将所述照射部、所述输送部、所述第一载置部、所述第二载置部容纳于内部。4.根据权利要求1或2所述的接合装置，其中，所述照射部对所述第一部件的表面以及所述第二部件的表面照射紫外线。5.根据权利要求4所述的接合装置，其中，所述照射部包含第一照射部和第二照射部，所述第一照射部对所述第一部件的表面照射紫外线，所述第二照射部对所述第二部件的表面照射紫外线。6.根据权利要求4所述的接合装置，其中，所述接合装置具备分支部，所述分支部使从所述照射部射出的紫外线分支，通过所述分支部而分支的紫外线照射到所述第一部件的表面以及所述第二部件的表面。7.根据权利要求1或2所述的接合装置，其中，所述接合装置具备在内侧具有空洞的罩，向所述罩内的空洞导入含有氧气的气体，所述照射部对配置于所述罩内的空洞的所述第一部件...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑川宗高，藤原直树，菊地健彦，笠谷和生，丸山刚，
申请(专利权)人：株式会社肆科技，
类型：发明
国别省市：